本实用新型专利技术公开了一种高透射率的电容式触控屏，它包括一双层式电容传感器，所述双层式电容传感器上设置有连接到透明的双面ITO玻璃上的X发射电极和Y接收电极组成的电极阵列，所述电极阵列通过三个触控屏芯片连接在MCU处理器上，该三个触控屏芯片分别是1#芯片、2#芯片、3#芯片，其中1#芯片、2#芯片栅接在X发射电极上，3#芯片栅接在Y接收电极上。本实用新型专利技术栅接时线路无交叉，电极设计成菱形图案电极阵列，边缘电极采用Dummy线可以有效的避免边缘的坐标不准确、游标跳动现象；本实用新型专利技术具有扫描速度快、定位准确、透过率高、稳定性好、支持双指触摸、能够识别压力等优点。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子
，具体的说是涉及一种高透射率的电容式触控屏。
技术介绍
随着电子信息化的高速发展，人们对物质的需求也越来越高，行业竞争显现的十分激烈。从没有电话、手机、网络的时代，发展到现在手机、电话、网络遍布全球的信息化时代，人们可以在任何时候、任何地方实现快速的信息沟通和共享，自苹果推出第一款触控屏手机以来，整个手机行业发生巨变，越来越多的产品都在应用触控屏，比如电子书、车载GPS、航空、银行、掌上电脑等等。触控屏的需求在不断的增加，客户对触控屏的要求也是越来越高，这使得许多触控屏制造商在不断的革新技术，提高产品性能。投射式电容触控屏根据其扫描方式一般分为自电容和互电容两种:自电容通常是指扫描电极与地构成的电容。在玻璃表面有用ITO制成的横向与纵向的扫描电极，这些电极和地之间就构成一个电容的两极。当用手或触摸笔触摸的时候就会并联一个电容到电路中去，从而使在该条扫描线上的总体的电容量有所改变。在扫描的时候，控制IC依次扫描纵向和横向电极，并根据扫描前后的电容变化来确定触摸点的坐标位置。自容式扫描的优势是扫描速度快，扫描完一个扫描周期只需要扫描X+Y (X和Y分别是X轴和Y轴的扫描电极数量)根。其缺点是无法识别鬼点。对于触控屏布线问题，需要保证每条扫描线的RC在范围之内就可，传统的布线方案要求很低的阻抗，势必导致ITO厚度的增加，随之而来的就是透过率的下降，因此传统的电容式触控屏需要改进。
技术实现思路
针对现有技术中的不足，本技术要解决的技术问题在于提供了一种高透射率的电容式触控屏。为解决上述技术问题，本技术通过以下方案来实现:一种高透射率的电容式触控屏，它包括由外而内的层压在一起的表层玻璃、光学透明胶、双面ITO玻璃、光学透明胶、安装在表层玻璃下方的双层式电容传感器，所述双层式电容传感器上设置有连接到透明的双面ITO玻璃上的X发射电极和Y接收电极组成的电极阵列，所述电极阵列通过三个触控屏芯片连接在MCU处理器上，该三个触控屏芯片分别是1#芯片、2#芯片、3#芯片，其中1#芯片、2#芯片栅接在X发射电极上，3#芯片栅接在Y接收电极上，每个触控屏芯片另一端还设有4个引脚，1#芯片的4个引脚与MCU处理器的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS3引脚连接，2#芯片的4个引脚与MCU处理器的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS2引脚连接，3#芯片的4个引脚，与MCU处理器的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CSl引脚连接。进一步的，所述电极阵列为菱形图案电极阵列。进一步的,所述菱形图案电极阵列的边缘电极增加有Dummy线,来保证线间的电容的匹配性。进一步的，所述菱形图案电极阵列的菱形的锐角角度是45度。进一步的，所述3#芯片与Y接收电极阵列的栅接为无交叉的连接方式。进一步的，所述1#芯片、2#芯片、3#芯片的型号都是TANGO S32。进一步的，所述菱形图案电极阵列的菱形图案对角线的长度在4.8-5.2mm之间。相对于现有技术，本技术的有益效果是:本技术高透射率的电容式触控屏通过三个TANGO S32触摸屏芯片与MCU处理器连接，栅接时线路无交叉，电极设计成菱形图案电极阵列，边缘电极采用Du_y线可以有效的避免边缘的坐标不准确、游标跳动现象；本技术具有扫描速度快、定位准确、透过率高、稳定性好、支持双指触摸、能够识别压力等优点。【附图说明】图1为本技术电极阵列、芯片、MCU处理器的连接关系示意图。图2为本技术菱形图案电极阵列示意图。图3为传统的边缘电极结构示意图。图4为传统的边缘电极另一种结构示意图。图5为本技术边缘电极结构示意图。图6为传统的芯片与Y接收电极阵列的栅接为交叉连接方式示意图。图7为本技术芯片与Y接收电极阵列的栅接为无交叉连接方式示意图。【具体实施方式】下面结合附图及实施例对本技术的技术方案进行详细的阐述。