本实用新型专利技术公开了一种GIS局部放电检测装置，包括射频连接器和法兰盘，法兰盘安装在壳体上，射频连接器设置在法兰盘的外侧，感应装置设置在壳体内部，感应装置通过引导装置与射频连接器连接，所述的感应装置包括内法兰板、外法兰板和绝缘板，绝缘板设置在内法兰与外法兰之间，内法兰、绝缘板和外法兰通过螺栓进行连接；所述的引导装置为导电杆，导电杆一端连接在内法兰的中心处，导电杆的杆部穿过绝缘板和外法兰的内孔，其另一端穿出法兰盘与射频连接器连接，所述螺栓外侧设置有第一电感，射频连接器和导电杆之间串联有放大电路和滤波电路。本实用新型专利技术能够改进现有技术的不足，通过增加附加电路，实现对中低频干扰信号的有效过滤。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电力检测装置，尤其是一种GIS局部放电检测装置。
技术介绍
现有技术中，GIS局部放电的检测具有电容法、UHF法和超声波法等几种方式，其中UHF法是被应用最广泛的一种。中国技术专利CN 203643559 U公开了一种UHF法检测GIS内部局部放电传感装置，实现了低频信号的过滤作用。但是，这种结构虽然可以起到抑制低频信号干扰的作用，但是通过微小电感滤波存在滤波效果过于线性，无法对低频信号和高频信号之间宽泛的干扰信号频率进行有效过滤。如果单单增加电感数值，则会消弱电感对低频信号的过滤作用。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种GIS局部放电检测装置，能够解决现有技术的不足，通过增加附加电路，实现对中低频干扰信号的有效过滤。为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案如下。一种GIS局部放电检测装置，包括射频连接器和法兰盘，法兰盘安装在壳体上，射频连接器设置在法兰盘的外侧，感应装置设置在壳体内部，感应装置通过引导装置与射频连接器连接，所述的感应装置包括内法兰板、外法兰板和绝缘板，内法兰板为平面法兰，绝缘板为中心带孔的圆盘形，其外圆与内法兰板的外圆相同，绝缘板设置在内法兰与外法兰之间，内法兰、绝缘板和外法兰通过螺栓进行连接，外法兰为管法兰，外法兰一端与绝缘板连接，另一端通过螺栓与法兰盘连接；所述的引导装置为导电杆，导电杆一端连接在内法兰的中心处，导电杆的杆部穿过绝缘板和外法兰的内孔，其另一端穿出法兰盘与射频连接器连接，所述螺栓外侧设置有第一电感，射频连接器和导电杆之间串联有放大电路和滤波电路；滤波电路包括运算放大器，运算放大器的反相输入端通过第一电阻接地，运算放大器的反相输入端同时通过第二电阻连接至运算放大器的输出端，运算放大器的正向输入端串联有第一电容和第二电容，第一电容连接至射频连接器，第二电容并联有第二电感，第一电容与运算放大器输出端之间连接有第三电阻，第一电容与放大电路输出端之间通过第三电感与第三电容接地，运算放大器的输出端连接至放大电路的输入端；放大电路包括P沟道增强型绝缘栅场效应管，P沟道增强型绝缘栅场效应管的栅极通过连接第四电容作为放大电路的输入端，P沟道增强型绝缘栅场效应管的漏极通过第四电阻连接至外接电源，P沟道增强型绝缘栅场效应管的漏极同时通过第五电容连接至导电杆，P沟道增强型绝缘栅场效应管的源极通过第五电阻接地，第五电阻并联有第六电容。采用上述技术方案所带来的有益效果在于:本技术通过增加滤波电路和放大电路，对射频连接器采集的信号进行高通滤波，然后再经过放大电路对高频电信号进行放大，提高第一电感对高频信号的感应电压水平，从而实现传感器的高敏感度，同时又能实现对对中低频信号的非线性过滤，提高过滤效果。【附图说明】图1是本技术一个【具体实施方式】的结构图。图2是本技术一个【具体实施方式】中附件电路的电路图。图3是现有技术中单独由螺栓进行滤波时的频率特性图。图4是本技术一个【具体实施方式】进行滤波时的频率特性图。图中:1、射频连接器；2、导电杆；3、法兰盘；4、内法兰；5、绝缘板；6、外法兰；7、螺栓；8、套环；L1、第一电感；L2、第二电感；L3、第三电感；R1、第一电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；R4、第四电阻；R5、第五电阻；C1、第一电容；C2、第二电容；C3、第三电容；C4、第四电容；C5、第五电容；C6、第六电容;A、运算放大器；Q、P沟道增强型绝缘栅场效应管；Vcc、外接电源。【具体实施方式】本技术中使用到的标准零件均可以从市场上购买，在此不再详述。