一种新型栅极驱动系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种新型栅极驱动系统，主要由驱动芯片M，与驱动芯片M相连接的驱动电路，以及与驱动芯片M相连接的自举电路组成；所述自举电路由场效应管MOS，一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地的电阻R5，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与驱动芯片M的INP管脚相连接的极性电容C6，负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极经电阻R1后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C1组成。本实用新型专利技术整体结构非常简单，其制作和使用非常方便。同时，本实用新型专利技术的启动时间仅为传统栅极驱动电路启动时间的1/4，其启动时间极短。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED驱动电路，具体是指一种新型栅极驱动系统。
技术介绍
目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，因此其需要由专用的驱动电路来进行驱动。然而，当前人们广泛使用的栅极驱动电路由于其设计结构的不合理性，导致了目前栅极驱动电路存在能耗较高、电流噪音较大以及启动时间较长等缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于克服目前栅极驱动电路存在的能耗较高、电流噪音较大以及启动时间较长的缺陷，提供一种结构设计合理，能有效降低能耗和电流噪音，明显缩短启动时间的一种新型栅极驱动系统。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种新型栅极驱动系统，主要由驱动芯片M,与驱动芯片M相连接的驱动电路，以及与驱动芯片M相连接的自举电路组成；所述自举电路由场效应管MOS，一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地的电阻R5，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与驱动芯片M的INP管脚相连接的极性电容C6，负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极经电阻Rl后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容Cl，与极性电容Cl相并联的电阻R2，正极与极性电容Cl的正极相连接、负极与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C5，以及一端与极性电容C5的正极相连接、另一端接地的电阻R4组成；所述场效应管MOS的漏极还与驱动芯片M的VCC管脚相连接。同时，在驱动芯片M的TD管脚与驱动电路之间还串接有光束激发式逻辑放大电路；所述的光束激发式逻辑放大电路主要由功率放大器Pl，与非门ICl，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经光二极管D5后接地的极性电容C7，一端与极性电容C7的正极相连接、另一端经二极管D6后接地的电阻R6，正极与电阻R6和二极管D6的连接点相连接、负极接地的极性电容C9，一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器Pl的正极输入端相连接的电阻R7，串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻R8，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R9，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C8，以及一端与极性电容C9的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻RlO组成；所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器Pl的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接；与非门IC3的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接，其输出端与驱动电路相连接；功率放大器Pl的正极输入端与驱动芯片M的TD管脚相连接。进一步地，所述驱动电路由变压器T，串接于驱动芯片M的VCC管脚与BOOST管脚之间的二极管Dl，串接于驱动芯片M的BOOST管脚与TG管脚之间的电容C2，串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间的电阻R3，以及基极与驱动芯片M的TG管脚相连接、集电极顺次经电容C3和电容C4后接地、而发射极与与非门IC3的输出端相连接的晶体管Ql组成；所述变压器T的原边线圈的同名端与电容C3和电容C4的连接点相连接，其非同名端则与晶体管Ql的发射极相连接后接地；同时，晶体管Ql的发射极还与驱动芯片M的TS管脚相连接，所述变压器T的副边线圈上设有抽头Yl和抽头Y2。为确保本技术的使用效果，所述驱动芯片M优先由LTC4440A集成芯片来实现。本技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本技术整体结构非常简单，其制作和使用非常方便。(2)本技术的启动时间仅为传统栅极驱动电路启动时间的1/4，其启动时间极短。(3)本技术采用自举电路来为驱动芯片提供控制信号，因此具有很高的输入阻抗，能确保整个电路的性能稳定。【附图说明】图1为本技术的整体结构示意图。【具体实施方式】下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本技术主要由驱动芯片M，与驱动芯片M相连接的驱动电路，以及与驱动芯片M相连接的自举电路，以及串接在驱动芯片M的TD管脚与驱动电路之间的光束激发式逻辑放大电路组成。所述自举电路由场效应管MOS、极性电容Cl、极性电容C5、极性电容C6、电阻Rl、电阻R2、电阻R4和电阻R5组成。连接时，电阻R5的一端与场效应管MOS的源极相连接，其另一端接地；极性电容C6的正极与场效应管MOS的源极相连接，其负极与驱动芯片M的INP管脚相连接；极性电容Cl的负极与场效应管MOS的栅极相连接，其正极经电阻Rl后与场效应管MOS的漏极相连接，而电阻R2则与极性电容Cl相并联。所述极性电容C5的正极与极性电容Cl的正极相连接，其负极与场效应管MOS的源极相连接。而电阻R4的一端与极性电容C5的正极相连接，其另一端接地。为确保场效应管MOS和驱动芯片M的正常工作，因此该场效应管MOS的漏极还与驱动芯片M的VCC管脚相连接，且该驱动芯片M的VCC管脚需要外接+12V的电源。为确保使用效果，该驱动芯片M优先采用凌力尔特公司生产的高频率N沟道MOSFET栅极驱动芯片，即LTC4440A集成芯片来实现。该驱动芯片M的特点是能以高达80V的输入电压工作，且能在高达100V瞬态时可连续工作。所述的光束激发式逻辑放大电路主要由功率放大器P1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经光二极管D5后接地的极性电容C7，一端与极性电容C7的正极相连接、另一端经二极管D6后接地的电阻R6，正极与电阻R6和二极管D6的连接点相连接、负极接地的极性电容C9，一端与与非门IC当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型栅极驱动系统，主要由驱动芯片M，与驱动芯片M相连接的驱动电路，以及与驱动芯片M相连接的自举电路组成；所述自举电路由场效应管MOS，一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地的电阻R5，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与驱动芯片M的INP管脚相连接的极性电容C6，负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极经电阻R1后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C1，与极性电容C1相并联的电阻R2，正极与极性电容C1的正极相连接、负极与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C5，以及一端与极性电容C5的正极相连接、另一端接地的电阻R4组成；所述场效应管MOS的漏极还与驱动芯片M的VCC管脚相连接，其特征在于，在驱动芯片M的TD管脚与驱动电路之间还串接有光束激发式逻辑放大电路；所述的光束激发式逻辑放大电路主要由功率放大器P1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器P1的正极输入端相连接、正极经光二极管D5后接地的极性电容C7，一端与极性电容C7的正极相连接、另一端经二极管D6后接地的电阻R6，正极与电阻R6和二极管D6的连接点相连接、负极接地的极性电容C9，一端与与非门IC1的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P1的正极输入端相连接的电阻R7，串接在功率放大器P1的负极输入端与输出端之间的电阻R8，一端与与非门IC1的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R9，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C8，以及一端与极性电容C9的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R10组成；所述与非门IC1的正极输入端与功率放大器P1的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接；与非门IC3的正极输入端与功率放大器P1的输出端相连接，其输出端与驱动电路相连接；功率放大器P1的正极输入端与驱动芯片M的TD管脚相连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢静，
申请(专利权)人：成都创图科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51