一种数字式电容触控屏ITO传感层结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种数字式电容触控屏ITO传感层结构，它包括ITO膜层，所述ITO膜层上布设有菱形图案电极，所述菱形图案电极在ITO膜层布成阵列，所述菱形图案电极其中的一个角是大于120度、小于150度的钝角，每两个相邻的菱形图案电极中间留有空隙，且每两个相邻的菱形图案电极的相邻边垂直距离相等，所述菱形图案电极的两条平行线的高度，加上两个相邻的菱形图案电极中间的空隙长度，小于手指接触面积的宽度。本实用新型专利技术为电容式触摸屏提供了一种单层膜ITO实现多点触摸的设计方案，在单手指触摸和两根手指触摸的情况下，所设计的触摸屏能够准确报出坐标点，该方案成本低，比传统的ITO膜层要低10%~15%之间。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
，具体的说是涉及一种数字式电容触控屏IT0传感 层结构。
技术介绍
目前电容式触摸屏已经广地应用于彩色和黑白TFT - LCD显示屏，具有可靠性高、 耐用性好等优点，非常适合于通讯、消费类电子、仪器仪表等应用领域。但目前电容式触摸 屏大多使用多层IT0结构，制造工艺复杂。 电容式触摸屏的基本结构如图1所示。顶层为玻璃层11，其材质是玻璃或者 PMMA / PC等材料，具有较高的表面硬度W及一定的机械强度，用于提高触摸屏的可靠性； 底层为IT0膜层13, 一般是单层或多层IT0膜层结构，基板为玻璃或PET材料；中间是贴合 层12,用于将玻璃层11和IT0膜层13贴合，一般为0CA光学胶膜或者UV胶进行贴合。 电容式触摸屏中IT0膜层13的电极设计尤为关键，目前流行的主要有菱形图案、 系状图案W及网状图案等设计，如图2?4所示。其中网状图案电极4必须为双层IT0膜；条 状图案电极3、正方形图案电极2可W制造成单层IT0膜，但需要搭桥方式连接X方向或Y 方向的电极。多层方式会降低透过率且工艺复杂。搭桥方式，因绝缘层膜厚与IT0或者金 属膜厚差别较大，容易产生断裂问题。
技术实现思路
针对现有技术中的不足，本技术要解决的技术问题在于提供了一种数字式电 容触控屏IT0传感层结构。 为解决上述技术问题，本技术通过W下方案来实现： -种数字式电容触控屏IT0传感层结构，它包括IT0膜层，所述IT0膜层上布设有 菱形图案电极，所述菱形图案电极在IT0膜层布成阵列，所述菱形图案电极其中的一个角 是大于120度、小于150度的纯角，每两个相邻的菱形图案电极中间留有空隙，且每两个相 邻的菱形图案电极的相邻边垂直距离相等，所述菱形图案电极的两条平行线的高度，加上 两个相邻的菱形图案电极中间的空隙长度，小于手指接触面积的宽度。[000引进一步的，所述两个相邻的菱形图案电极中间的空隙中填充有假电极。 进一步的，所述假电极距离菱形图案电极的最近边的距离不超过0. 3mm。 相对于现有技术，本技术的有益效果是： 1.本技术为电容式触摸屏提供了一种单层膜IT0实现多点触摸的设计方案， 在单手指触摸和两根手指触摸的情况下，所设计的触摸屏能够准确报出坐标点，该方案成 本低，比传统的IT0膜层要低10%~15%之间。 2.每对感应单元设计为多组电极，并根据IT0膜层的厚度设计电极面积W及间隙 大小，间隙过大会导致线缝可见，因此使用假电极进行填充使线缝在0. 3mm W内则可W避 免线缝可见的问题。【附图说明】 图1为现有技术中的电容式触摸屏的基本结构示意图。 图2为现有技术中的正方形图案电极示意图。 图3为现有技术中的条状图案电极示意图。 图4为现有技术中的网状图案电极示意图。 图5为本技术的菱形多点触摸电极示意图。[001引图6为本技术的H角形口0膜层的单层电极布设示意图。 附图中标记；正方形图案电极2 ;条状图案电极3 ;网状图案电极4 ;新IT0膜层7 ; 玻璃层11 ;贴合层12 ; IT0膜层13 ;菱形图案电极51 ;手指接触面积52。【具体实施方式】 下面结合附图及实施例对本技术的技术方案进行详细的阐述。 