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本发明公开了一种晶体硅太阳电池多层减反射膜的制备方法,在镀膜工序制作减反射膜层时,在太阳能电池硅片表面先制作一层SiO2膜层Ⅰ,然后在SiO2膜层Ⅰ表面再制作一层SiO2膜层Ⅱ,最后在SiO2膜层Ⅱ表面制作SiNx减反射膜层,具体步骤如下:...该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种晶体硅太阳电池多层减反射膜的制备方法,在镀膜工序制作减反射膜层时,在太阳能电池硅片表面先制作一层SiO2膜层Ⅰ,然后在SiO2膜层Ⅰ表面再制作一层SiO2膜层Ⅱ,最后在SiO2膜层Ⅱ表面制作SiNx减反射膜层,具体步骤如下:...