本发明专利技术涉及一种复合黑色二氧化钛薄膜及其制备方法，所述复合黑色二氧化钛薄膜包括铜纳米线层、以及覆盖在铜纳米线层上的黑色二氧化钛层。本发明专利技术提出的铜纳米线辅助制备复合黑色二氧化钛薄膜的方法，适用于任何金属纳米线与二氧化钛薄膜的研制，具有很好的普适性。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种复合黑色二氧化钛薄膜，其特征在于，所述复合黑色二氧化钛薄膜包括铜纳米线层、以及覆盖在铜纳米线层上的黑色二氧化钛层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙静，施良晶，王冉冉，刘阳桥，高濂，王焱，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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