15N稳定性同位素标记副溶血弧菌培养基及其培育方法技术

本发明专利技术的公开了一种15N稳定性同位素标记副溶血弧菌培养基及其培育方法，所述培养基的配方是：包括氮源为1-5 g/L、碳源为5-18 g/L、KH2PO4为0.5-2.0 g/L、K2HPO4为0.6-2.0 g/L、MgSO4为0.1-1.0 g/L，NaCl为10-30 g/L，蒸馏水1L，pH7.0～7.5，氮源的氮原子采用15N进行标记。培育15N标记副溶血弧菌的方法，包括：1）连续多次转接培养副溶血弧菌；2）LC-MS/MS验证标记的副溶血弧菌菌细胞中蛋白质氮原子的标记效率。本发明专利技术的工艺简单合理，培养基组分简单，成本低，为工业化制备15N标记副溶血弧菌培养基提供了新的培养基制备方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种15N稳定性同位素标记副溶血弧菌的培养基，其特征在于，所述培养基的配方是：包括氮源为1‑5 g/L、碳源为5‑18 g/L、KH2PO4为0.5‑2.0 g/L、K2HPO4为0.6‑2.0 g/L、MgSO4为0.1‑1.0 g/L，NaCl为10‑30 g/L，蒸馏水1L，pH7.0～7.5，氮源的氮原子采用15N进行标记。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾俊涛，李正义，魏晓棠，姜英辉，赵丽青，王骏，张健，
申请(专利权)人：山东出入境检验检疫局检验检疫技术中心，
类型：发明
国别省市：山东;37