整合水分去除与干燥的处理设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种整合水分去除与干燥的处理设备，包括：一处理室，用以在同一工艺内完成晶片表面的水分去除及干燥；一溶剂供给回收单元，经由一循环管线连接至所述处理室；一气体供给单元，经由一进气管线连接至所述处理室；一控制单元，与所述处理室、所述溶剂供给回收单元及所述气体供给单元电性连结。采用本实用新型专利技术的整合水分去除与干燥的处理设备，可以大幅降低生产成本并缩短工艺时间。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶片表面的处理技术，特别是指一种整合水分去除与干燥的处理设备。
技术介绍
在次微米或深次微米的晶片工艺中，举凡薄膜的沉积、高温炉管的热扩散或热氧化、或蚀刻后的晶片表面处理等步骤，通常都需要用到许多高纯度的化学品来清洗，随后再用高纯度的去离子水来洗涤，而且经去离子水洗涤后的晶片在进行下一道工艺之前必须去除表面水分并予以干燥，以避免晶片受到污染。晶片的污染源一般可分为两大类:一种是微粒子，微粒子的污染源包括硅屑、石英屑、空气、灰尘、操作人员和工艺机台的飞尘、以及光致抗蚀剂、细菌等；另一种是膜，膜污染主要是圆上的异物(foreign material, FM)所引起，除此之外还包括有机溶剂残留物(如丙酮、三氯乙烯、异丙醇、甲醇、二甲苯)、光阻显影剂、以及油膜、金属膜等。弘塑公司所拥有的专利(TW 588434)提供一种晶片水分去除装置，其包括一蚀刻处理槽、一纯水溢流槽、一溶剂槽与一干燥槽。蚀刻处理槽用以蚀刻去除光阻膜，纯水溢流槽用以清洗蚀刻用的化学液，溶剂槽内可置入经去离子水洗涤后的整批晶片，其中溶剂可取代晶片表面的水分，干燥槽则用以使溶剂蒸发而达到干燥目的。进一步而言，所述晶片水分去除装置在实际使用时，溶剂槽内的溶剂需要定期做更换以避免因溶剂中的水分蒸发而造成浓度改变，从而影响到晶片表面的水分去除，惟溶剂的消耗在生产成本中占有相当大的比重。另外，于更换溶剂，通常需要先将溶剂槽内原来的旧溶剂排空，然后清洗溶剂槽以避免污染新溶剂；然而，所述晶片水分去除装置在此情况下无法有效执行晶片水分去除作业而闲置下来，此浪费的闲置时间会延长工艺所需时程。此外，由于待处理晶片必须先于溶剂槽内将水分去除，之后才被搬送到干燥槽内将溶剂蒸发，此浪费的传输时间也会延长工艺所需时程，因而降低产出速率。因此，本专利技术人有鉴于常用的晶片水分去除装置实在有其改良的必要性，遂以其多年从事相关领域的技术设计及专业制造经验，在各方条件的审慎考量下终于开发出本技术。
技术实现思路
本技术针对现有技术存在的缺失，主要目的在于提供一种整合水分去除与干燥的处理设备，其能够以较低的工艺成本达到更佳的洗净及晶片表面的干燥效果。为实现上述目的及功效，本技术采用以下技术方案:一种整合水分去除与干燥的处理设备，其包括一处理室、一溶剂供给回收单元、一气体供给单元及一控制单元。其中，所述处理室用以在同一工艺内完成晶片上的水分去除及晶片干燥；所述溶剂供给回收单元经由一循环管线连接至所述处理室；所述气体供给单元经由一进气管线连接至所述处理室；所述控制单元与所述处理室、所述溶剂供给回收单元及所述气体供给单元电性连结，用以在置入经高洁净水清洗后的至少一晶片于所述处理室内后，控制所述溶剂供给回收单元将一溶剂供应于所述处理室以置换至少一所述晶片上残留的水分，等待一段时间后控制所述溶剂供给回收单元将所述溶剂予以回收，然后在所述溶剂缓慢排出所述处理室的同时或在所述溶剂完全排出所述处理室后，控制所述气体供给单元供应一干燥气体于所述处理室以去除至少一所述晶片上残留的溶剂。在本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的一个实施方式中，所述整合水分去除与干燥的处理设备还包括至少一溶剂预备单元，至少一所述溶剂预备单元经由一预备管线连接至所述处理室。在本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的另一个实施方式中，所述溶剂供给回收单元内设有一含水率感测器。在本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的另一个实施方式中，所述整合水分去除与干燥的处理设备还包括一震荡单元，所述震荡单元设置于所述处理室的底部或周缘。