本实用新型专利技术揭示了一种AMOLED显示装置，包括基板；设于所述基板上且依次间隙分布的驱动电压负极线、板载栅极驱动电路及显示单元；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述驱动电压负极线、板载栅极驱动电路、显示单元以及所述间隙；设于所述第一介质层上的金属连线，所述金属连线跨过所述板载栅极驱动电路，所述金属连线一端与所述驱动电压负极线对应连接，另一端与一阳极金属相连接，所述阳极金属位于所述板载栅极驱动电路和显示单元之间间隙的上方；一阴极金属与所述阳极金属相连接，所述阴极金属位于所述显示单元上方。本实用新型专利技术避免了阳极金属对板载栅极驱动电路的遮挡，便于进行不良分析和测试，同时降低阴极金属和板载栅极驱动电路短路的风险。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及有机发光显示领域，特别是涉及一种AMOLED显示装置。
技术介绍
随着平面显示器技术的蓬勃发展，有源矩阵有机发光二极管(Active MatrixOrganic Light Emitting D1de,AMOLED)显示装置得到了广泛的应用。其与传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display，IXD)相比，除了更轻薄外，更具有自发光、低功率消耗、不需要背光源、无视角限制及高反应速率等优良特性，已成为目前平面显示器技术中的主流。图1和图2示出了一种常见的AMOLED显示装置。包括基板5 ;形成于所述基板5上且相间隔的Vss线1，GIP电路3及显示单元6 ;覆盖所述Vss线1，GIP电路3及显示单元6之间间隙和Vss线1、GIP电路3的介质层7 ;位于所述介质层7上的阳极金属2，所述阳极金属2跨过所述GIP电路3，在所述GIP电路3及显示单元6上还形成有阴极金属4，所述阳极金属2 —端与所述Vss线I对应连接，另一端与阴极金属4连接，即实现了阴极金属4和Vss线I的连接。为了减小阴极金属4和阳极金属2的搭接电阻，阳极金属2 —般做的较宽，会将整个GIP电路3覆盖，由于阳极金属2是不透明的，因此通过正面无法看到GIP电路3，只能从背面观看GIP电路3，这给不良解析和信号测试带来很大的不便。同时由于GIP电路3的线路复杂，且GIP电路3上有整面的阴极层(图中未示)覆盖，若有杂质微粒的存在，容易造成两者的导通，很容易导致各种显示异常，降低良率。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种AMOLED显示装置，以便于进行不良分析和测试，同时降低阴极金属和GIP电路短路的风险。为解决上述技术问题，本技术提供一种AMOLED显示装置，包括基板；设于所述基板上且依次间隙分布的驱动电压负极线、板载栅极驱动电路和显示单元；第一介质层，所述第一介质层填充所述驱动电压负极线、板载栅极驱动电路以及显示单元三者之间的间隙，且所述第一介质层覆盖所述驱动电压负极线和板载栅极驱动电路，所述AMOLED显示装置还包括设于所述第一介质层上多条相互间隔的金属连线，所述金属连线跨过所述板载栅极驱动电路，所述金属连线一端与所述驱动电压负极线对应连接，另一端与一阳极金属相连接，所述阳极金属位于所述板载栅极驱动电路和显示单元之间；一阴极金属与所述阳极金属相连接，所述阴极金属位于所述显示单元上。可选的，所述金属连线包括一弯折部分和一平直部分，所述弯折部分与所述驱动电压负极线相连接，所述平直部分跨过所述板载栅极驱动电路。可选的，所述平直部分的长度大于所跨过的板载栅极驱动电路的宽度。可选的，所述第一介质层位于驱动电压负极线上方的部分设有第一过孔，所述弯折部分通过所述第一过孔与驱动电压负极线相连接。 可选的，多条金属连线之间的间隔大于金属连线的宽度。可选的，所述金属连线平行排列，所述板载栅极驱动电路走线稀疏处上方的金属连线比所述板载栅极驱动电路走线密集处上方的金属连线多。可选的，所述金属连线上还设有第二介质层。可选的，所述第二介质层位于板载栅极驱动电路与显示单元之间的间隙处设有第二过孔，所述阳极金属通过所属第二过孔与所述金属连线相连接。可选的，所述显示单元包括多个像素。在本技术提供的AMOLED显示装置中，通过在板载栅极驱动电路上方设置金属连线，且所述金属连线一端与所述驱动电压负极线对应连接，另一端与一阳极金属相连接，所述阳极金属位于所述板载栅极驱动电路和显示单元之间，位于所述显示单元上方的阴极金属与所述阳极金属相连接。相比现有技术，去除了板载栅极驱动电路上方的阳极金属，使得大部分的板载栅极驱动电路暴露出来，从正反两面均可清晰看到板载栅极驱动电路，便于不良分析和测试。同时，有效避免了阳极金属与板载栅极驱动电路短路情况的发生，从而提升良率。【附图说明】图1为现有技术中一种常用的AMOLED显示装置的俯视示意图；图2为图1中的AMOLED显示装置沿1-1线的剖视图；图3为本技术中AMOLED显示装置的俯视示意图；图4为图3中的AMOLED显示装置沿I1-1I线的剖视图。【具体实施方式】下面将结合示意图对本技术的AMOLED显示装置进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。本技术的主要思想是，提供一种AMOLED显示装置，包括基板41 ;设于所述基板41上且依次间隙分布的驱动电压负极线(Vss线31)、板载栅极驱动电路(GIP电路34)及显示单元38 ;第一介质层42，所述第一介质层42覆盖所述Vss线31、GIP电路34以及所述间隙；设于所述第一介质层42上的金属连线33，所述金属连线33跨过所述GIP电路34，所述金属连线33—端与所述Vss线31对应连接，另一端与一阳极金属35相连接，所述阳极金属35位于所述GIP电路34和显示单元38之间间隙的上方；一阴极金属37与所述阳极金属35相连接，所述阴极金属37位于所述显示单元38上方。如此便可将GIP电路34暴露出来，便于不良分析和测试，并且避免了 GIP电路34与阳极金属35短路情况的发生。以下列举所述AMOLED显示装置的较优实施例，以清楚的说明本技术的内容，应当明确的是，本技术的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本技术的思想范围之内。请参考图3和图4，所述AMOLED显示装置包括:基板41 ;设于所述基板41上且依次间隙分布的驱动电压负极线(Vss线31)、板载栅极驱动电路(GIP电路34)及显示单元38 ;第一介质层42，所述第一介质层42覆盖所述Vss线31、GIP电路34以及所述间隙；设于所述第一介质层42上的金属连线33，所述金当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种AMOLED显示装置，包括基板；设于所述基板上且依次间隙分布的驱动电压负极线、板载栅极驱动电路和显示单元；第一介质层，所述第一介质层填充所述驱动电压负极线、板载栅极驱动电路以及显示单元三者之间的间隙，且所述第一介质层覆盖所述驱动电压负极线和板载栅极驱动电路，其特征在于，所述AMOLED显示装置还包括设于所述第一介质层上多条相互间隔的金属连线，所述金属连线跨过所述板载栅极驱动电路，所述金属连线一端与所述驱动电压负极线对应连接，另一端与一阳极金属相连接，所述阳极金属位于所述板载栅极驱动电路和显示单元之间；一阴极金属与所述阳极金属相连接，所述阴极金属位于所述显示单元上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵海廷，魏朝刚，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。