本发明专利技术提供了一种在OCD测量中用于筛选波段的方法，其中，该方法包括以下步骤：a）对于待测结构模型的多个结构参数中的每个结构参数，根据由该结构参数变化而造成相应的光谱上每个波长点的光谱信号偏移量，确定该结构参数在所述每个波长点处的灵敏度；b）根据所述多个结构参数分别在其每个波长点处的灵敏度，筛选一个或多个光谱波段；c)根据筛选出的光谱波段，实现测量光谱与理论光谱数据库的匹配。根据本实施例的方法，可以提高OCD参数测量的信噪比和准确性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学测量
，尤其涉及一种在光学关键尺寸〇⑶（Optical Critical Dimension)测量技术中用于筛选波段的方法和装置。
技术介绍
随着2 X纳米技术节点后摩尔时代的临近，器件的结构尺寸越来越小，新制程 和新材料引入独特的图形设计规则和测量要求，如三维快闪存储器3D (3-Dimens iona 1) Flash、鳍型场效应晶体管FinFET (Fin-Field-Effect-Transistor)、沉浸式光刻、光学 邻近校正 OPC (Optical Proximity Correction)、基于设计的测量 DBM (Design Based Metrology)、双重掩膜DP (Double Patterning)、应变沟道和晶片堆迭通孔技术TSV (Through Silicon Via)等3D器件和新技术的导入，驱动光学关键尺寸0〇) (Optical Critical Dimension)测量技术进一步提升测量准确性和稳定性，以应对愈加微细的工艺 控制需求和尺寸越来越小的器件结构的测量要求。 而在现有的基于散射光谱信号的光学关键尺寸OCD测量设备的设置中，通常使用 宽带光谱的光源。因而用来计算理论光谱的仿真软件的参数设置以及得到的理论光谱与测 量光谱的拟合和评价中，一般也使用相应的宽带光谱的全部数据。虽然这样的方法对提高 信噪比有帮助，但可能不足之一是有不能全面反映待测结构参数在波长维度上的灵敏度差 异，不利于改善OCD测量的信噪比和稳定性，以及测量结果的准确性，因此有必要专利技术一种 新的全面考虑各波长（段）灵敏度因素的筛选波段的方法和装置。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在OCD测量中用于筛选波段的方法和装置，以及一种确 定筛选出的一个或多个光谱波段在光谱拟合时的系数的方法和装置。 根据本专利技术的一个方面，提供一种在OCD测量中用于筛选波段的方法，其中，该方 法包括以下步骤： a对于待测结构模型的多个结构参数中的每个结构参数，根据由该结构参数的变 化而造成的相应光谱上每个波长点的光谱信号偏移量，确定该结构参数在所述每个波长点 处的灵敏度； b根据所述多个结构参数分别在其每个波长点处的灵敏度，筛选一个或多个光谱 波段。 根据本专利技术的另一个方面，提供了一种确定筛选出的一个或多个光谱波段在光谱 拟合时的系数的方法，其中，该方法包括对筛选出的一个或多个光谱波段中的每一个光谱 波段执行以下步骤： I)根据所述多个结构参数分别在该光谱波段的每个波长点处的、未归一化的灵敏 度，获得所述多个结构参数中每个结构参数在该光谱波段内的未归一化的灵敏度； Π )对所述多个结构参数在该光谱波段内的未归一化的灵敏度进行统化处理，确 定该光谱波段的统化后的灵敏度； III)根据该光谱波段的统化后的灵敏度以及全波段的统化后的灵敏度，确定该光 谱波段的统化后的灵敏度与全波段的统化后的灵敏度的比值，并根据所述比值来确定该光 谱波段在光谱拟合时的系数。 根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种在OCD测量中用于筛选波段的波段筛选 装置，其中，该波段筛选装置包括以下装置： 第一确定装置，用于对于待测结构模型的多个结构参数中的每个结构参数，根据 由该结构参数的变化而造成的相应光谱上每个波长点的光谱信号偏移量，确定该结构参数 在所述每个波长点处的灵敏度； 筛选装置，用于根据所述多个结构参数分别在其每个波长点处的灵敏度，筛选一 个或多个光谱波段。 