本实用新型专利技术公开了一种高精度LED均流驱动电路，其包括LED开路保护电路单元、发光单元及驱动电路单元，LED开路保护电路单元输出端与发光单元电性连接；发光单元包括第一发光组及第二发光组，第一发光组一端与LED开路保护电路单元输出端电性连接，第一发光组的另一端电性连接驱动电路单元；第二发光组另一端电性连接驱动电路单元。本实用新型专利技术通过设置第三三极管及第四三极管，其中第三三极管提供第一三极管驱动电流，第四三极管提供第二三极管驱动电流；同时配合将第三三极管及第四三极管设为一体式封装构造，使得第三三极管及第四三极管的参数保持基本一致，从而使得第一发光组及第二发光组的电流均流效果更好。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子电路
，尤其是涉及一种高精度LED均流驱动电路。
技术介绍
随着半导体发光二极管LED的普及，目前在LED液晶电视、LED照明灯等多个领域 均实现了 LED的普遍应用。在实际应用过程中，普遍是以一定数量的LED灯进行一定的串 并连接后作为发光源，为控制成本，在众多数量的LED灯进行串并连接时，往往采用多颗或 者多串LED灯进行并联的方式实现。但传统电路的LED灯串在并联之后，如果并联的LED 灯串间特性差异较大，容易出现灯串间电流不均衡的情况。 如图1所示，LED均流驱动电路包括由第一三极管Q1'和第二三极管Q2'组成的 镜像电流源、用来提高驱动电流的第三三极管Qc'、和第一三极管Q1'的发射极电性连接的 第一电阻R1'、和第二三极管Q2'的发射极电性连接的第二电阻R2'、和第一三极管Q1'的 集电极电性连接的第一发光组、和第二三极管Q2'的集电极电性连接的第二发光组，由于第 一三极管Q1'和第二三极管Q2'的基极-发射极的电压随温度的变化而变化，尤其当三极 管Q1'和第二三极管Q2'流经电流较大以及发热比较高时，更加使得第一三极管Q1'和第 二三极管Q2'的基极-发射极的电压不相等，最终导致流经第一发光组的电流Iu D1和流经 第二发光组的电流1_2的均流精度不够高。 同时，由于只有一个提供驱动电流的第三三极管Qc'，可能导致驱动电流不足的 情况，上拉电阻Rc的取值也很难兼顾自身功耗以及提供足够驱动电流的矛盾，具体地， 其中，IC.Q1是第一三极管Q1'的集电极电流，I S.Q1是第一三极管Q1'的基极-发射 极的反相电流，VBE. Q1为第一三极管Q1'的基极-发射极电压，VT.Q1为一定温度T下第一三 极管Q1'的电压值；第二三极管Q2'同理，当第一三极管Q1'和第二三极管Q2'温度差异很 大，由于V BE.Q1# VBE.Q2，所以使得I腦和ILED2电流均流特性不好。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述
技术介绍
存在的问题，提供一种高精度LED均流驱动电 路，能调整发光组上的电流，使其均流效果更好。 为实现上述目的，本技术公开了一种高精度LED均流驱动电路，其包括LED开 路保护电路单元、发光单元及驱动电路单元，所述LED开路保护电路单元输入端连接恒流 源，所述LED开路保护电路单元输出端与所述发光单元电性连接； 所述发光单元包括第一发光组及第二发光组，所述第一发光组一端与所述LED开 路保护电路单元输出端电性连接，所述第一发光组的另一端电性连接所述驱动电路单元； 所述第二发光组一端电性连接恒流源，所述第二发光组另一端电性连接所述驱动电路单 元； 所述驱动电路单元包括第一驱动电路及第二驱动电路，所述第一发光组另一端与 第一驱动电路电性连接，所述第二发光组另一端与所述第二驱动电路连接，所述第一驱动 电路包括第一三极管、第三三极管及第一均流电阻，所述第一三极管的发射极电性连接所 述第一发光组，所述第一三极管的基极电性连接所述第三三极管的集电极，所述第一三极 管的集电极电性连接所述第三三极管的发射极及第一均流电阻一端，所述第一均流电阻另 一端电性接地。 所述第二驱动电路包括第二三极管、第四三极管及第二均流电阻，所述第二三极 管的发射极电性连接所述第二发光组，所述第二三极管的基极电性连接第四三极管的集电 极，所述第二三极管的集电极电性连接所述第四三极管的发射极及第二均流电阻一端，所 述第二均流电阻另一端电性接地，所述第四三极管的基极与第三三极管的基极电性连接。 在其中一个实施例中，所述LED开路保护电路单元包括调节电容、驱动电阻、第 二M0SFET管及第一 M0SFET管，所述调节电容与驱动电阻并联连接，所述调节电容一端与 恒流源电性连接，所述调节电容另一端分别电性连接于所述第二M0SFET管的栅极及第一 M0SFET管的漏极，所述第二M0SFET管的源极电性连接恒流源，所述第二M0SFET管的漏极电 性连接所述发光单元。 在其中一个实施例中，所述第一发光组一端与第二M0SFET管的漏极电性连接。 在其中一个实施例中，所述第二M0SFET管为P沟道型M0SFET，所述第一 M0SFET管 为N沟道型M0SFET。 