一种低压四相位电荷泵升压电路制造技术

本发明专利技术是一种低压四相位电荷泵升压电路，该电路以PMOS晶体管作为电荷传输管和辅助电荷传输管并与通过NMOS晶体管输入的四相位时钟信号同步，相对于预定电位产生升高电压，该电路包括以升压电路以N级形式互相串联连接形成的升压电路组、时钟电路和前置电路。采用本发明专利技术技术方案，结构简单、成本低，通过其电路结构使得该电荷泵电路受衬偏效应导致的阈值电压上升的影响较小，有效的提高了电荷泵电路的工作效率，并且输出电压纹波较小，特别适用于SoC低压片上系统的电压抬升电路。

【技术实现步骤摘要】
一种低压四相位电荷泵升压电路
本实施例涉及电荷泵电路领域，具体涉及一种在Flash嵌入式快速闪存存储器中用于提供编程、擦写操作所需的高电压的电压抬升电路。
技术介绍
随着微电子技术的不断发展，嵌入式快速闪存得到高速发展，在人们的日常生活中已经得到广泛的应用，例如公交收费系统、物流管理、人员的安全监控以及生产过程的控制和超市的商品管理等，射频识别技术已经深入到人们生活的方方面面。Flash嵌入式快速闪存存储器主要由存储区，地址译码器和控制逻辑和电荷泵等电源系统组成，其中电荷泵电路为存储器的编程、擦写操作提供高电压。随着当前SoC片上系统低功耗能力的不断发展，系统电源电压不断降低。而存储器的编程擦写操作所需的高电压并未降低。因此，必须有效的提高电荷泵的电压抬升能力即提高电压增益。但是由此引发的由于MOS管的衬偏效应的影响，导致MOS管的阈值电压不断上升，降低电荷泵的电压抬升效率，难以产生编程、擦写操作所需要的高电压。为了能够有效的降低MOS衬偏效应的影响，近年来很多学者提出了新型的MOS电荷泵电路。WuJT,ChangKL两人在其论文WuJT,ChangKL.MOSchargepumpf本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压四相位电荷泵升压电路，该电路以PMOS晶体管作为电荷传输管和辅助电荷传输管并与通过NMOS晶体管输入的四相位时钟信号同步，相对于预定电位产生升高电压，其特征在于，包括：升压电路组，其为升压电路以N级形式互相串联连接，N是2或更大的整数；所述升压电路包括两个分别作为作为电荷传输管和辅助电荷传输管的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管、以及由第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管构成的衬底电压调节电路，其中，第一PMOS晶体管的源极S、第二PMOS晶体管的漏极D、第三PMOS晶体管的栅极G和第四PMOS晶体管的栅极G互相连接并在连接处形成前端节点N，所述第一PMOS晶体管的漏极D、第二P...

【技术特征摘要】
1.一种低压四相位电荷泵升压电路，该电路以PMOS晶体管作为电荷传输管和辅助电荷传输管并与通过NMOS晶体管输入的四相位时钟信号同步，相对于预定电位产生升高电压，其特征在于，包括：升压电路组，其为升压电路以N级形式互相串联连接，N是2或更大的整数；所述升压电路包括两个分别作为电荷传输管和辅助电荷传输管的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管、以及由第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管构成的衬底电压调节电路，其中，第一PMOS晶体管的源极S、第二PMOS晶体管的漏极D、第三PMOS晶体管的栅极G和第四PMOS晶体管的栅极G互相连接并在连接处形成前端节点N，所述第一PMOS晶体管的漏极D、第二PMOS晶体管的源极S、第三PMOS晶体管的漏极D和第四PMOS晶体管的源极S互相连接并在连接处形成后端节点E，所述第二PMOS晶体管的栅极G连接后端节点E，所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管的衬底引出电极B并且互相连接形成衬底节点A，所述第四PMOS晶体管的漏极D连接衬底节点A，所述第一PMOS晶体管的栅极G与第三PMOS晶体管的源极S相互连接；所述升压电路中的后端节点E与下一级升压电路中的前端节点N连接形成N级串联形式的升压电路组；时钟电路，其包括具有不同相位的4种时钟信号Clk1p、Clk2p、Clk3p和Clk4...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世安，
申请(专利权)人：苏州芯宽电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32