叠加型功率模块制造技术

本发明专利技术涉及一种叠加型功率模块，包括基板和复合在基板上端面的金属层，至少三个电极端子嵌接在基板，第一管接头和第二管接头分别竖置并固定在基板的两侧，第一管接头和第二管接头与基板内的冷却腔体相通，第一管接头的上、下端接口以及第二管接头的上、下端接口分别伸出基板的上、下端面，第一管接头的上端接口通过冷却腔体与第二管接头的下端接口相通，第一管接头的下端接口及第二管接头的上端接口安装有可拆卸堵头；或第二管接头的上端接口通过冷却腔体与第一管接头的下端接口相通，第二管接头的下端接口及第一管接头的上端接口安装有可拆卸堵头。本发明专利技术结构合理、简单，在各功率模块叠放时，能将各功率模块内的冷却腔体形成串联。

【技术实现步骤摘要】
叠加型功率模块
本专利技术涉及一种叠加型功率模块，属于功率半导体模块制造领域。
技术介绍
半导体功率模块主要包括底板、覆金属陶瓷基板、半导体芯片、电极端子和壳体。通常功率模块里有数个功率半导体芯片，如MOSFET或IGBT芯片以及二极管芯片被集成并被焊接于或被粘贴于覆金属陶瓷基板的金属层上，同时电极端子也焊接在覆金属陶瓷基板的金属层上并穿出壳体与外部设备连接，实现功率模块的输入和输出，覆金属陶瓷基板再焊接在铜底板上。在半导体功率模块在工作过程中，半导体芯片所产生的热量能通过铜底板迅速吸收。由于铜底板与铝材相比比热小，热逃逸速度较慢，不能及时将模块内的热量散出，故需将功率模块底部安装在散热器上进行散热。覆金属陶瓷基板是将金属箔在高温下直接键合到氧化铝(AL2Q3)陶瓷基片或氮化铝(ALN)陶瓷基片双面上的特殊工艺板，使覆金属陶瓷基板在保证良好导热性能的同时还提供了相对于功率模块底板的电气绝缘，由于功率电子器件需要在-40℃至125℃的温度循环环境下进行工作，因此目前覆金属陶瓷基板的热量是依靠与其连接的铜底板以及固定在铜底板下部的散热器进行散热。这种散热结构存在以下问题：1、由于功率模块本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠加型功率模块，其特征在于：包括基板（1）和复合在基板（1）上端面的金属层（6），至少三个电极端子（4）嵌接在基板（1），各电极端子（4）的一端与金属层（6）连接、另一端伸出基板（1）外侧，所述基板（1）内设有冷却腔体（1‑2），第一管接头（2）和第二管接头（7）分别竖置并固定在基板（1）的两侧，第一管接头（2）和第二管接头（7）与冷却腔体（1‑2）相通，且第一管接头（2）的上端接口和下端接口以及第二管接头（7）的上端接口和下端接口分别伸出基板（1）的上、下端面，第一管接头（2）的上端接口通过冷却腔体（1‑2）与第二管接头（7）的下端接口相通，第一管接头（2）的下端接口及第二管接头（7）的...

【技术特征摘要】
1.一种叠加型功率模块，其特征在于：包括基板（1）和复合在基板（1）上端面的金属层（6），至少三个电极端子（4）嵌接在基板（1），各电极端子（4）的一端与金属层（6）连接、另一端伸出基板（1）外侧，所述基板（1）内设有冷却腔体（1-2），第一管接头（2）和第二管接头（7）分别竖置并固定在基板（1）的两侧，第一管接头（2）和第二管接头（7）与冷却腔体（1-2）相通，且第一管接头（2）的上端接口和下端接口以及第二管接头（7）的上端接口和下端接口分别伸出基板（1）的上、下端面，第一管接头（2）的上端接口通过冷却腔体（1-2）与第二管接头（7）的下端接口相通，第一管接头（2）的下端接口及第二管接头（7）的上端接口安装有可拆卸堵头；或第二管接头（7）的上端接口通过冷却腔体（1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：麻长胜，王晓宝，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32