本实用新型专利技术公开了一种太阳能背钝化电池的上镀膜载板，它包括载板本体，载板本体具有多个和硅片相匹配并用于放置硅片的下沉式凹槽，在下沉式凹槽的底边上设置有与硅片的正面形成点接触的点接触支撑体和/或与硅片的正面形成线接触的线接触支撑体。本实用新型专利技术可以实现硅片正面与其点接触或线接触，有效避免硅片正面的污染造成失效的现象。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能背钝化电池的上镀膜载板。
技术介绍
目前，现有技术的太阳能背钝化电池是在背面形成一层AlOx钝化膜，采用上镀膜方式进行沉积，完成清洗后的硅片放在石墨框上，背面朝上、正面紧贴着石墨载板，由于硅片正面经过化学溶液清洗，如果正面长时间接触石墨框表面，会造成清洗后的表面沾污，从而破坏PN结、电池片反向漏电增大，造成电池片失效的现象。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种太阳能背钝化电池的上镀膜载板，它可以实现硅片正面与其点接触或线接触，有效避免硅片正面的污染造成失效的现象。为了解决上述技术问题，本技术的技术方案是:一种太阳能背钝化电池的上镀膜载板，它包括载板本体，载板本体具有多个和硅片相匹配并用于放置硅片的下沉式凹槽，在下沉式凹槽的底边上设置有与硅片的正面形成点接触的点接触支撑体和/或与硅片的正面形成线接触的线接触支撑体。进一步，载板本体由石墨材料制成。进一步，下沉式凹槽的四个底边的中心上分别设置有一个点接触支撑体；或者是，所述的下沉式凹槽的四个底边的中心上分别设置有一个线接触支撑体。进一步，点接触支撑体的支撑点的直径为2mm，高度为4mm。进一步，所述的线接触支撑体的支撑截面为长方形结构，并且支撑截面的长为5mm，宽为I?2mm，线接触支撑体的高度为4mm。进一步，下沉式凹槽为阵列状结构。进一步，载板本体上下沉式凹槽的布置为六行六列结构或五行六列结构或五行七列结构。采用了上述技术方案后，本技术在下沉式凹槽内的底边上设置有点接触支撑体和/或线接触支撑体，它实现了硅片的正面与石墨载板的点接触或线接触，避免了硅片正面的污染，可有效提高背钝化电池的并联电阻，降低反向漏电流及电池失效比例。【附图说明】图1为本技术的太阳能背钝化电池的上镀膜载板的第一种结构的结构示意图；图2为图1中的A部放大图；图3为本技术的太阳能背钝化电池的上镀膜载板的第二种结构的结构示意图；图4为图3的B部放大图。【具体实施方式】为了使本技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明。实施例一如图1?2所示，一种太阳能背钝化电池的上镀膜载板，它包括载板本体1，载板本体I具有多个和硅片相匹配并用于放置硅片的下沉式凹槽11，在下沉式凹槽11的底边上设置有与硅片的正面形成点接触的点接触支撑体12。载板本体I由石墨材料制成。如图2所示，下沉式凹槽11的四个底边的中心上分别设置有一个点接触支撑体12 ;但是不限于此；点接触支撑体12的支撑点的直径为2mm，高度为4mm，但不限于此。下沉式凹槽11为阵列状结构，可以为六行六列结构或五行六列结构或五行七列结构，但不限于此。点接触支撑体12上表面与载板本体I上表面间的高度可根据硅片厚度进行调节。实施例二如图3?4所示，一种太阳能背钝化电池的上镀膜载板，它包括载板本体1，载板本体I具有多个和硅片相匹配并用于放置硅片的下沉式凹槽11，在下沉式凹槽11的底边上设置有与硅片的正面形成线接触的线接触支撑体13。载板本体I由石墨材料制成。如图4所示，下沉式凹槽11的四个底边的中心上分别设置有一个线接触支撑体13ο线接触支撑体13的支撑截面为长方形结构，并且支撑截面的长为5mm，宽为I?2mm，线接触支撑体13的高度为4mm。下沉式凹槽11为阵列状结构，可以为六行六列结构或五行六列结构或五行七列结构，但不限于此。线接触支撑体13上表面与载板本体I上表面间的高度可根据硅片厚度进行调节。本技术的工作原理如下:本技术在下沉式凹槽11内的底边上设置有点接触支撑体12和/或线接触支撑体13，它实现了硅片的正面与石墨载板的点接触或线接触，避免了硅片正面的污染，可有效提高背钝化电池的并联电阻，降低反向漏电流及电池失效比例。以上所述的具体实施例，对本技术解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种太阳能背钝化电池的上镀膜载板，其特征在于，它包括载板本体(I)，载板本体(I)具有多个和硅片相匹配并用于放置硅片的下沉式凹槽(11)，在下沉式凹槽(11)的底边上设置有与硅片的正面形成点接触的点接触支撑体(12)和/或与硅片的正面形成线接触的线接触支撑体(13)。2.根据权利要求1所述的太阳能背钝化电池的上镀膜载板，其特征在于:所述的载板本体(I)由石墨材料制成。3.根据权利要求1所述的太阳能背钝化电池的上镀膜载板，其特征在于:所述的下沉式凹槽(11)的四个底边的中心上分别设置有一个点接触支撑体(12);或者是，所述的下沉式凹槽(11)的四个底边的中心上分别设置有一个线接触支撑体(13)。4.根据权利要求1或2或3所述的太阳能背钝化电池的上镀膜载板，其特征在于:所述的点接触支撑体(12)的支撑点的直径为2_，高度为4_。5.根据权利要求1或2或3所述的太阳能背钝化电池的上镀膜载板，其特征在于:所述的线接触支撑体(13)的支撑截面为长方形结构，并且支撑截面的长为5mm，宽为I?2mm，线接触支撑体(13)的高度为4_。6.根据权利要求1或2所述的太阳能背钝化电池的上镀膜载板，其特征在于:所述的下沉式凹槽(11)为阵列状结构。7.根据权利要求6所述的太阳能背钝化电池的上镀膜载板，其特征在于:所述的载板本体(I)上下沉式凹槽(11)的布置为六行六列结构或五行六列结构或五行七列结构。【专利摘要】本技术公开了一种太阳能背钝化电池的上镀膜载板，它包括载板本体，载板本体具有多个和硅片相匹配并用于放置硅片的下沉式凹槽，在下沉式凹槽的底边上设置有与硅片的正面形成点接触的点接触支撑体和/或与硅片的正面形成线接触的线接触支撑体。本技术可以实现硅片正面与其点接触或线接触，有效避免硅片正面的污染造成失效的现象。【IPC分类】H01L31-18【公开号】CN204424296【申请号】CN201520116952【专利技术人】李慧 【申请人】常州天合光能有限公司【公开日】2015年6月24日【申请日】2015年2月26日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能背钝化电池的上镀膜载板，其特征在于，它包括载板本体(1)，载板本体(1)具有多个和硅片相匹配并用于放置硅片的下沉式凹槽(11)，在下沉式凹槽(11)的底边上设置有与硅片的正面形成点接触的点接触支撑体(12)和/或与硅片的正面形成线接触的线接触支撑体(13)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李慧，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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