锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法。本发明专利技术尤其涉及一种如下的锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法：其在制备单锗烷气体时，利用包含微结构通道的制造装置而在短时间内混合反应物质，并除去所产生的反应热，从而可以将单锗烷气体稳定地大量生产。根据本发明专利技术，可轻易控制锗烷气体大量产生时的反应温度以及压力的急剧上升。因此，有利于大规模且高产率地生产单锗烷气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法
本专利技术涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法，尤其涉及一种如下的锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法：其在制备单锗烷气体时，利用包含微结构通道的反应器而在短时间内混合反应物质，并有效地除去所产生的反应热，从而可以将单锗烷气体稳定地大量生产。
技术介绍
锗烷气体(Germanegas)被使用于半导体产业中，其使得应变硅技术得以应用于计算机中央处理器中，且已成为新兴的锗通道与栅极的关键材料。此外，锗烷气体被用于形成作为第五代非晶硅薄膜太阳能电池(a-Si太阳能电池)的三向连接(Triplejunction)结构的中间层的SiGe层，从而增强对于300-900纳米的中波长区域的光的吸收，由此改善电池的效率。据此，随着对于作为分类为下一代太阳能电池的薄膜太阳能电池的需求量的增加，预计锗烷气体的需求也会快速增长。自1930年以来，许多化学家研究锗烷气体的制造以及其所牵涉的化学反应。典型的例子包含：一种化学方法使用硼氢化钠(NaBH4)或氢化铝锂(LiAlH4)等而还原二氧化锗(GeO2)或四氯化锗(GeCl4)；一种电化学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单锗烷气体制备方法，其特征在于，包括如下步骤：分别向第一通道和第二通道中注入包含二氧化锗与碱金属氢化物的反应原料碱性水溶液和酸性水溶液；在连接于该第一通道和第二通道的一端的第三通道中，混合注入的反应原料碱性水溶液与酸性水溶液，并使其反应以产生单锗烷气体和反应溶液：以及将产生的单锗烷气体和反应溶液排放至该第三通道的外部，其中，该第三通道中所产生的反应热被相邻于该第三通道而布置的制冷剂循环单元中循环的制冷剂所吸收。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.08.20 KR 10-2012-00907561.一种单锗烷气体制备方法，其特征在于，包括如下步骤：向第一通道中注入包含二氧化锗与碱金属硼氢化物的反应原料碱性水溶液，并向第二通道中注入酸性水溶液；在连接于该第一通道和第二通道的一端的第三通道中，混合注入的反应原料碱性水溶液与酸性水溶液，并使其反应以产生单锗烷气体和反应残留溶液：以及将产生的单锗烷气体和反应残留溶液排放至该第三通道的外部，其中，该第三通道中所产生的反应热被相邻于该第三通道而布置的制冷剂循环单元中循环的制冷剂所吸收，所述反应残留溶液是反应原料碱性水溶液与酸性水溶液反应产生锗烷气体之后残留的溶液，该第三通道为微通道。2.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法，其特征在于，该第三通道包含：主通道；多个突出部，在该主通道的一侧面平行地突出而形成。3.如权利要求2所述的单锗烷气体制备方法，其特征在于，该多个突出部相对于该主通道具有锐角，且朝一个方向突出。4.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法，其特征在于，该第三通道的温度维持在0℃至50℃。5.如权利要求4所述的单锗烷气体制备方法，其特征在于，该第三通道的温度通过调节从制冷剂的流量、制冷剂的温度、以及反应原料碱性水溶液或酸性水溶液的流速中选择的至少一种而加以控制。6.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法，其特征在于，该第三通道中所产生的反应热被传导至包围该第三通道的第一金属块，传导至该第一金属块的反应热被传导至与该第一金属块接触的第二金属块，传导至该第二金...

【专利技术属性】
技术研发人员：李太熙，李源镐，权炳宽，
申请(专利权)人：奥瑟亚新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR