液晶显示装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置
本专利技术涉及显示装置，尤其是涉及即使是高精细画面中透过率的减少较小，且像素缺陷较少的液晶显示装置。
技术介绍
在液晶显示装置中，配置有TFT衬底和对置衬底，在TFT衬底与对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底中具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素形成为矩阵状，所述对置衬底与所述TFT衬底相对，在与TFT衬底的像素电极对应的位置上形成有彩色滤光片等。然后按每个像素控制基于液晶分子的光的透过率，从而形成图像。由于液晶显示装置为平板式(flat)且轻量，所以在各式各样的领域中用途广泛。在移动电话或智能手机、DSC(DigitalStillCamera:数码照相机)等便携信息终端中，小型液晶显示装置被广泛使用。在液晶显示装置中视场角特性成为问题。视场角特性是在从正面观察画面的情况和从斜方向观察的情况下，亮度发生变化或色度发生变化的现象。使液晶分子通过水平方向的电场而发生动作的IPS(InPlaneSwitching:共面转换)方式具有良好的视场角特性。IPS方式也存在各种各样，例如，以整个平面形成公共电极，在其上夹着绝缘膜地配置梳齿状的像素电极，由于...
【技术保护点】
一种液晶显示装置，具有TFT衬底和形成有黑矩阵的对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像素：在有机钝化膜之上形成有公共电极，将所述公共电极覆盖而形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上形成有具有狭缝的像素电极，经由形成于所述有机钝化膜及所述层间绝缘膜的贯通孔将TFT的源电极和像素电极导通，所述液晶显示装置的特征在于，形成于所述有机钝化膜的贯通孔的截面是如下形状时，即，接近所述对置衬底的一侧为上底、所述源电极一侧为下底、所述上底的直径大于所述下底的直径、且深度设为D时，形成于所述有机钝化膜的所述贯通孔的所述深度为D/2处的锥角为50度...
【技术特征摘要】
2013.12.09 JP 2013-2542051.一种液晶显示装置，具有TFT衬底和形成有黑矩阵的对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像素：在有机钝化膜之上形成有公共电极，将所述公共电极覆盖而形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上形成有具有狭缝的像素电极，经由形成于所述有机钝化膜及所述层间绝缘膜的贯通孔将TFT的源电极和像素电极导通，所述液晶显示装置的特征在于，形成于所述有机钝化膜的贯通孔的截面是如下形状时，即，接近所述对置衬底的一侧为上底、所述源电极一侧为下底、所述上底的直径大于所述下底的直径、且深度设为D时，形成于所述有机钝化膜的所述贯通孔的所述深度为D/2处的锥角为50度以上，所述像素电极将所述贯通孔的侧壁的一部分覆盖，所述贯通孔的侧壁的其他部分不被像素电极覆盖。2.一种液晶显示装置，具有TFT衬底和形成有黑矩阵的对置衬底，在所述TFT衬底和所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像素：在有机钝化膜之上形成有像素电极，经由形成于所述有机钝化膜的贯通孔将TFT的源电极与像素电极导通，将所述像素电极覆盖而形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上形成有具有狭缝的公共电极，所述液晶显示装置的特征在于，形成于所述有机钝化膜的贯通孔的截面是如下形状时，即，接近所述对置衬底的一侧为上底、所述源电极一侧为下底、所述上底的直径大于所述下底的直径、且深度设为D时，形成于所述有机钝化膜的所述贯通孔的所述深度为D/2处的锥角为50度以上，所述公共电极将所述贯通孔侧壁的一部分覆盖，所述贯通孔的侧壁的其他部分不被公共电极覆盖。3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述贯通孔的所述锥角为60度以上。4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于，所述贯通孔的所述锥角为60度以上。5.一种液晶显示装置，具有TFT衬底和形成有黑矩阵的对置衬底，在所述TFT衬底和所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像...
【专利技术属性】
技术研发人员：富冈安，石垣利昌，园田英博，植田纯人，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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