本发明专利技术公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。这种有机电致发光器件的电子注入层的材料为电子传输材料、噻吩类化合物和空穴掺杂客体材料的混合物，电子传输材料选择玻璃化转变温度在50℃～100℃之间的易结晶的电子传输材料，可提高电子的传输速率并且容易结晶，结晶后晶体排列有序，可加强光的散射，使向两侧发射的光散射回到中间出射，提高出光效率。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。本发明专利技术还公开了上述有机电致发光器件的制备方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种。
技术介绍
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。1V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。在传统的有机电致发光领域中，电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级，因而极易造成激子复合几率的低下，并且使其复合的区域不在发光区域，从而导致发光效率降低。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件。—种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述电子注入层的材料为质量比为15?30:0.3?1.5:0.1的电子传输材料、噻吩类化合物和空穴掺杂客体材料的混合物；所述电子传输材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、2-(4’-叔丁苯基)-5_ (4’_联苯基)-1, 3，4-恶二唑、2，9- 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或2，2’ -(1，3-苯基)二；所述噻吩类化合物为3-甲基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩；所述空穴掺杂客体材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺或二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯二胺。在一个实施例中，所述电子注入层的厚度为15nm?70nm。在一个实施例中，所述阳极为铟锡氧化物薄膜、掺铝的氧化锌薄膜或掺铟的氧化锌薄膜，所述阳极的厚度为50nm?300nm。在一个实施例中，所述空穴注入层的材料为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm?80nm。在一个实施例中，所述空穴传输层的材料为1，1-二 苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)4，^ -二苯基-4，4’ -联苯二胺,所述空穴传输层的厚度为20nm?60nm,在一个实施例中，所述发光层的材料为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -联苯或8-轻基喹啉招,所述发光层的厚度为5nm?40nm。在一个实施例中，所述电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑,所述电子传输层的厚度为40nm?250nm。在一个实施例中，所述阴极的材料为Ag、Al、Pt或Au，所述阴极的厚度为80nm?250nmo一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:对基底进行表面预处理；在所述基底上磁控溅射制备阳极；在所述阳极上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述电子注入层的材料为质量比为15?30:0.3?1.5:0.1的电子传输材料、噻吩类化合物和空穴掺杂客体材料的混合物，所述电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、2- (4’ -叔丁苯基)-5- (4’ -联苯基)-1, 3，4-恶二唑、2，9- 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或2，2’-(I, 3-苯基)二 ，所述噻吩类化合物为3-甲基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述空穴掺杂客体材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺或二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯二胺；以及在所述电子注入层上蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。在一个实施例中，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为 lW/cm2 ?40W/cm2 ；蒸镀过程中，工作压强为2 X 10_3?5 X 10_5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1?Inm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为I?10nm/s。这种有机电致发光器件的电子注入层的材料为质量比为15?30:0.3?1.5:0.1的电子传输材料、噻吩类化合物和空穴掺杂客体材料的混合物，电子传输材料选择玻璃化转变温度在50°C?100°C之间的易结晶的电子传输材料，可提高电子的传输速率并且容易结晶，结晶后晶体排列有序，可加强光的散射，使向两侧发射的光散射回到中间出射，提高出光效率；噻吩化合物链段规整、有序，有利于载流子的传输，同时，加入后可提高结晶分子的链段规整性，有利于光的散射；空穴掺杂客体材料的HOMO能级很低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，有利于提高发光效率。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。【附图说明】图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；图3为实施例1和对比例制备得到的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。如图1所不的一实施方式的有机电致发光器件,包括依次层叠的如下结构:基底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层60、电子注入层70和阴极80。基底10为玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的应用领域，也可以选用特殊工艺加工制作的特种玻璃。阳极20可以为铟锡氧化物薄膜(ΙΤ0)、掺铝的氧化锌薄膜(AZO)或掺铟的氧化锌薄膜(ΙΖ0)，阳极20的厚度为50nm?300nm。在一个较优的实施例中，阳极20为铟锡氧化物薄膜(ΙΤ0)，阳极20的厚度为120nm。空穴注入层30的材料可以为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)0空穴注入层30的厚度可以为20nm?80nm。在一个较优的实施例中，空穴注入层30的材料为三氧化钥(MoO3),空穴注入层30的厚度为24nm。空穴传输层40的材料可以为I, 1- 二 苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基_4，4’-联苯二胺(NPB)，空穴传输层40的材料可以为20nm?60nm。在一个较优的实施例中，空穴传输层40的材料为NPB，空穴传输层40的材料为37nm。发光层50的材料可以为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3),发光层50的厚度可以为5nm?40nm。在一个较优的实施例中，发光层50的材料为BCzVBi，发光层50的厚度为21nm本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述电子注入层的材料为质量比为15～30：0.3～1.5：0.1的电子传输材料、噻吩类化合物和空穴掺杂客体材料的混合物；所述电子传输材料为4,7‑二苯基‑1,10‑菲罗啉、2‑(4'‑叔丁苯基)‑5‑(4'‑联苯基)‑1,3,4‑恶二唑、2,9‑二甲基‑4,7‑联苯‑1,10‑邻二氮杂菲或2,2'‑(1,3‑苯基)二[5‑(4‑叔丁基苯基)‑1,3,4‑恶二唑]；所述噻吩类化合物为3‑甲基噻吩、3‑甲基噻吩、3‑辛基噻吩或3‑十二烷基噻吩；所述空穴掺杂客体材料为2,3,5,6‑四氟‑7,7,8,8,‑四氰基‑对苯二醌二甲烷、4,4,4‑三（萘基‑1‑苯基‑铵）三苯胺或二萘基‑N,N′‑二苯基‑4,4′‑联苯二胺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，黄辉，陈吉星，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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