请参照附图1~2，本技术的一种高透射率的电容式触控屏，它包括由外而内的层压在一起的表层玻璃、光学透明胶、双面ITO玻璃、光学透明胶、安装在表层玻璃下方的双层式电容传感器，其特征在于:所述双层式电容传感器上设置有连接到透明的双面ITO玻璃上的X发射电极和Y接收电极组成的电极阵列2，所述电极阵列2通过三个触控屏芯片连接在MCU处理器I上，该三个触控屏芯片分别是1#芯片3、2#芯片4、3#芯片5，其中1#芯片3、2#芯片4栅接在X发射电极上，3#芯片5栅接在Y接收电极上，所述1#芯片3、2#芯片4、3#芯片5的型号都是TANGO S32，每个触控屏芯片另一端还设有4个引脚，1#芯片3的4个引脚与MCU处理器I的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS3引脚连接，2#芯片4的4个引脚与MCU处理器I的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS2引脚连接，3#芯片5的4个引脚，与MCU处理器I的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CSl引脚连接。请参照附图2，所述电极阵列2为菱形图案电极阵列6，所述菱形图案电极阵列6的菱形的锐角角度是45度，其菱形图案对角线的长度在4.8~5.2mm之间。如果菱形图案对角线长度大于6mm，当用手触摸屏幕时，和相邻的电极没有产生足够的感应电容，影响其定位的准确性和解析度，而处于5_左右的时候，就可以和相邻电极产生足够的感应电容，解析度可以达到512。如图3~4所示,两个图都为传统的边缘电极结构示意图，XY扫描线之间没有任何的隔绝措施，XY扫描线相互混乱，会造成信号不准，触摸跳屏等现象。请参照附图5，本技术在XY扫描线之间增加了 Du_y线8，用于隔绝X电极、Y电极之间的信号，避免产生信号混乱。请参照附图6，附图6为传统的芯片与Y接收电极阵列的栅接为交叉连接方式示意图。请参照附图7，所述3#芯片5与Y接收电极阵列的栅接为无交叉的连接方式，这种连接方式可以保证线间电容的匹配性。本技术高透射率的电容式触控屏通过三个TANGO S32触摸屏芯片与MCU处理器连接，栅接时线路无交叉，电极设计成菱形图案电极阵列，边缘电极采用Du_y线可以有效的避免边缘的坐标不准确、游标跳动现象；本技术具有扫描速度快、定位准确、透过率高、稳定性好、支持双指触摸、能够识别压力等优点。以上所述仅为本技术的优选实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种高透射率的电容式触控屏，它包括由外而内的层压在一起的表层玻璃、光学透明胶、双面ITO玻璃、光学透明胶、安装在表层玻璃下方的双层式电容传感器，其特征在于:所述双层式电容传感器上设置有连接到透明的双面ITO玻璃上的X发射电极和Y接收电极组成的电极阵列(2)，所述电极阵列(2)通过三个触控屏芯片连接在MCU处理器(I)上，该三个触控屏芯片分别是1#芯片(3)、2#芯片(4)、3#芯片(5)，其中1#芯片(3)、2#芯片(4)栅接在X发射电极上，3#芯片(5)栅接在Y接收电极上，每个触控屏芯片另一端还设有4个引脚，1#芯片(3)的4个引脚与MCU处理器(I)的MISO引脚、MOSI本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高透射率的电容式触控屏，它包括由外而内的层压在一起的表层玻璃、光学透明胶、双面ITO玻璃、光学透明胶、安装在表层玻璃下方的双层式电容传感器，其特征在于：所述双层式电容传感器上设置有连接到透明的双面ITO玻璃上的X发射电极和Y接收电极组成的电极阵列（2），所述电极阵列（2）通过三个触控屏芯片连接在MCU处理器（1）上，该三个触控屏芯片分别是1#芯片（3）、2#芯片（4）、3#芯片（5），其中1#芯片（3）、2#芯片（4）栅接在X发射电极上，3#芯片（5）栅接在Y接收电极上，每个触控屏芯片另一端还设有4个引脚，1#芯片（3）的4个引脚与MCU处理器（1）的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS3引脚连接，2#芯片（4）的4个引脚与MCU处理器（1）的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS2引脚连接，3#芯片（5）的4个引脚，与MCU处理器（1）的MISO引脚、MOSI引脚、CLK引脚、CS1引脚连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈国狮，文云东，
申请(专利权)人：深圳市帝晶光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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