一种晶体硅太阳电池多层减反射膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳电池多层减反射膜的制备方法，在镀膜工序制作减反射膜层时，在太阳能电池硅片表面先制作一层SiO2膜层Ⅰ，然后在SiO2膜层Ⅰ表面再制作一层SiO2膜层Ⅱ，最后在SiO2膜层Ⅱ表面制作SiNx减反射膜层，具体步骤如下：（1）预清洗；（2）制作第一层SiO2膜层Ⅰ；（3）制作第二层SiO2膜层Ⅱ：在第一层SiO2膜层Ⅰ上镀第二层SiO2膜Ⅱ，通入氧化性气体至PECVD炉内氧化反应生成SiO2膜层Ⅱ，所述SiO2膜层Ⅱ厚度为45～55nm；（4）制作SiNx减反射膜层。本发明专利技术抗PID性能好，综合性能更好，同时镀膜工艺效率得到提升、降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池多层减反射膜的制备方法，其特征在于：在太阳能电池硅片（1）表面先制作一层SiO2膜层Ⅰ（2），然后在SiO2膜层Ⅰ（2）表面再制作一层SiO2膜层Ⅱ（3），最后在SiO2膜层Ⅱ（3）表面制作SiNx减反射膜层（4），具体步骤如下：（1）预清洗：利用N2作为稀释气体，N2的流量范围为0～5slm，石墨舟进入PECVD设备，然后利用NH3进行预清洗， NH3的流量为5～8slm，预清洗时间100～150s，其管内压力为1800～2500mtorr，射频功率为5000～6000W，占空比为1/5～1/8ms；（2）制作第一层SiO2膜层Ⅰ：预清洗后先镀第一层SiO2膜层Ⅰ（2），通入氧化性气体至PECVD炉内氧化反应生成SiO2膜层Ⅰ（2），所述SiO2膜层Ⅰ（2）厚度≤10nm；（3）制作第二层SiO2膜层Ⅱ：在第一层SiO2膜层Ⅰ（2）上镀第二层SiO2膜Ⅱ（3），通入氧化性气体至PECVD炉内氧化反应生成SiO2膜层Ⅱ（3），所述SiO2膜层Ⅱ（3）厚度为45～55nm；（4）制作SiNx减反射膜层：最后在第二层SiO2膜Ⅱ（3）上沉积SiNx减反射膜层（4），通入SiH4和NH3，反应生成厚度为40～50nm的SiNx减反射膜层（4），所述NH3流量为3～7slm，SiH4流量范围为500～1000sccm，管内压力为1600～2600mtorr，射频功率为5000～7000w，占空比为1/4～1/7ms。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶飞，蒋方丹，金浩，陈康平，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33