AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法技术

本发明专利技术提供的一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用4T2C结构，包括：第一、第二、第三、第四薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4)、第一、第二电容(C1、C2)、及有机发光二极管(OLED)，并引入第一、第二全局信号(Vselx、Vsely)、及参考电压(Vref)；通过第三薄膜晶体管(T3)向第一节点(a)提供参考电压(Vref)，能够简化数据信号电压(Vdata)，减小数据信号电压(Vdata)的复杂度，通过第四薄膜晶体管(T4)将数据信号电压(Vdata)写入第一薄膜晶体管(T1)即驱动薄膜晶体管的过程与复位(Reset)及阈值电压检测(Vth sensing)的过程分开，增加复位时间与补偿时间，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化，使AMOLED的显示亮度较均匀，提升显示品质。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。如图1所述，一种现有的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路，包括一第一薄膜晶体管T10、一第二薄膜晶体管T20、及一电容Cs，所述第一薄膜晶体管T10为驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T20为开关薄膜晶体管，所述电容Cs为存储电容。具体地，所述第二薄膜晶体管T20的栅极电性连接扫描信号电压Vsel，源极电性连接数据信号电压Vdata，漏极与第一薄膜晶体管T10的栅极、及电容Cs的一端电性连接；所述第一薄膜晶体管T10的源极电性连接交流电源电压Vdd，漏极电性连接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴极电性连接接地端；电容Cs的一端电性连接第二薄膜晶体管T20的漏极，另一端电性连接第一薄膜晶体管T10的源极。请参阅图2，图2为图1电路对应的时序图，由图2可知，图1所示的2T1C像素驱动电路的工作过程分为四个阶段，具体如下：一、复位阶段：所述扫描信号电压Vsel提供高电位，控制第二薄膜晶体管T20打开，数据信号电压Vdata经过第二薄膜晶体管T20向第一薄膜晶体管T10的栅极提供第一参考电压Vref1，即第一薄膜晶体管T10的栅极电压Va＝Vref1，第一薄膜晶体管T10打开，交流电源电压Vdd提供低电位Vdl，则第一薄膜晶体管的源极电压Vb＝Vdl；二、阈值电压检测阶段：所述扫描信号电压Vsel提供高电位，控制第二薄膜晶体管T20打开，数据信号电压Vdata经过第二薄膜晶体管T20向第一薄膜晶体管T10的栅极提供第二参考电压Vref2，且Vref2＜Vref1，即第一薄膜晶体管T10的栅极电压Va＝Vref2，第一栅极薄膜晶体管T10打开，交流电源电压Vdd提供高电位，第一薄膜晶体管的源极电压Vb提升至Vb＝Vref2-Vth，Vth为第一薄膜晶体管T10的阈值电压；三、阈值电压补偿阶段：所述扫描信号电压Vsel提供高电位，控制第二薄膜晶体管T20打开，数据信号电压Vdata经过第二薄膜晶体管T20向第一薄膜晶体管T10的栅极及电容Cs提供数据信号电压Vdata，即第一薄膜晶体管T10的栅极电压Va＝Vdata，第一栅极薄膜晶体管T10打开，交流电源电压Vdd提供高电位，第一薄膜晶体管的源极电压Vb改变至Vb＝Vref2-Vth+ΔV，ΔV为数据信号电压Vdata对所述第一薄膜晶体管T1的源极电压所产生的影响；四、发光阶段，所述扫描信号电压Vsel提供低电位，第二薄膜晶体管T20闭合，由于电容Cs的存储作用，第二薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据信号电压Va＝Vdata，使得第一薄膜晶体管T10处于导通状态，第一薄膜晶体管T10的源极电压为Vb＝Vref2-Vth+ΔV，第一薄膜晶体管T10的栅源极电压Vgs＝Va-Vb＝Vdata-Vref2+Vth-ΔV，即可补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压。然而，如图1所示的2T1C像素驱动电路的存在数据信号电压复杂和补偿时间短的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化，简化数据信号电压，减小数据信号电压的复杂度，增加补偿时间，提升显示品质。本专利技术的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化，简化数据信号电压，减小数据信号电压的复杂度，增加补偿时间，提升显示品质。为实现上述目的，本专利技术提供了一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于交流电源电压；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于扫描信号电压，源极电性连接于数据信号电压，漏极电性连接于第三节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第二全局信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于参考电压；所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一全局信号，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第一节点；所述第一电容的一端电性连接于第三节点，另一端电性连接于有机发光二极管的阴极及接地端；所述第二电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于第二节点；所述有机发光二极管的阳极电性连接于第二节点，阴极电性连接于接地端；所述第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、及第四薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。所述第一全局信号、及第二全局信号均通过外部时序控制器产生。