一种无金属电极的LED芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种无金属电极的LED芯片，包括衬底、依序覆盖在所述衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、设置在N型GaN层上的N电极透明导电层以及设置在P型GaN层上的P电极透明导电层。本实用新型专利技术的有益效果在于：LED芯片的导电电极采用具有导电透光性的氧化铟锡或氧化锑锡材料，能够有效地代替传统的金属电极，具有良好的附着性和导电性，不会有氧化脱落的现象；具有较高的透光性，不会遮挡光源；电极通过真空镀膜或导电胶印制线路导通外部电路，快速有效，一次真空镀膜或印刷便能导通电路，提高了LED光源的生产加工效率；可以减少焊线工艺，减少环境的污染。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种无金属电极的LED芯片
本技术涉及LED芯片领域，尤指一种无金属电极的LED芯片。
技术介绍
LED (Lighting Emitting D1de)即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。当前节能环保是全球重要问题，低碳生活逐渐深入人心。在照明领域，功率LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。LED具有节能、环保、寿命长、结构牢固，响应时间快等特点，可以广泛应用于各种普通照明、背光源、显示，指示和城市夜景等领域。 传统的LED芯片的导通线路P、N电极一般是金属的结构，该结构主要用于焊线，将芯片和外部导通线路连通，该结构的材料通常是金、银、铜、锡；上述结构存在以下缺点: 1.金属电极材料极易氧化，造成焊线不良或者无法焊线，导致LED芯片作废；2.金属电极材料不具透光性，遮挡了部分光源，影响发光效率；3.金属电极材料仅能通过焊线导通外部电路，加工效率慢，不利于工业化生产；4.焊线工艺产生环境污染，危害人体健康。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供一种加工简易、加工速度快且稳定并可实现同步多线印制外部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无金属电极的LED芯片，其特征在于，包括衬底、依序覆盖在所述衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、设置在N型GaN层上的N电极透明导电层以及设置在P型GaN层上的P电极透明导电层，所述N电极透明导电层和P电极透明导电层为氧化铟锡或氧化锑锡电极。

【技术特征摘要】
1.一种无金属电极的LED芯片，其特征在于，包括衬底、依序覆盖在所述衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、设置在N型GaN层上的N电极透明导电层以及设置在P型GaN层上的P电极透明导电层，所述N电极透明导电层和P电极透明导电层为氧化铟锡或氧化铺锡电极。2.根据权利要求1所述的一种无金属电极的LED芯片，其特征在于，所述N电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶逸仁，郑香奕，
申请(专利权)人：东莞保明亮环保科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44