一种电力电子芯片的高压检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种电力电子芯片的高压检测装置，该装置的探针台的台面上设有用于盛放电力电子芯片的导电盘；导电盘内有隔离层，且导电盘中隔离层的高度高于电力电子芯片的厚度。本实用新型专利技术提供的技术方案简单且易于实现，其避免了高压检测过程中打火现象的发生，同时也有效的保护了待测的电力电子芯片，使其不被损毁；同时保证了高压检测的顺利开展；该检测装置有效且可靠，提高了电力电子芯片的检测结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件的检测装置，具体涉及一种电力电子芯片的高压检测装置。
技术介绍
我国经济的持续高速发展带来了环境保护和能源供应的压力。积极发展绿色经济、低碳经济已逐步成为我国经济发展的新模式，节能减排已成为我国的重要战略任务。而绿色能源是对节能减排具有直接重大贡献的产业。为解决当前所面临的环境问题和能源危机，实现更高的能源转换效率和电力传输效率是核心要素。作为提高电网清洁能源接纳能力、智能化程度、资源调配能力以及提升安全稳定可靠性能的核心技术，大功率电力电子装置技术的发展离不开基础元器件性能的提尚O电力电子器件是电网中电力转换和控制的核心元件，其性能直接决定了整个电网的表现。随着世界电网进入智能电网发展阶段，新能源技术、分布式发电技术、大规模储能技术、超远距离超大规模输电技术、信息网络技术和智能控制技术的飞速发展对高压、大容量、高频、耐高温的电力电子器件提出了更高的需求。宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)临界场强高、禁带宽度大、热导率高，非常适用于研制高压、大功率、高频功率器件。用SiC材料制备的器件能够承受的电压是同类硅器件的10倍，比Si器件的功耗降低了 50%，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电力电子芯片的高压检测装置，包括用于放置待测的电力电子芯片的探针台和向所述电力电子芯片导通高压电的探针，其特征在于，所述探针台的台面上设有用于盛放所述电力电子芯片的导电盘；所述导电盘内有隔离层，且所述导电盘中隔离层的高度高于所述电力电子芯片的厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨霏，李玲，刘瑞，
申请(专利权)人：国网智能电网研究院，国家电网公司，
类型：新型
国别省市：北京;11