在本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的另一个实施方式中，所述震荡单元为一超声波装置。在本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的另一个实施方式中，所述震荡单元包含多个振动器。在本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的另一个实施方式中，所述处理室具有一注入端及一相对于所述注入端的排出端，所述循环管线包括一溶剂供给管及一溶剂排出管，所述溶剂供给管接设于所述注入端与所述溶剂供给回收单元之间，所述溶剂排出管接设于所述排出端与所述溶剂供给回收单元之间。在本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的另一个实施方式中，所述排出端设有至少一快排阀件。在本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的另一个实施方式中，所述溶剂供给回收单元还经由一主进料管与一溶剂供应端相接。在本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的另一个实施方式中，所述气体供给单元还经由所述进气管线连接至一干燥气体供应端。本技术与现有技术相比，具有明显的优点与有益效果如下:本技术通过处理室、溶剂供给回收单元与气体供给单元之间形成的特定连结关系，可以在同一处理空间内及同一工艺步骤中来完成晶片表面的水分去除及干燥处理，进而可以有效缩短工艺时间。再者，溶剂供给回收单元可回收排放出处理室外的溶剂，并在回收溶剂的含水率不高的情况下再次将其供应至处理室进行重复利用，以此方式来减少生产成本。本技术的其他目的和优点可以从本技术所公开的技术特征得到进一步的了解。为了让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例并配合所附附图作详细说明如下。【附图说明】图1为本技术第一实施例的整合水分去除与干燥的处理设备的结构示意图。图2为本技术第一实施例的整合水分去除与干燥的处理设备的使用状态示意图。图3为本技术的处理室的侧视角示意图。图4为本技术的处理室的下视角示意图。图5为本技术第二实施例的整合水分去除与干燥的处理设备的结构示意图。图6为根据本技术的整合水分去除与干燥的处理设备的半导体晶片的处理方法的流程示意图。其中，附图标记说明如下:100处理设备I处理室11处理室本体 111注入端112排出端113快排阀件12 封盖13处理空间2溶剂供给回收单元20循环管线21溶剂供给管22溶剂排出管23主进料管24溶剂供应端25含水率感测器3气体供给单元30进气管线31进气管32输气管33干燥气体供应端34配管用加热器4控制单元5震荡单元6溶剂预备单元60预备管线61预备进料管62预备出料管200工艺装置300清洗装置W 晶片C晶片载具【具体实施方式】本技术从缩当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整合水分去除与干燥的处理设备，其特征在于，所述整合水分去除与干燥的处理设备包括：一处理室，用以在同一工艺内完成晶片上的水分去除及晶片干燥；一溶剂供给回收单元，经由一循环管线连接至所述处理室；一气体供给单元，经由一进气管线连接至所述处理室；及一控制单元，与所述处理室、所述溶剂供给回收单元及所述气体供给单元电性连结，用以在置入经高洁净水清洗后的至少一晶片于所述处理室内后，控制所述溶剂供给回收单元将一溶剂供应于所述处理室以置换至少一所述晶片上残留的水分，等待一段时间后控制所述溶剂供给回收单元将所述溶剂予以回收，然后在所述溶剂缓慢排出所述处理室的同时或在所述溶剂完全排出所述处理室后，控制所述气体供给单元供应一干燥气体于所述处理室以去除至少一所述晶片上残留的溶剂。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄立佐，吴进原，姜瑞丰，叶荫晟，
申请(专利权)人：弘塑科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71