电子部件及其制法、密封材料糊、填料颗粒制造技术

本发明专利技术提供一种电子部件，其具备至少任一方为透明的两个基板、配置于它们之间的有机构件和设置于上述两个基板的外周部的接合部，上述接合部含有低熔点玻璃和填料颗粒，上述低熔点玻璃含有氧化钒，上述填料颗粒含有低热膨胀材料和以2价的过渡金属为构成元素的氧化物，上述氧化物是分散于上述低热膨胀材料中的结构，上述低热膨胀材料的30～250℃的温度范围的热膨胀系数为5×10-7/℃以下。由此，能够利用激光的照射进行填料颗粒的加热，能够得到具有可靠性高的接合部的电气部件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子部件及其制法、密封材料糊、填料颗粒
本专利技术涉及电子部件及其制法、密封材料糊、填料颗粒。
技术介绍
在至少任一方透明的两个基板之间内装有机元件及有机材料的电子部件中，为了保护这些有机元件及有机材料不受湿气、水分等影响，采用使用树脂的密封材料将两个基板的外周部接合、再在电子部件的内部设置干燥剂等对策。但是，使用树脂的接合的阻气性(气密性)不充分，水分子慢慢浸透，得不到充分的可靠性。另一方面，在含有低熔点玻璃和用于使热膨胀系数与基板匹配的填料颗粒的密封材料的情况下，能够进行阻气性(气密性)高的接合，但需要比树脂的密封材料显著提高接合温度，存在超过内装于电子部件的有机元件及有机材料的耐热性的问题。因此，考虑能够局部地加热的激光密封。该激光密封中，使用能够气密接合的含有低熔点玻璃和低热膨胀的填料颗粒的密封材料。该低熔点玻璃中需要具有吸收透过透明基板照射的激光并升温、软化流动的特性。如果采用这种方法，则由于能够仅进行至少任一方为透明的两个基板的外周部的加热，所以不会给内装于电子部件的有机元件及有机材料带来热的损害，能够进行阻气性(气密性)高的玻璃接合。在内装有机发光二极管(OLED)的显示器等，将在外周部预烧制有密封材料的玻璃基板和形成有另一侧的OLED及配线的玻璃基板合在一起，透过玻璃基板向密封材料照射激光，由此，使密封材料中的低熔点玻璃软化流动，接合两个玻璃基板。专利文献1中公开有在使用密封封装的有机发光二极管显示器中，用于密封封装的材料是含有规定的玻璃和使热膨胀系数降低的锂铝硅酸盐充填剂而成的玻璃料，能够通过激光进行加热熔融。该玻璃料中，含有能够通过激光加热的V-P-Sb-O系低熔点玻璃和用于使热膨胀系数与玻璃基板匹配的充填剂LiAlSiO4(β-锂霞石)。专利文献2开示有通过使用与专利文献1同样的玻璃料，且在氮氛围气中预烧结，防止浸渍耐久性降低的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4540669号公报专利文献2：日本特表2008-527656号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题专利文献1和2中记载的玻璃料没有充分考虑到该玻璃料(密封材料)中所含有的充填剂(填料颗粒)。如果向密封材料照射激光，其中所含有的低熔点玻璃吸收该激光，升温，软化流动，但填料颗粒没有因激光的照射而直接地加热，而是由于升温的低熔点玻璃的热而被加热。如果填料颗粒的加热不充分，则得不到充分的低热膨胀效果，因此，存在具有无法得到与基板的热膨胀系数的匹配、得不到可靠性高的接合部这样的问题。因此，本专利技术的目的在于，得到能够通过激光的照射进行加热的填料颗粒、及含有该填料颗粒的密封材料糊。另外，还在于得到使用这些的接合部的可靠性高的电气部件、及该电气部件的制法。用于解决课题的技术方案为了解决上述问题，本专利技术提供一种电子部件，其特征在于：具备至少任一方为透明的两个基板、配置于它们之间的有机构件和设置于两个基板的外周部的接合部，其中，接合部含有低熔点玻璃和填料颗粒，低熔点玻璃含有氧化钒，填料颗粒含有低热膨胀材和以2价的过渡金属为构成元素的氧化物，该氧化物为分散于低热膨胀材之中的结构，低热膨胀材的30～250℃的温度范围的热膨胀系数为5×10-7/℃以下。专利技术效果根据本专利技术，能够得到具有能够通过激光的照射进行填料颗粒的加热、可靠性高的接合部的电气部件。附图说明图1是表示电子部件的一例的俯视图及其接合部的概略剖面图。图2是表示电子部件的另外一例的俯视图及其接合部的概略剖面图。图3是表示图1的电子部件的制造工序的俯视图及部分剖面图。图4是表示图1的电子部件的制造工序的俯视图及部分剖面图。图5是表示图1的电子部件的制造工序的部分剖面图。图6是表示图2的电子部件的制造工序的俯视图及部分剖面图。图7是表示图2的电子部件的制造工序的立体图。图8是表示图2的电子部件的制造工序的俯视图及部分剖面图。图9是表示图2的电子部件的制造工序的部分剖面图。图10是表示图2的电子部件的制造工序的部分剖面图。图11是表示实施例的填料颗粒的粉碎前后的状态的示意图。图12是表示比较例的填料颗粒的粉碎前后的状态的示意图。图13是表示实施例的填料颗粒的粉碎前后的状态的示意图。图14是表示比较例的填料颗粒的粉碎前后的状态的示意图。图15是表示向压粉成型体的激光照射实验的概略图。图16是表示代表性的低熔点玻璃的通过差热分析(DTA)得到的DTA曲线的一例的图表。图17是表示代表性的低熔点玻璃的热膨胀曲线的一例的图表。图18是表示涂布密封材料糊的状态的概略立体图。图19是表示激光照射的状态的概略剖面图。图20是表示填料颗粒中的Zr2(WO4)(PO4)2含量与热膨胀系数的关系的图表。具体实施方式图1及图2是对于电子部件表示2种类的一例的图。