使用霍尔传感器的设备制造技术

公开了使用霍尔传感器的设备。提供了确定显示终端的盖的状态的设备及方法。该设备包括：终端，其包括显示屏；以及霍尔传感器，其包括磁场感测表面以及设置为与所述磁场感测表面基本平行的多个霍尔元件，所述磁场感测表面基本垂直于所述显示屏。

【技术实现步骤摘要】
使用霍尔传感器的设备相关申请的交叉引用该申请要求于2013年10月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2013-0129603的35USC119(a)意义下的权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文用于所有目的。
以下描述涉及使用霍尔传感器的感测系统，并且涉及在包括显示屏的终端中的霍尔传感器布置过程。
技术介绍
美国专利6,701,166涉及如下开关：该开关检测具有彼此接合的第一结构和第二结构以具有打开或闭合状态的翻盖式(fliptype)或折叠式(foldertype)无线电终端的打开或闭合状态。该开关包括：霍尔传感器，该霍尔传感器生成根据输入磁场的强度的并且与到磁体的距离成反比的电压；可变放大器，该可变放大器响应于控制信号而可变地放大来自霍尔传感器的电压以输出经可变地放大的电压信号；以及比较器，该比较器将来自可变放大器的信号与参考电压进行比较以输出表明终端是处在打开状态还是处在闭合状态的信号。可以调整开关的感测值以感测终端的折叠部的打开或闭合。虽然讨论了使用霍尔传感器以检测翻盖是打开还是闭合，但是在上述专利中未讨论当翻盖的打开角度达到约360度时防止不准确检测的机构。在翻盖的打开角度为0度的情况下，磁体靠近霍尔传感器并且霍尔传感器可以检测到强磁场。响应于检测到强磁场，霍尔传感器可以被用于确定翻盖处在闭合状态。然而，在翻盖的打开角度达到360度的情况下，磁体也位于靠近霍尔传感器。因此，霍尔传感器可检测到强磁场。可以使用屏蔽板来遮挡来自霍尔传感器的磁场。屏蔽板可以通过遮挡磁场流的金属材料来制造。响应于翻盖的打开角度为约360度，屏蔽板可以遮挡从磁体210生成的磁场，使得霍尔传感器不能检测到磁场的全部强度。当霍尔传感器由于磁场被屏蔽板所遮挡而未感测到强磁场时，可以继续确定翻盖200处在打开状态。然而，使用屏蔽板确定翻盖的状态的过程另外需要使用屏蔽板，并且可能导致根据屏蔽板的位置而不准确地确定翻盖的打开状态。此外，显示终端的制造需要用于将屏蔽板包括在内的另外工序，这导致了制造成本的增加。
技术实现思路
提供该
技术实现思路
来以简化的形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的一系列概念。该
技术实现思路
无意于确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也无意于用作帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个一般性方面中，一种设备包括：终端，其包括显示屏；以及霍尔传感器，其包括磁场感测表面以及设置为与所述磁场感测表面基本平行的多个霍尔元件，所述磁场感测表面基本垂直于所述显示屏。所述设备还可以包括：盖单元，其被配置成覆盖所述显示屏；以及磁体，其被设置在所述盖单元中或所述盖单元上。所述多个霍尔元件可以形成在半导体衬底上，并且在所述半导体衬底的第一导电类型阱上可以形成有第一导电类型接触区和第二导电类型掺杂区。所述第一导电类型接触区可以为N型接触区。所述第二导电类型掺杂区可以为P型掺杂区。所述第一导电类型阱可以为所述半导体衬底的N阱。所述设备还可以包括：偏移调整单元，其被配置成确定用于所述多个霍尔元件中的每个霍尔元件所检测的磁场强度的参考值；放大单元，其被配置成放大所述多个霍尔元件中的每个霍尔元件所检测的磁场强度；以及比较单元，其被配置成将通过所述多个霍尔元件中的每个霍尔元件所检测的磁场强度进行比较。所述霍尔元件的数量可以等于或大于2。所述霍尔传感器可以被设置在霍尔传感器电路板上，并且所述霍尔传感器电路板可以被设置在封装芯片中。所述霍尔传感器电路板可以被布置成基本垂直于所述显示屏。在另一一般性方面中，一种设备包括：显示终端，其包括显示屏；第一霍尔传感器，其包括第一霍尔元件；以及第二霍尔传感器，其包括第二霍尔元件，其中，所述显示屏被布置成基本平行于所述第一霍尔传感器的磁场感测表面并且基本平行于所述第二霍尔传感器的磁场感测表面。所述第一霍尔元件和所述第二霍尔元件可以处于半导体衬底上，并且在所述半导体衬底的第一导电类型阱上可以形成有第一导电类型接触区和第二导电类型掺杂区。所述第一导电类型接触区可以为N型接触区。所述第二导电类型掺杂区可以为P型掺杂区。所述第一导电类型阱可以为所述半导体衬底的N阱。所述第一霍尔传感器可以层叠在所述第二霍尔传感器上方或下方。所述设备还可以包括：盖，其包括磁体；以及处理器，其被配置成基于所述第一霍尔传感器和所述第二霍尔传感器所检测的磁场来确定所述盖是打开还是闭合。在另一一般性方面中，提供了一种确定显示终端的盖的状态的方法，所述显示终端包括竖直布置在所述显示终端内部的至少两个霍尔元件，所述方法包括：通过使用第一霍尔元件来检测第一磁场强度；通过使用第二霍尔元件来检测第二磁场强度；比较所述第一磁场强度和所述第二磁场强度；以及基于所述比较的结果来确定所述盖是打开还是闭合。根据下面的详细描述、附图以及权利要求，其他特征和方面将是明显的。附图说明图1A为示出包括显示屏以及翻盖或智能盖的终端的示例的图。图1B为示出包括显示屏以及翻盖或智能盖的终端的另一示例的图。图2为示出包括具有多个霍尔元件的霍尔传感器的终端的示例的图。图3A、图3B、图3C和图3D为示出具有包括多个霍尔元件的霍尔传感器的竖直布置的显示电路板或霍尔传感器电路板的示例的图。图4A和图4B为示出包括安装在显示电路板或霍尔传感器电路板上的霍尔传感器的封装型半导体晶片或半导体芯片的示例的图。图5为示出对翻盖的状态进行检测的显示设备的示例的框图。图6为示出包括分开地布置在第一霍尔传感器和第二霍尔传感器中的多个霍尔元件的显示设备的示例的图。贯穿附图和详细描述，除非以另外的方式描述或提供，相同的附图标记将理解为是指相同的元件、特征以及结构。为了清楚、阐释说明以及方便起见，附图可能不按比例，并且附图中元件的相对尺寸、比例以及描绘可能被夸大。具体实施方式提供以下详细描述来帮助读者获得对本文中描述的方法、设备、和/或系统的全面理解。然而，本文中所描述的系统、设备和/或方法的各种变化、修改以及等同对于本领域的普通技术人员将是明显的。所描述的处理步骤和/或操作的进行是示例；然而，除了必需以一定顺序发生的步骤和/或操作以外，步骤和/或操作的次序不限于本文中所阐述的次序并且可以改变为本领域已知的次序。此外，为了更加清楚和简明，可省略本领域的普通技术人员所公知的功能和构造的描述。本文中所描述的特征可以以不同形式实施，并且不应解释为限于本文中所描述的示例。相反，提供了本文中所描述的示例使得该公开内容将是透彻和完整的，并且将向本领域的普通技术人员传达公开内容的全部范围。本公开内容中所使用的术语可以理解如下。虽然如“第一”“第二”等的术语可以用来描述各种部件，但是这样的部件一定不能理解为限于上述术语。上述术语用于使一个部件与另一个部件进行区分。部件之间的结构差异不是必须的。例如，第一部件可以称为第二部件，并且类似地第二部件可以称为第一部件。应该理解的是，当元件被称为“连接到”另一元件时，元件可以直接连接到另一元件或在元件与另一元件之间存在居间元件。相反，当元件被称为“直接连接到”另一元件时，元件与另一元件之间不存在居间元件。另外，除非明确相反地描述，否则措辞“包括”及其变型(如“包含”或“包括有”)将理解为是指包括所述元件但不排除任何其他元件。同时，可以类似地理解描述部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：终端，其包括显示屏；以及霍尔传感器，其包括磁场感测表面以及设置为与所述磁场感测表面基本平行的多个霍尔元件，所述磁场感测表面基本垂直于所述显示屏。

