【技术实现步骤摘要】
开关控制电路及其开关控制方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]该申请根据35U.S.C.
§
119要求于2021年10月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2021
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0133993号的权益,该申请的全部公开内容出于所有目的通过引用并入本文中。
[0003]以下描述涉及开关控制电路及其开关控制方法。
技术介绍
[0004]开关控制电路可以指代对流入负载(例如,LED器件等)中的电流进行控制的电路,并且各种电路配置可以基于操作方法实现,例如恒定电流模式降压转换器或准谐振(QR)降压转换器等。
[0005]图1示出了来自现有技术的QR降压转换器的开关控制电路,并且图2示出了图1的来自现有技术的操作时序图。
[0006]在图1中所示的QR降压转换器电路的操作中,当控制信号(GATE)变为“高”时,控制开关接通,并且电感器电流(IL)流动。然后,CS电压——其是连接至控制开关的源极端子的感测电阻器的电压——增大,并且当CS电压增大超过将第一电阻器RD1和第二电阻器RD2划分的参考电压时,控制信号变为“低”。当控制开关由于控制信号为“低”而关断时,控制开关的漏极电压增大,并且因此,漏极感测电压(ZCD)增大。当电感器电流变为0A时,ZCD电压开始减小,并且控制信号再次变为“高”,并且控制开关接通。该过程可以重复。
[0007]然而,在图1的QR降压转换器电路中,实际电流值和负载的预定电流值可能会由于来自比较器的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种开关控制电路,包括:与输入电源串联连接的感测电阻器、负载、电感器和控制开关;串联连接并且被配置成感测所述控制开关的漏极电压的第二电容器、第一电阻器和第二电阻器;以及开关控制器,所述开关控制器被配置成控制所述控制开关,其中,所述开关控制器包括:电流补偿装置,所述电流补偿装置被配置成基于RC电阻器和对所述控制开关的栅极端子进行感测的控制信号来调整栅极导通时间;第一比较器,所述第一比较器被配置成将漏极感测电压与漏极感测参考电压进行比较;加法装置,所述加法装置被配置成将所述电流补偿装置的输出添加至参考电压;第二比较器,所述第二比较器被配置成将所述加法装置的输出与所述感测电阻器的感测电压进行比较;以及逻辑元件,所述逻辑元件被配置成基于所述第一比较器的输出和所述第二比较器的输出向所述控制开关输出所述控制信号。2.根据权利要求1所述的开关控制电路,还包括:与所述负载并联连接的第一电容器;以及二极管,所述二极管被配置成对输入至所述负载和所述第一电容器的电流进行整流。3.根据权利要求1所述的开关控制电路,其中,所述电流补偿装置包括:第三比较器,所述第三比较器被配置成接收所述控制信号和所述RC电阻器的电阻器值;第一MOSFET,所述第一MOSFET被配置成将所述第三比较器的输出转换成电流;第二MOSFET和第三MOSFET,所述第二MOSFET和所述第三MOSFET被配置成通过使所转换的电流镜像来引发镜像电流;第三电容器,所述第三电容器被配置成由所引发的镜像电流充电;电流源,所述电流源与所述第三电容器并联连接;以及缓冲器,所述缓冲器被配置成基于所述第三电容器的充电值来输出补偿信号。4.根据权利要求1所述的开关控制电路,其中,所述电流补偿装置被配置成基于输入电压的变化将所述参考电压增大或减小预定水平。5.一种开关控制电路,包括:与输入电源串联连接的感测电阻器、负载、电感器和控制开关;串联连接并且被配置成感测所述控制开关的漏极电压的第二电容器、第一电阻器和第二电阻器;以及开关控制器,所述开关控制器被配置成控制所述控制开关,其中,所述开关控制器包括:电流补偿装置,所述电流补偿装置被配置成基于RC电阻器和对所述控制开关的栅极端子进行感测的控制信号来调整栅极导通时间;第一比较器,所述第一比较器被配置成将漏极感测电压与漏极感测参考电压进行比较;
加法装置,所述加法装置被配置成将所述电流补偿装置的输出添加至所述感测电阻器的感测电压;第二比较器,所述第二比较器被配置成将所述加法装置的输出与参考电压进行比较;以及逻辑元件,所述逻辑元件被配置成基于所述第一比较器的输出和所述第二比较器的输出向所述控制开关输出所述控制信号。6.根据权利要求5所述的开关控制电路,还包括:与所述负载并联连接的第一电容器;以及二极管,所述二极管被配置成对输入到所述负载和所述第一电容器中的电流进行整流。7.根据权利要求5所述的开关控制电路,其中,所述电流补偿装置包括:第三比较器,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李章赫,尹柱皔,
申请(专利权)人:美格纳半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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