图1是表示最基本的一例的俯视图及其接合部的概略剖面图。如本图的俯视图所示，在构成电子部件的基板1的平面部的中央部设置有有机构件3(例如有机元件、有机材料)。另外，在基板1的平面部的外周部设置有接合部6。如本图的剖面图所示，电子部件是包括两个基板1、2以及夹入它们之间的有机构件3和接合部6的结构。两个基板1、2至少任一方为透明的。有机构件3也可以配置多个。接合部6是含有低熔点玻璃4和大量填料颗粒5的部分。两个基板1、2通过接合部6接合。接合部6是利用激光照射对通过涂布含有填料颗粒5、含有氧化钒的低熔点玻璃颗粒和有机溶剂的密封材料糊并进行干燥、烧制所形成的密封部进行加热而得到的。密封材料是构成密封材料糊的要素，实际上含有填料颗粒和低熔点玻璃的颗粒(低熔点玻璃颗粒)。密封部实际上由密封材料构成。在图2所示的电子部件的情况下，整体的构成与图1所示的电子部件一样，但为了增大两个基板1、2的间隔，加入间隔件7，设置接合部6、6′。图2的电子部件的情况下，两个基板1、2中至少任一方和间隔件7为透明的。接合部6、6′中含有低熔点玻璃4和填料颗粒5。低熔点玻璃4中含有氧化钒。填料颗粒5中分散有含有2价过渡金属的氧化物。满足该条件的低熔点玻璃4和填料颗粒5均具有吸收激光的光线升温的性质。这是因为低熔点玻璃4中的氧化钒和填料颗粒5中的含有2价的过渡金属的氧化物吸收激光的缘故。填料颗粒5中含有低热膨胀材料和含有2价的过渡金属的氧化物，低热膨胀材料主要有助于低热膨胀性，分散于低热膨胀材料中的含有2价的过渡金属的氧化物有助于激光的吸收。但是，对于填料颗粒5，含有2价的过渡金属的氧化物有可能增大填料颗粒5的热膨胀系数，需要考虑其析出量(含量)。即使含有2价的过渡金属的氧化物的析出量少，填料颗粒5因吸收激光而被加热，所以也不需要增加其析出量。即，不太增大填料颗粒5的热膨胀系数，而得到激光吸收性。以往，低熔点玻璃因激光的照射而被加热，软化流动，填料颗粒夺去其热的一部分而间接地加热。本专利技术中，形成为填料颗粒也能够通过激光的照射直接地加热，因此，能够比现有例更高效地加热密封材料，能够不会给有机构件带来热损害地接合两个基板的外周部。由此，能够提高电子部件的可靠性及生产率。作为所使用的激光的波长，优选能够透过透明的基板1同时加热密封材料中的低熔点玻璃4和填料颗粒5双方的400～1100nm的范围。如果波长为400nm以上，则透明基板及其内部的有机构件难以加热及劣化。另一方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件，其特征在于：具备至少任一方为透明的两个基板、配置于它们之间的有机构件和设置于所述两个基板的外周部的接合部，所述接合部含有低熔点玻璃和填料颗粒，所述低熔点玻璃含有氧化钒，所述填料颗粒含有低热膨胀材料和以2价的过渡金属为构成元素的氧化物，所述氧化物为分散于所述低热膨胀材料中的结构，所述低热膨胀材料的30～250℃的温度范围的热膨胀系数为5×10‑7/℃以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.18 JP 2012-2304361.一种电子部件，其特征在于：具备至少任一方为透明的两个基板、配置于它们之间的有机构件和设置于所述两个基板的外周部的接合部，所述接合部含有低熔点玻璃和填料颗粒，所述低熔点玻璃含有氧化钒，所述填料颗粒含有低热膨胀材料和以2价的过渡金属为构成元素的氧化物，所述氧化物为分散于所述低热膨胀材料中的结构，所述低热膨胀材料的30～250℃的温度范围的热膨胀系数为5×10-7/℃以下，所述填料颗粒中的所述低热膨胀材料的含量为80～98质量％，所述低热膨胀材料为Zr2(WO4)(PO4)2。2.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于：所述2价的过渡金属为Mn、Fe、Co、Ni和Cu中的一种以上。3.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于：所述氧化物为MnWO4、FeWO4、CoWO4、NiWO4和CuWO4中的一种以上。4.如权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其特征在于：所述低熔点玻璃为含有V、Te、Fe和P的氧化物玻璃或含有V、Ag和Te的氧化物玻璃。5.如权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其特征在于：相对于所述低熔点玻璃100体积份，所述填料颗粒的含量为10～100体积份。6.一种填料颗粒，其特征在于：含有低热膨胀材料和以2价的过渡金属为构成元素的氧化物，所述氧化物是分散于所述低热膨胀材料中的结构，所述低热膨胀材料的30～250℃的温度范围的热膨胀系数为5×10-7/℃以下，所述填料颗粒中的所述低热膨胀材料的含量为80～98质量％，所述低热膨胀材料为Zr2(WO4)(PO4)2。7.如权利要求6所述的填料颗粒，其特征在于：所述2价的过渡金属为Mn、Fe、Co、Ni和Cu...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤孝，立园信一，吉村圭，桥场裕司，青柳拓也，宫城雅德，儿玉一宗，泽井裕一，藤枝正，塚本武志，村上元，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP