一种气体样品刻度标准源制造技术

本实用新型专利技术涉及一种气体样品刻度标准源，包括盒体、上盖、标准溶液及刻度源基质，其特殊之处在于：所述盒体及上盖构成一个密封腔体，所述密封腔体的几何尺寸及材料与待测气体样品源盒相同，所述标准溶液和刻度源基质位于盒体内；所述刻度源基质为可发性聚苯乙烯颗粒。本实用新型专利技术利用可发性聚苯乙烯颗粒制备的气体样品刻度标准源，密度小于0.02g/cm3，解决了采用液体源刻度γ射线效率时自吸收的问题。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种气体样品刻度标准源，具体涉及气体样品γ射线效率刻度。
技术介绍
准确标定测量系统的效率是γ能谱法测量气体活度的关键。最理想的效率刻度方法是采用已知活度的待测气体对探测系统直接进行效率刻度，但由于待测气体一般半衰期比较短，且不易获得，通常采用液体标准源进行效率刻度。液体刻度源的密度约为lg/cm3，与气体样品自吸收相差很大，需进行自吸收效应的校正，且有时会因源盒形状的不规则而增加自吸收校正的难度。文献“用于HPGe探测器效率标定的模拟气体刻度源的研制”(原子能科学技术，2010，第44卷第7期)公开了利用薄片海绵作为刻度源基质制备气体样品刻度源的方法，但由于液体重力作用，在刻度源底部会比顶部活度大，使得标准源在基质中分布不均匀。因此，有必要研制与气体样品密度相近、基本无自吸收差异、同时又分布均匀的的气体刻度源来进行效率刻度。
技术实现思路
本技术目的是提供一种气体样品刻度标准源，其解决了现有液体刻度源自吸收差异较大，薄片海绵刻度源分布不均匀的技术难题，可提高气体样品刻度的准确度。本技术的技术解决方案是:一种气体样品刻度标准源，包括盒体、上盖、标准溶液及刻度源基质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体样品刻度标准源，包括盒体、上盖、标准溶液及刻度源基质，其特征在于：所述盒体及上盖构成一个密封腔体，所述密封腔体的几何尺寸及材料与待测气体样品源盒相同，所述标准溶液和刻度源基质位于盒体内；所述刻度源基质为可发性聚苯乙烯颗粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王世联，李奇，常印忠，樊元庆，贾怀茂，刘蜀疆，赵允刚，
申请(专利权)人：北京放射性核素实验室，
类型：新型
国别省市：北京;11