参照图1-2，本实施例包括射频连接器I和法兰盘3，法兰盘3安装在壳体上，射频连接器I设置在法兰盘3的外侧，感应装置设置在壳体内部，感应装置通过引导装置与射频连接器连接，所述的感应装置包括内法兰4板、外法兰6板和绝缘板5，内法兰4板为平面法兰，绝缘板5为中心带孔的圆盘形，其外圆与内法兰4板的外圆相同，绝缘板5设置在内法兰4与外法兰6之间，内法兰4、绝缘板5和外法兰6通过螺栓7进行连接，外法兰6为管法兰，外法兰6 —端与绝缘板5连接，另一端通过螺栓7与法兰盘3连接；所述的引导装置为导电杆2，导电杆2 —端连接在内法兰4的中心处，导电杆2的杆部穿过绝缘板5和外法兰6的内孔，其另一端穿出法兰盘3与射频连接器I连接，所述螺栓7外侧设置有第一电感LI，射频连接器I和导电杆2之间串联有放大电路和滤波电路；滤波电路包括运算放大器A，运算放大器A的反相输入端通过第一电阻Rl接地，运算放大器A的反相输入端同时通过第二电阻R2连接至运算放大器A的输出端，运算放大器A的正向输入端串联有第一电容Cl和第二电容C2，第一电容Cl连接至射频连接器1，第二电容C2并联有第二电感L2，第一电容Cl与运算放大器A输出端之间连接有第三电阻R3，第一电容Cl与放大电路输出端之间通过第三电感L3与第三电容C3接地，运算放大器A的输出端连接至放大电路的输入端；放大电路包括P沟道增强型绝缘栅场效应管Q，P沟道增强型绝缘栅场效应管Q的栅极通过连接第四电容C4作为放大电路的输入端，P沟道增强型绝缘栅场效应管Q的漏极通过第四电阻R4连接至外接电源Vcc，P沟道增强型绝缘栅场效应管Q的漏极同时通过第五电容C5连接至导电杆2，P沟道增强型绝缘栅场效应管Q的源极通过第五电阻R5接地，第五电阻R5并联有第六电容C6。在绝缘板5内设置有套环8，第一电感LI设置在套环8内，螺栓7从套环8中间穿过，从而实现第一电感LI与螺栓7的配合。导电杆2与放大电路、射频连接器I与滤波电路的连接均采用导线直接连接，属于电路连接的公知常识，信号采集部分采用的是
技术介绍
中引用的专利文献的技术方案，在此不再详述。其中，第一电阻Rl为5kQ，第二电阻R2为1kΩ，第三电阻R3为8kΩ，第四电阻R4为2kQ，第五电阻R5为20kQ。第一电容Cl为50 μ F，第二电容C2为10 μ F，第三电容C3为600pF，第四电容C4为20 μ F，第五电容C5为30 μ F，第六电容C6为500pF，第一电感LI为250mH，第二电感L2为30mH，第三电感L3为100mH。运算放大器A的正向输入端可以有效抑制中低频的信号输入，高频信号通过滤波电路后，通过放大电路放大，在P沟道增强型绝缘栅场效应管Q的管压降上取信号，实现信号放大。参照图2与图3，可以明显看出本实施例可以有效抑制中低频率的噪音，而且截止频率闻，可以减少中低频率的残留率。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【主权项】1.一种GIS局部放电检测装置，包括射频连接器(I)和法兰盘(3)，法兰盘(3)安装在壳体上，射频连接器(I)设置在法兰盘(3)的外侧，感应装置设置在壳体内部，感应装置通过引导装置与射频连接器连接，所述的感应装置包括内法兰(4)板、外法兰(6)板和绝缘板(本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种GIS局部放电检测装置，包括射频连接器（1）和法兰盘（3），法兰盘（3）安装在壳体上，射频连接器（1）设置在法兰盘（3）的外侧，感应装置设置在壳体内部，感应装置通过引导装置与射频连接器连接，所述的感应装置包括内法兰（4）板、外法兰（6）板和绝缘板（5），内法兰（4）板为平面法兰，绝缘板（5）为中心带孔的圆盘形，其外圆与内法兰（4）板的外圆相同，绝缘板（5）设置在内法兰（4）与外法兰（6）之间，内法兰（4）、绝缘板（5）和外法兰（6）通过螺栓（7）进行连接，外法兰（6）为管法兰，外法兰（6）一端与绝缘板（5）连接，另一端通过螺栓（7）与法兰盘（3）连接；所述的引导装置为导电杆（2），导电杆（2）一端连接在内法兰（4）的中心处，导电杆（2）的杆部穿过绝缘板（5）和外法兰（6）的内孔，其另一端穿出法兰盘（3）与射频连接器（1）连接，其特征在于：所述螺栓（7）外侧设置有第一电感（L1），射频连接器（1）和导电杆（2）之间串联有放大电路和滤波电路；滤波电路包括运算放大器（A），运算放大器（A）的反相输入端通过第一电阻（R1）接地，运算放大器（A）的反相输入端同时通过第二电阻（R2）连接至运算放大器（A）的输出端，运算放大器（A）的正向输入端串联有第一电容（C1）和第二电容（C2），第一电容（C1）连接至射频连接器（1），第二电容（C2）并联有第二电感（L2），第一电容（C1）与运算放大器（A）输出端之间连接有第三电阻（R3），第一电容（C1）与放大电路输出端之间通过第三电感（L3）与第三电容（C3）接地，运算放大器（A）的输出端连接至放大电路的输入端；放大电路包括P沟道增强型绝缘栅场效应管（Q），P沟道增强型绝缘栅场效应管（Q）的栅极通过连接第四电容（C4）作为放大电路的输入端，P沟道增强型绝缘栅场效应管（Q）的漏极通过第四电阻（R4）连接至外接电源（Vcc），P沟道增强型绝缘栅场效应管（Q）的漏极同时通过第五电容（C5）连接至导电杆（2），P沟道增强型绝缘栅场效应管（Q）的源极通过第五电阻（R5）接地，第五电阻（R5）并联有第六电容（C6）。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕斌，李海峰，罗文，
申请(专利权)人：江西仪能新能源微电网协同创新有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
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