根据本专利技术的另一个方面，提供了一种确定筛选出的一个或多个光谱波段在光谱 拟合时的系数的波段筛选装置，其中，该波段筛选装置还包括对筛选出的一个或多个光谱 波段中的每一个光谱波段执行操作的以下步骤： 第二获取装置，用于根据所述多个结构参数分别在该光谱波段的每个波长点处 的、未归一化的灵敏度，获得所述多个结构参数中每个结构参数在该光谱波段内的未归一 化的灵敏度； 第三确定装置，用于对所述多个结构参数中每个结构参数在该光谱波段内的未归 一化的灵敏度进行统化处理，确定该光谱波段的统化后的灵敏度； 第四确定装置，用于根据该光谱波段的统化后的灵敏度以及全波段的统化后的灵 敏度，确定该光谱波段的统化后的灵敏度与全波段的统化后的灵敏度的比值，并根据所述 比值来确定该光谱波段在光谱拟合时的系数。 与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：1)在给定测量模式下，可通过对待测结构 模型的每个结构参数的灵敏度分析，并结合每个结构参数的统化权重，来筛选符合筛选规 则的一个或多个具有不同灵敏度特征的光谱波段，使得能够结合结构参数在工艺控制中的 重要度以及用户关注度来进行结构参数的灵敏度分析，从而在面向给定的待监控工艺步骤 或待测器件结构的测量任务时，可实现对多个待测结构参数协同考虑，在拟合评价中提升 波长维度的灵活性；2)可结合每个结构参数的统化权重，来确定筛选出的一个或多个光谱 波段的统化后的灵敏度与全波段的统化后的灵敏度之间的比值，从而确定该一个或多个光 谱波段在进行光谱拟合时的系数，使得可以对不同的波长区域在参与拟合评价时的系数进 行针对性的设置，从而能够显著提高OCD测量结果的准确性和稳定性；并且，在理论光谱与 测量光谱的拟合过程中，综合考虑用户对器件结构中不同待测结构参数的关注程度，基于 波长灵敏度分布的权重设置，可改善待测结构参数的拟合值的准确性。因此，面向既定待测 器件结构，对多个待测结构参数协同考虑，在波长维度进行灵活且有针对性的拟合权重设 置，极具有现实意义。【附图说明】 通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它 特征、目的和优点将会变得更明显： 图1为本专利技术的一个优选实施例的在OCD测量中用于筛选波段的方法的流程示意 图； 图2为本专利技术的另一个优选实施例的在OCD测量中用于筛选波段的方法的流程示 意图； 图3为本专利技术的一个优选实施例的在OCD测量中用于筛选波段的波段筛选装置的 结构示意图； 图4为本专利技术的另一个优选实施例的在OCD测量中用于筛选波段的波段筛选装置 的结构不意图； 图5为基于0⑶测量原理进行0⑶测量的流程示意图； 图6为多晶硅待测结构模型示意图； 图7为图6所示的待测结构模型的三种结构参数的灵敏度随波长的分布示意图； 图8为图6所示的待测结构模型的三种结构参数的归一化后的灵敏度随波长的分 布示意图； 图9为取W1=W2=W3=I时图6所示的待测结构模型的三种结构参数的总灵敏度随波 长的分布示意图； 图10为取^=20,^^=2,^^=2时图6所示的待测结构模型的三种结构参数的总灵敏 度随波长的分布示意图。 附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。【具体实施方式】 为更清楚地说明本专利技术的方案，以下先对一种基于光学散射光的OCD测量原理进 行说明： 0⑶测量原理的实现步骤可包括： 1) 0⑶测量设备建立与待测结构的形貌相对应的理论光谱数据库。 该步骤的具体实现方式包括：首先，OCD测量设备根据待测结构的形貌和工艺流 程建立待测结构模型；接着，OCD测量设备对该待测结构模型设置一组描述该模型的参数 进行理论仿真，来获取待测结构相应这组给定的参数的理论光谱；然后，OCD测量设备根据 仿真获取的待测结构的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在OCD测量中用于筛选波段的方法，其中，该方法包括以下步骤：a对于待测结构模型的多个结构参数中的每个结构参数，根据由该结构参数的变化而造成的相应光谱上每个波长点的光谱信号偏移量，确定该结构参数在所述每个波长点处的灵敏度；b根据所述多个结构参数分别在其每个波长点处的灵敏度，筛选一个或多个光谱波段。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，张振生，施耀明，徐益平，
申请(专利权)人：睿励科学仪器上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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