发光元件和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及共振器结构的发光元件和显示装置，即使在例如膜厚照比设计值发生偏差时，也能够抑制亮度变动。具有共振器结构，其具有第一反射部件、第二反射部件、和配置在所述第一反射部件与第二反射部件之间的发光层，使在所述第一反射部件与第二反射部件之间发生共振的光的一部分从所述第一反射部件或所述第二反射部件透过，所述共振器结构的共振器输出光谱达到最大值的波长位于所述发光层的内部发光光谱达到最大值的波长和光视效函数达到最大值的波长之间。

【技术实现步骤摘要】
发光元件和显示装置(本申请是基于进入中国国家阶段日期为2011年12月12日、申请号为200980159845.2(国际申请号：PCT/JP2009/002645)的专利技术专利申请的分案申请)
本专利技术涉及发光元件和显示装置。
技术介绍
EL元件作为显示器装置及照明装置等显示装置中的发光元件已为人所知，其中采用了在施加电压时因电致发光(EL)现象产生自发光的物质。EL元件是薄膜状发光元件，其中在上部电极和下部电极间形成有机材料或无机材料的发光层，由上部和下部电极对发光层施加电压使其发光。近年来开发出了共振器结构(所谓微共振腔结构)的发光元件，其通过使上部电极和下部电极中的一方为全反射镜，使另一方为透过一部分波长的半透镜，从而使发光层发出的光产生共振(例如，参照专利文献1、2)。专利文献1中公开了一种发光元件，其使内部发光光谱的峰值波长与共振部产生的多重干涉光谱的峰值波长相互错开，减小白色对视野角的依赖。使红色(R)的多重干涉光谱的峰值波长向长波长一侧(+10nm)偏移，使绿色(G)的多重干涉光谱的峰值波长向长波长一侧(+4nm)偏移，使蓝色(B)的多重干涉光谱的峰值波长向短波长一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其特征在于：具有共振器结构，该共振器结构包括第一反射部件、第二反射部件和有机层，所述共振器结构的共振器输出光谱达到最大值的波长，位于所述有机层的内部发光光谱达到最大值的波长与光视效函数达到最大值的波长之间，所述内部发光光谱的长波长一侧的倾斜部急剧变化，共振器输出光谱的峰值波长位于该急剧变化的区域。

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于：具有共振器结构，该共振器结构包括第一反射部件、第二反射部件和有机层，所述共振器结构的共振器输出光谱达到最大值的波长，位于所述有机层的内部发光光谱达到最大值的波长与光视效函数达到最大值的波长之间，所述内部发光光谱的长波长一侧的倾斜部急剧变化，共振器输出光谱的峰值波长位于该急剧变化的区域。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述共振器输出光谱达到最大值的波长处的所述内部发光光谱的发光强度的变化率RE在-0.03以下。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于：所述内部发光光谱达到最大值的波长在450nm～480nm的范围内。4.一种显示装置，其特征在于：具有多个共振器结构，该共振器结构包括第一反射部件、第二反射部件、和配置在所述第一反射部件与第二反射部件之间的有机层，在所述第一反射部件和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈俊博，内田敏治，
申请(专利权)人：日本先锋公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP