一种多晶硅还原调功电源及其电气控制系统技术方案

一种60对棒多晶硅还原调功电源，包括变压器、功率柜、隔离柜、控制柜；变压器，原边连接三相电网，副边分别连接至三台功率柜，为功率柜提供电源；每台功率柜包括三组电源，1组为4对硅芯供电，另2组各为8对硅芯供电；三台调功柜共9组电源对60对硅芯供电；控制柜包括DSP控制器和PLC单元，集中监控还原调功变压器、功率柜以及隔离柜内的所有开关量和模拟量信号。在减少生产成本、降低能耗的同时，无需另加补偿设备，可提高多晶硅产品质量、减低消耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅还原调功电源及控制系统，具体说是一种60对棒多晶硅还原调功电源及其电气控制系统。
技术介绍
由于多晶硅行业属于高能耗行业，因此，如何降低多晶硅生产的成本已经成为多晶硅行业发展的的重点。增加多晶硅还原炉的硅棒对数是目前经常采用的方法。但目前多晶硅还原调功电源及其电气控制系统存在以下缺点：一是，为了提高产能目标，但由于技术的缺陷，并未采用提高还原炉中的硅棒对数，而是通过增加还原调功电源的数量来提高企业的产能。多晶硅生产属于高能耗行业，简单的增加还原调功电源的数量势必会导致更大的成本；二是，众多企业的DSP控制系统还是采用普通控制方式，全程功率因数较低，谐波污染大；三是，DSP控制系统检测到某相硅棒瞬间出现较大裂纹时，此时控制系统检测到电流反馈骤减，为了维持当前的电流给定值，DSP控制系统会在毫秒级时间将脉冲退回电压最高档，而此时电压最高档的晶闸管功率器件电流等级最小，瞬间的较大电流就会损坏当前电流等级较小的晶闸管功率器件。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷，本专利技术公开一种多晶硅还原调功电源及其电气控制系统，旨在提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种60对棒多晶硅还原调功电源，包括一台变压器、三台功率柜、三台隔离柜、一台控制柜；所述变压器，原边连接三相电网，副边分别连接至三台功率柜，为功率柜提供电源；所述功率柜，其输入与变压器的输出连接，其输出分别与隔离柜的输入连接；每台功率柜包括三组电源，1组为4对硅芯供电，另2组各为8对硅芯供电；三台调功柜共9组电源对60对硅芯供电；所述隔离柜，每台隔离柜包括3个2极断路器、2个4极接触器，3个5极接触器，共8个开关；隔离柜开关输入与功率柜的输出连接，输出连接至还原炉底的硅芯；以上开关根据不同的硅芯生长阶段互相连锁，由控制柜统一控制；所述控制柜，包括DSP控制器和PLC单元，集中监控还原调功变压器...

【技术特征摘要】
1.一种60对棒多晶硅还原调功电源，包括一台变压器、三台功率柜、
三台隔离柜、一台控制柜；
所述变压器，原边连接三相电网，副边分别连接至三台功率柜，为功率
柜提供电源；
所述功率柜，其输入与变压器的输出连接，其输出分别与隔离柜的输入
连接；每台功率柜包括三组电源，1组为4对硅芯供电，另2组各为8对硅芯供
电；三台调功柜共9组电源对60对硅芯供电；
所述隔离柜，每台隔离柜包括3个2极断路器、2个4极接触器，3个5极接
触器，共8个开关；隔离柜开关输入与功率柜的输出连接，输出连接至还原炉
底的硅芯；以上开关根据不同的硅芯生长阶段互相连锁，由控制柜统一控制；
所述控制柜，包括DSP控制器和PLC单元，集中监控还原调功变压器、功
率柜以及隔离柜内的所有开关量和模拟量信号。
2.如权利要求1所述60对棒多晶硅还原调功电源，其特征在于，三相电
与60对多晶硅棒对应关系是：三相电A、B、C中每相对应20对多晶硅芯；再
将每相20对多晶硅芯分为4对、8对、8对三路，即第1路为4对多晶硅芯，第2
路为8对多晶硅芯，且第2路分为两组，每组各4对多晶硅芯；第3路与第2路相
同；其中运行方式是：第1路单独运行，第2路的两组，在硅芯生长的前期两
组并联运行，分别由两组电源供电，当电流、电压达到一定值时，再将两组
并联运行切换为8对多晶硅芯串联运行，并由一组电源供电，直至全部多晶硅
芯生长完成；第3路与第2路的运行相同。
3.如权利要求1所述60对棒多晶硅还原调功电源，其特征在于，功率柜
和隔离柜以及变压器每一相一一对应，进出线母排相互靠近。
4.一种如权利要求1、2或3所述还原调功电源的电气控制系统，包括：
DSP控制器和PLC单元，其中，DSP控制器采用电流闭环控制算法输出脉冲触发
晶闸管功率器件，控制功率柜每相各档位叠层平滑输出；PLC单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨力，郑炳鑫，徐克峰，麻艳红，郝平勇，
申请(专利权)人：北京京仪椿树整流器有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11