请参照附图5?6,本技术的一种数字式电容触控屏IT0传感层结构，它包括新 IT0膜层7,所述IT0膜层上布设有菱形图案电极51，所述菱形图案电极51在新IT0膜层7 布成阵列，所述菱形图案电极51其中的一个角是大于120度、小于150度的纯角，每两个相 邻的菱形图案电极51中间留有空隙，且每两个相邻的菱形图案电极51的相邻边垂直距离 相等，所述菱形图案电极51的两条平行线的高度，加上两个相邻的菱形图案电极51中间的 空隙长度，小于手指接触面积52的宽度。多点触摸关键在于实现单点触摸功能的同时，也 能检测两个手指触摸的位置，改进后的电极设计增加多组菱形设计，使用导线将其引出。 所述两个相邻的菱形图案电极51中间的空隙中填充有假电极，实际电极设计中， 每对感应单元设计为多组电极，并根据新IT0膜层7的厚度设计电极面积W及间隙大小。间 隙过大会导致线缝可见，因此使用假电极进行填充使线缝在0. 3mm W内则可W避免上述问 题，在实现单点触控基本功能的同时，能够实现两点触控，满足设计要求。 本技术单点工作方式的计算方法如下： X坐标的计算是通过左侧两通道的感应值加和与右侧两通道感应值加和的比例来 计算的。Y是通过同一行的左右4通道感应值的加和与上下行的感应值加和的比例来计算 的，计算公式如下：【主权项】1. 一种数字式电容触控屏ITO传感层结构，它包括ITO膜层（7)，其特征在于：所述ITO 膜层上布设有菱形图案电极（51)，所述菱形图案电极（51)在IT0膜层布成阵列，所述菱形 图案电极（51)其中的一个角是大于120度、小于150度的钝角，每两个相邻的菱形图案电极 (51)中间留有空隙，且每两个相邻的菱形图案电极（51)的相邻边垂直距离相等，所述菱形 图案电极（51)的两条平行线的高度，加上两个相邻的菱形图案电极（51)中间的空隙长度， 小于手指接触面积（52)的宽度。2. 根据权利要求1所述的一种数字式电容触控屏IT0传感层结构，其特征在于：所述 两个相邻的菱形图案电极（51)中间的空隙中填充有假电极。3. 根据权利要求2所述的一种数字式电容触控屏IT0传感层结构，其特征在于：所述 假电极距离菱形图案电极（51)的最近边的距离不超过0. 3mm。【专利摘要】本技术公开了一种数字式电容触控屏ITO传感层结构，它包括ITO膜层，所述ITO膜层上布设有菱形图案电极，所述菱形图案电极在ITO膜层布成阵列，所述菱形图案电极其中的一个角是大于120度、小于150度的钝角，每两个相邻的菱形图案电极中间留有空隙，且每两个相邻的菱形图案电极的相邻边垂直距离相等，所述菱形图案电极的两条平行线的高度，加上两个相邻的菱形图案电极中间的空隙长度，小于手指接触面积的宽度。本技术为电容式触摸屏提供了一种单层膜ITO实现多点触摸的设计方案，在单手指触摸和两根手指触摸的情况下，所设计的触摸屏能够准确报出坐标点，该方案成本低，比传统的ITO膜层要低10%~15%之间。【IPC分类】G06F3-044【公开号】CN204331692【申请号】CN201420798777【专利技术人】陈国狮, 文云东 【申请人】深圳市帝晶光电股份有限公司【公开日】2015年5月13日【申请日】2014年12月17日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数字式电容触控屏ITO传感层结构，它包括ITO膜层（7），其特征在于：所述ITO膜层上布设有菱形图案电极（51），所述菱形图案电极（51）在ITO膜层布成阵列，所述菱形图案电极（51）其中的一个角是大于120度、小于150度的钝角，每两个相邻的菱形图案电极（51）中间留有空隙，且每两个相邻的菱形图案电极（51）的相邻边垂直距离相等，所述菱形图案电极（51）的两条平行线的高度，加上两个相邻的菱形图案电极（51）中间的空隙长度，小于手指接触面积（52）的宽度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国狮，文云东，
申请(专利权)人：深圳市帝晶光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44