所述第一全局信号、第二全局信号、扫描信号电压、及交流电源电压相组合先后对应于复位阶段、阈值电压检测阶段、阈值电压补偿阶段、及驱动发光阶段；在所述复位阶段，所述扫描信号电压与第二全局信号为高电位，第一全局信号与交流电源电压为低电位；在所述阈值电压检测阶段，所述第二全局信号与交流电源电压为高电位，扫描信号电压与第一全局信号为低电位；在所述阈值电压补偿阶段，所述扫描信号电压与第二全局信号为低电位，第一全局信号与交流电源电压为高电位；在所述驱动发光阶段，所述扫描信号电压、第一全局信号、及第二全局信号为低电位，交流电源电压为高电位。所述参考电压为一恒定电压。本专利技术还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于交流电源电压；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于扫描信号电压，源极电性连接于数据信号电压，漏极电性连接于第三节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第二全局信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于参考电压；所述第四本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(OLED)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(a)，源极电性连接于第二节点(b)，漏极电性连接于交流电源电压(Vdd)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于扫描信号电压(Vsel)，源极电性连接于数据信号电压(Vdata)，漏极电性连接于第三节点(c)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第二全局信号(Vsely)，源极电性连接于第一节点(a)，漏极电性连接于参考电压(Vref)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第一全局信号(Vselx)，源极电性连接于第三节点(c)，漏极电性连接于第一节点(a)；所述第一电容(C1)的一端电性连接于第三节点(c)，另一端电性连接于有机发光二极管(OLED)的阴极及接地端；所述第二电容(C2)的一端电性连接于第一节点(a)，另一端电性连接于第二节点(b)；所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第二节点(b)，阴极电性连接于接地端；所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(OLED)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(a)，源极电性连接于第二节点(b)，漏极电性连接于交流电源电压(Vdd)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于扫描信号电压(Vsel)，源极电性连接于数据信号电压(Vdata)，漏极电性连接于第三节点(c)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第二全局信号(Vsely)，源极电性连接于第一节点(a)，漏极电性连接于参考电压(Vref)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第一全局信号(Vselx)，源极电性连接于第三节点(c)，漏极电性连接于第一节点(a)；所述第一电容(C1)的一端电性连接于第三节点(c)，另一端电性连接于有机发光二极管(OLED)的阴极及接地端；所述第二电容(C2)的一端电性连接于第一节点(a)，另一端电性连接于第二节点(b)；所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第二节点(b)，阴极电性连接于接地端；所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管；所述第一全局信号(Vselx)、第二全局信号(Vsely)、扫描信号电压(Vsel)、及交流电源电压(Vdd)相组合先后对应于复位阶段(Reset)、阈值电压检测阶段(Vthsensing)、阈值电压补偿阶段(Programming)、及驱动发光阶段(Emitting)；在所述复位阶段(Reset)，所述扫描信号电压(Vsel)与第二全局信号(Vsely)为高电位，第一全局信号(Vselx)与交流电源电压(Vdd)为低电位；在所述阈值电压检测阶段(Vthsensing)，所述第二全局信号(Vsely)与交流电源电压(Vdd)为高电位，扫描信号电压(Vsel)与第一全局信号(Vselx)为低电位；在所述阈值电压补偿阶段(Programming)，所述扫描信号电压(Vsel)与第二全局信号(Vsely)为低电位，第一全局信号(Vselx)与交流电源电压(Vdd)为高电位；在所述驱动发光阶段(Emitting)，所述扫描信号电压(Vsel)、第一全局信号(Vselx)、及第二全局信号(Vsely)为低电位，交流电源电压(Vdd)为高电位。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、及第四薄膜晶体管(T4)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一全局信号(Vselx)、及第二全局信号(Vsely)均通过外部时序控制器产生。4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述参考电压(Vref)为一恒定电压。5.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(OLED)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(a)，源极电性连接于第二节点(b)，漏极电性连接于交流电源电压(Vdd)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于扫描信号电压(Vsel)，源极电性连接于数据信号电压(Vdata)，漏极电性连接于第三节点(c)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第二全局信号(Vsely)，源极电性连接于第一节点(a)，漏极电性连接于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴元均，蔡玉莹，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44