【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般来说涉及等离子体产生装置，更具体地，涉及使用多个天线的电感耦 合等离子体产生装置。
技术介绍
螺旋波等离子体（helicon plasma)可以产生高密度的等离子体。然而，螺旋波等 离子体难以提供处理均匀性和处理稳定性。
技术实现思路
技术问题 本专利技术的实施例提供了产生均匀的螺旋波等离子体或均匀的电感耦合等离子体 的等离子体产生装置。 技术解决方案 根据本专利技术实施例的等离子体产生装置包括：外围介电管，所述外围介电管围绕 距腔室的顶面的中心具有恒定半径的圆周以固定的间隔布置；外围天线，所述外围天线被 布置为围绕所述外围介电管；上部磁体，所述上部磁体与所述外围介电管垂直地间隔开并 且所述上部磁体布置在同一第一平面上；和下部磁体，所述下部磁体分别布置在位于所述 上部磁体与所述外围介电管之间的同一第二平面上。所述上部磁体的中心轴与所述下部磁 体的中心轴可以彼此一致，且在所述外围介电管的内部可以产生等离子体。 在示例性实施例中，所述上部磁体可以是环形的永磁体，且所述上部磁体的磁化 方向可以是上述环形的中心轴方向。 在示例性实施例中，所述...
【技术保护点】
一种等离子体产生装置，其包括：外围介电管，所述外围介电管围绕着距腔室的顶面的中心具有恒定半径的圆周以固定的间隔布置；外围天线，所述外围天线被布置为围绕所述外围介电管；上部磁体，所述上部磁体与所述外围介电管垂直地间隔开并且所述上部磁体被布置在同一第一平面上；和下部磁体，所述下部磁体分别配置在位于所述上部磁体与所述外围介电管之间的同一第二平面上，其中，所述上部磁体的中心轴与所述下部磁体的中心轴彼此一致，并且等离子体产生于所述外围介电管的内部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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