【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法,其特征在于:首先采用粉末覆盖燃烧法对金刚石表面镀Mo,将金刚石:MoO3=1:2~1:4(wt%)置于玛瑙研钵中混合均匀,将其装于氧化铝坩埚中,分别置于通有氢气、氩气气氛的管式炉中加热,温度为900~1050℃,保温时间2‑4h,完成镀钼过程;镀钼后的金刚石颗粒随炉冷却取出后,对金刚石颗粒进行超声波清洗并烘干;将处理后的金刚石装入Al2O3陶瓷管内振实,形成金刚石颗粒多孔体预制体;将镀覆后的金刚石颗粒的预制体放入石墨模具中,Cu装入坩埚;然后将石墨模具和坩埚放入浸渗炉内,密封和紧固浸渗炉炉体;将浸渗炉炉腔抽真空,当浸渗炉炉腔达到预定真空度后开始加热预制体、熔化Cu;控制加热过程使金刚石颗粒预制体和熔融Cu达到预定温度后施加一定的成形压力,保温一定时间,使得液态Cu渗入金刚石颗粒预制体并充满颗粒间的孔隙,最终获得高导热率的金刚石/Cu电子封装复合材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:杨滨,赵妍冰,张洋,王西涛,
申请(专利权)人:北京科技大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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