在其中一个实施例中，所述第三三极管及第四三极管为一体式封装构造。 在其中一个实施例中，所述第一三极管和第三三极管为一体式封装构造。 在其中一个实施例中，所述第二三极管和第四三极管为一体式封装构造。 综上所述，本技术高精度LED均流驱动电路通过设置第三三极管及第四三极 管，其中第三三极管提供第一三极管驱动电流，第四三极管提供第二三极管驱动电流，以提 供给第一发光组及第二发光组足够的驱动电流；同时配合将第三三极管及第四三极管设为 一体式封装构造，使得第三三极管及第四三极管的参数保持基本一致，从而使得流经第一 发光组及第二发光组的电流的均流效果更好。【附图说明】 图1为常见LED均流驱动电路的电路原理图； 图2为本技术高精度LED均流驱动电路一种实施例的电路原理图。【具体实施方式】 如图2所示，本技术高精度LED均流驱动电路包括LED开路保护电路单元 100、发光单元200及驱动电路单元300，所述LED开路保护电路单元100输入端连接恒流源 400,所述LED开路保护电路单元100输出端与所述发光单元200电性连接。所述LED开路保护电路单元100包括调节电容C1、驱动电阻R3、第二M0SFET管T2 及第一 M0SFET管T1，所述调节电容C1与驱动电阻R3并联连接，所述调节电容C1 一端与恒 流源400电性连接，所述调节电容C1另一端分别电性连接于所述第二M0SFET管T2的栅极 及第一 MOSFET管T1的漏极，所述第二MOSFET管T2的源极电性连接恒流源400,所述第二 M0SFET管T2的漏极电性连接所述发光单元200 ;所述调节电容C1用以调节第二M0SFET管 T2及第一 MOSFET管T1的开关速度，所述第二MOSFET管T2为P沟道型M0SFET，所述第一 MOSFET 管 T1 为 N 沟道型 MOSFET。 具体地，所述发光单元200包括第一发光组210及第二发光组220,所述第一发光 组210及第二发光组220分别由若干个发光二极管组成； 所述第一发光组210 -端与第二MOSFET管T2的漏极电性连接，所述第二MOSFET 管T2的漏极对应所述LED开路保护电路单元100输出端，所述第一发光组210的另一端电 性连接所述驱动电路单元300 ;所述第二发光组220 -端电性连接恒流源400,所述第二发 光组220另一端电性连接所述驱动电路单元300。 具体地，所述驱动电路单元300包括第一驱动电路310及第二驱动电路320,所述 第一发光组210另一端与第一驱动电路310电性连接，所述第二发光组220另一端与所述 第二驱动电路32当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高精度LED均流驱动电路，其特征在于：包括LED开路保护电路单元(100)、发光单元(200)及驱动电路单元(300)，所述LED开路保护电路单元(100)输入端连接恒流源(400)，所述LED开路保护电路单元(100)输出端与所述发光单元(200)电性连接；所述发光单元(200)包括第一发光组(210)及第二发光组(220)，所述第一发光组(210)一端与所述LED开路保护电路单元(100)输出端电性连接，所述第一发光组(210)的另一端电性连接所述驱动电路单元(300)；所述第二发光组(220)一端电性连接恒流源(400)，所述第二发光组(220)另一端电性连接所述驱动电路单元(300)；所述驱动电路单元(300)包括第一驱动电路(310)及第二驱动电路(320)，所述第一发光组(210)另一端与第一驱动电路(310)电性连接，所述第二发光组(220)另一端与所述第二驱动电路(320)连接，所述第一驱动电路(310)包括第一三极管(Q1)、第三三极管(Q3)及第一均流电阻(R1)，所述第一三极管(Q1)的发射极电性连接所述第一发光组(210)，所述第一三极管(Q1)的基极电性连接所述第三三极管(Q3)的集电极，所述第一三极管(Q1)的集电极电性连接所述第三三极管(Q3)的发射极及第一均流电阻(R1)一端，所述第一均流电阻(R1)另一端电性接地，所述第二驱动电路(320)包括第二三极管(Q2)、第四三极管(Q4)及第二均流电阻(R2)，所述第二三极管(Q2)的发射极电性连接所述第二发光组(220)，所述第二三极管(Q2)的基极电性连接第四三极管(Q4)的集电极，所述第二三极管(Q2)的集电极电性连接所述第四三极管(Q4)的发射极及第二均流电阻(R2)一端，所述第二均流电阻(R2)另一端电性接地，所述第四三极管(Q4)的基极与第三三极管(Q3)的基极电性连接。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：施三保，
申请(专利权)人：法雷奥汽车内部控制深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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