本发明专利技术所述的一种有机发光显示装置，包括基板和设置在基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管，在薄膜晶体管中的金属氧化物半导体层上直接设置有第一非晶硅层。不但能避免源/漏电极层图案化对金属氧化物半导体层产生破坏，而且能有效阻挡紫外线入射到金属氧化物半导体上有效简化了所述有机发光显示装置的结构。同时，本发明专利技术所述的一种有机发光显示装置的制备方法，仅需要在所述金属氧化物半导体层上设置一层非晶硅层就可以同时达到刻蚀阻挡层和紫外线阻挡的目的，有效简化了制备工艺，提高了产品的良品率和经济效益。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及。
技术介绍
近年来随着显示面板尺寸的不断增大，驱动电路的频率不断提高，现有的非晶硅 薄膜晶体管（a-Si TFT)的迁移率一般在0. 5cm2/V*s左右，难以满足现有技术中大尺寸、 高驱动显示频率显示面板的使用要求。现有技术中，高迁移率的薄膜晶体管有多晶硅薄膜 晶体管（LTPS TFT)和金属氧化物薄膜晶体管（以铟镓锌氧化物半导体薄膜晶体管为例）两 种，其性能的比较如表1所示。尽管对多晶硅薄膜晶体管研究比较早，但是多晶硅薄膜晶体 管的均一性差，制作工艺复杂；金属氧化物薄膜晶体管迁移率高、均一性好、透明度高且制 作工艺简单，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求，备受人们的 关注，成为最近几年的研究热点。 但是，但是金属氧化物半导体对短波长光线（< 420nm)，特别是紫外线非常敏感， 由于短波长光线的能量高于大部分金属氧化物半导体的禁带宽度，在短波长光线的照射 下，金属氧化物半导体的I-V曲线开始大幅漂移，影响使用其的薄膜晶体管的正常使用。 中国专利文献CN102110708A公开了一种有机发光显示器，如图1和2所示，包括 设置在基板上的栅电21极，与栅电极21绝缘的有源层23,与栅电极21绝缘并接触有源层 23的源电极25和漏电极26,在有源层23与源电极25和漏电极26之间的绝缘层24,设置 在有源层23上的光阻挡层29 ;所述光阻挡层29可以直接形成在所述绝缘层24上(见图1 )， 也可以直接设置在钝化层27上(见图2)。所述绝缘层24以无机绝缘材料为主，如SiOx、 SiNx、SiOxNy、A1203、TiO x等，设置在所述有源层23上用以避免源/漏电极层图案化过程中 的刻蚀工艺对有源层23造成损害。所述光阻挡层23由可以阻挡蓝光的材料形成，例如掺 锰的钛酸钡、氮化钛或氧化镍等，用以阻挡所述有机发光显示器发出的短波长的光线以及 外界环境中入射的短波长光线对有源层23的影响，避免金属氧化物半导体的I-V曲线发生 漂移，提商薄I旲晶体管的稳定性，减少广品缺陷。 但所述有机发光显示器中为了保护所述有源层23不受制备过程中后续工艺以及 短波光线的影响，需要在有源层23上设置绝缘层24和光阻挡层29,结构和制作工艺复杂， 大大增加了所述有机发光显示器的生产成本，降低了产品的良品率。 表1多晶硅、金属氧化物半导体、非晶硅薄膜晶体管性能对比【主权项】1. 一种有机发光显示装置，包括： 基板； 薄膜晶体管，包括依次堆叠设置的栅极层、与栅极层绝缘的金属氧化物半导体层、与栅 极层绝缘并接触金属氧化物半导体层的源/漏电极层； 平坦化层，设置薄膜晶体管上； 有机发光二极管，设置在平坦化层上，包括第一电极层、有机层以及第二电极层； 平坦化层中设置有导通第一电极层与源/漏电极层中源极或漏极的通孔； 其特征在于， 所述金属氧化物半导体层上直接设置有第一非晶硅层。2. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一非晶硅层的厚度 为300~1000 A。3. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一非晶硅层至少覆 盖所述金属氧化物半导体层的沟道区域。4. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述平坦化层上还直接设 置有覆盖薄膜晶体管区域的第二非晶硅层。5. 根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二非晶硅层的厚度 为300~1000A,所述第二非晶硅层的任意一侧至少还设置有氧化硅层或氮化硅层中的一 层。6. 根据权利要求1-5任一所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述金属氧化物半 导体包括IGZO、IZ0、ZT0、A1-IZ0、N-IZ0中的一种或多种的组合。7. 根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一电极层和/或第二 电极层为透明或半透明膜层。8. -种权利要求1-7任一所述的有机发光显不装置的制备方法，其特征在于，包括如 下步骤： 51、 在基板上形成栅极层、与栅极层绝缘的金属氧化物半导体层； 52、 在金属氧化物半导体层上直接形成第一非晶硅层，并图案化，使之至 少覆盖金属氧化物半导体层的沟道区域且露出源区和漏区； 53、 在基板上形成覆盖金属氧化物半导体层和栅极层的金属层，并图案化 形成独立的并分别与金属氧化物半导体层的源区和漏区接触连接的源极 和漏极； 54、 在基板上形成覆盖步骤S1-S3形成的各层的平坦化层，并图案化形成 暴露源极或漏极的通孔； 55、 在平坦化层上依次形成第一电极层、有机层和第二电极层，第一电极 层延伸覆盖至通孔的侧壁和底部与源极或漏极接触。9. 根据权利要求8所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S4还包括 在所述平坦化层上直接形成第二非晶硅层的步骤，以及在所述第二非晶硅层的任意一侧至 少形成氧化硅层或氮化硅层中的一层的步骤。10. 根据权利要求8所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S5还包括 在所述第一电极层上形成像素限定层的步骤，所述像素限定层覆盖所述平坦化层和所述第 一电极层，并露出所述第一电极层的部分或全部区域。【专利摘要】本专利技术所述的一种有机发光显示装置，包括基板和设置在基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管，在薄膜晶体管中的金属氧化物半导体层上直接设置有第一非晶硅层。不但能避免源/漏电极层图案化对金属氧化物半导体层产生破坏，而且能有效阻挡紫外线入射到金属氧化物半导体上有效简化了所述有机发光显示装置的结构。同时，本专利技术所述的一种有机发光显示装置的制备方法，仅需要在所述金属氧化物半导体层上设置一层非晶硅层就可以同时达到刻蚀阻挡层和紫外线阻挡的目的，有效简化了制备工艺，提高了产品的良品率和经济效益。【IPC分类】H01L27-32, H01L21-77【公开号】CN104752470【申请号】CN201310749884【专利技术人】卜维亮 【申请人】昆山国显光电有限公司【公开日】2015年7月1日【申请日】2013年12月30日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机发光显示装置，包括：基板；薄膜晶体管，包括依次堆叠设置的栅极层、与栅极层绝缘的金属氧化物半导体层、与栅极层绝缘并接触金属氧化物半导体层的源/漏电极层；平坦化层，设置薄膜晶体管上；有机发光二极管，设置在平坦化层上，包括第一电极层、有机层以及第二电极层；平坦化层中设置有导通第一电极层与源/漏电极层中源极或漏极的通孔；其特征在于，所述金属氧化物半导体层上直接设置有第一非晶硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卜维亮，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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