【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电能放大装置,特别是涉及一种磁电放大装置。
技术介绍
参见图1所示,现有的变压器,例如一种由E型铁心及I型铁心组成的变压器1,其上的初级线圈11与次级线圈12是以紧实耦合(tightcoupling)方式绕设于铁心上,且由于现有的铁心通常由单一材料制成,先天的材料特性限制使得铁心之间需保留气隙以避免磁饱和,但也因此产生负磁性阻尼效应,使得其输出能量小于输入能量,即增益值永远小于1,且输出端OUT的反电动势会直接冲击输入端IN,涡电流损失大,因此即使变压器1的转换效率再高,亦只能做电能的传递或转移。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种借由开关具有正磁性阻尼效应的开关磁阻式变压器,使得其输出能量大于输入能量的磁电放大装置。本专利技术磁电放大装置,接受一直流电源输入,并包括至少一开关磁阻式变压器、至少一阻尼电容及一开关电路。其中该开关磁阻式变压器包含一铁心单元及至少一线圈,该铁心单元概呈「日」形且由至少一种铁心材料组成而同时具有电感性与电容性,且该线圈与该铁心单元松散耦合地绕设于该铁心单元,该阻尼电容与该线圈电耦接而共同构成一谐振电路,该开关电路与该直流电源及该线圈电耦接,并控制该直流电源与该线圈导通而对该线圈激磁,使该铁心单元达到磁饱和,再控制该直流电源与该线圈不导通,使该铁心单元因磁饱和而产生磁场换相并产生一涡电流流过该谐振电路,使该阻尼电容储能。较佳地 ...
【技术保护点】
一种磁电放大装置,接受一直流电源输入,其特征在于:该磁电放大装置包括:至少一开关磁阻式变压器,其包含一铁心单元及至少一线圈,该铁心单元概呈「日」形且由至少一种铁心材料组成而同时具有电感性与电容性,且该线圈与该铁心单元松散耦合地绕设于该铁心单元;至少一阻尼电容,与该线圈电耦接而共同构成一谐振电路;及一开关电路,与该直流电源及该线圈电耦接,并控制该直流电源与该线圈导通而对该线圈激磁,使该铁心单元达到磁饱和,再控制该直流电源与该线圈不导通,使该铁心单元因磁饱和而产生磁场换相并产生一涡电流流过该谐振电路,使该阻尼电容储能。
【技术特征摘要】
1.一种磁电放大装置,接受一直流电源输入,其特征在于:
该磁电放大装置包括:
至少一开关磁阻式变压器,其包含一铁心单元及至少一线圈,
该铁心单元概呈「日」形且由至少一种铁心材料组成而同时具有电
感性与电容性,且该线圈与该铁心单元松散耦合地绕设于该铁心单
元;
至少一阻尼电容,与该线圈电耦接而共同构成一谐振电路;及
一开关电路,与该直流电源及该线圈电耦接,并控制该直流电
源与该线圈导通而对该线圈激磁,使该铁心单元达到磁饱和,再控
制该直流电源与该线圈不导通,使该铁心单元因磁饱和而产生磁场
换相并产生一涡电流流过该谐振电路,使该阻尼电容储能。
2.根据权利要求1所述的磁电放大装置,其特征在于:该铁心
单元包含一个同时具有电感性与电容性,且概呈「口」形的PN半导
体型铁心,及一个设于该PN半导体型铁心内部或侧边的永久磁铁,
且该开关磁阻式变压器的线圈绕设于该PN半导体型铁心上。
3.根据权利要求2所述的磁电放大装置,其特征在于:该开关
电路包含一端与该线圈一端电耦接且另一端与该直流电源的正端电
耦接的一上开关,一端与该线圈的另一端电耦接且另一端与该直流
电源的负端电耦接的一下开关,一反向电耦接在该线圈与该上开关
的一接点和该直流电源的负端间的第一二极管,及一反向电耦接在
该线圈与该下开关的一接点和该直流电源的正端间的第二二极管,
且该上开关及下开关被同时导通或不导通。
4.根据权利要求2或3所述的磁电放大装置,其特征在于:该
PN半导体型铁心是一固态电感器。
5.根据权利要求1所述的磁电放大装置,其特征在于:该铁心
单元包含概呈「口」形且重叠设置的一个具有电感性的锰-锌铁心及
一个具有电容性的镍-锌铁心,以及一个夹设于该锰-锌铁心及该镍-
锌铁心间的永久磁铁,且该开关磁阻式变压器的线圈绕设于该锰-
锌铁心及该镍-锌铁心相重叠的一侧边上。
6.根据权利要求5所述的磁电放大装置,其特征在于:该开关
\t电路包含两个与该直流电源并联的桥臂,每一桥臂具有一上开关、
一下开关以及分别与该上开关及该下开关反向并联的两个飞轮二极
管,且该线圈的两端分别电耦接在两个桥臂的上开关与下开关的一
接点,且其中一桥臂的上开关及另一桥臂的下开关导通时,其中一
桥臂的下开关及另一桥臂的上开关不导通,反之,其中一桥臂的下
开关及另一桥臂的上开关导通时,其中一桥臂的上开关及另一桥臂
的下开关不导通。
7.根据权利要求1所述的磁电放大装置,其特征在于:该铁心
单元包含具有电容性且概呈「日」形的一第一硅钢片组及一第二硅
钢片组,以及一个具有电感性且概呈「日」形的一非晶质铁心,其
中该第一硅钢片组与该第二硅钢片组分别固...
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