【技术特征摘要】
2013.10.29 KR 10-2013-01296031.一种感测设备，包括：显示屏，其被布置在主体中；盖单元，其被配置成覆盖所述显示屏；磁体，其被设置在所述盖单元中或所述盖单元上；以及霍尔传感器，其被布置在所述主体中，所述霍尔传感器包括多个霍尔元件，所述多个霍尔元件被布置成使得穿过所述多个霍尔元件中的两个霍尔元件的轴基本垂直于所述显示屏。2.根据权利要求1所述的感测设备，其中，所述多个霍尔元件形成在半导体衬底上；以及在所述半导体衬底的第一导电类型阱上形成有第一导电类型接触区和第二导电类型掺杂区。3.根据权利要求2所述的感测设备，其中，所述第一导电类型接触区为N型接触区；所述第二导电类型掺杂区为P型掺杂区；以及所述第一导电类型阱为所述半导体衬底的N阱。4.根据权利要求1所述的感测设备，还包括：偏移调整单元，其被配置成确定用于所述多个霍尔元件中的每个霍尔元件所检测的磁场强度的参考值；放大单元，其被配置成放大所述多个霍尔元件中的每个霍尔元件所检测的磁场强度；以及比较单元，其被配置成将通过所述多个霍尔元件中的每个霍尔元件所检测的磁场强度进行比较。5.根据权利要求1所述的感测设备，其中，所述霍尔元件的数量等于或大于2。6.根据权利要求1所述的感测设备，其中，所述霍尔传感器被设置在霍尔传感器电路板上，并且所述霍尔传感器电路板被设置在封装芯片中。7.根据权利要求6所述的感测设备，其中，所述霍尔传感器电路板被布置成基本垂直于所述显示屏。8.一种感测设备，包括：显示终端，其包括显示屏；其中布置有磁体的盖，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯男，朴承焕，金隐重，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR