一种激光雕刻陶瓷工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种激光雕刻陶瓷工艺，其采用激光技术在陶胚或瓷体上雕刻出花纹图案，经上釉、入窑、烧制出立体感强、层次清楚、纹路清晰、色彩亮丽、富有美感的陶瓷制品，本发明专利技术陶瓷制品具有很好的使用和收藏价值。本发明专利技术用激光代替以往人工雕刻，雕刻速度快、成品率高、质量好，极大地提高生产效率，同时节省人力、节能降耗。本发明专利技术采用现代的激光技术与传统的陶瓷工艺相结合，制备出精美的陶瓷制品，是工艺陶瓷制作的一大创新，具有很好的推广前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷制造方法，特别是一种激光雕刻陶瓷工艺，是对传统陶瓷制造方法的创新。
技术介绍
中国是陶瓷制造王国，中国陶瓷生产源远流长，陶瓷制品种类繁多，行销世界五大洲，陶瓷制作技术更是争研斗艳，不断创新。一般的陶瓷制作，都是先用手工或模具将瓷土制成瓷胚，然后在瓷胚上浇上瓷釉，待釉料风干后再入窑烧制成陶瓷制品。为使陶瓷好看美观，也有在瓷胚上或瓷体上用色釉描上花纹图案或在瓷体上贴上印有瓷釉的釉纸花，再放入窑中烧制，遂得到色彩艳丽、光亮夺目的陶瓷制品。目前市面上档次的陶瓷制品，例如艺术陶瓷，其制作繁杂、工人劳动强度大、效率低、制作成本高，制作过程基本是工人师傅用手工描绘或手工雕刻出花纹图案，产量很低，产品质量也难于保证，满足不了市场对艺术陶瓷的需要。因此，采用现代激光技术对传统陶瓷的制作工艺进行改造，在保证质量前提下，大大地提高了艺术陶瓷的制作速度，无疑是陶瓷制作工艺的一大创新。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种激光雕刻陶瓷工艺，其在瓷胚或烧结的瓷体上采用激光技术进行雕刻，然后在瓷体或瓷胚或在雕刻出来的花纹图案上涂填上釉料，再经烧制成具有立体图案且色泽艳丽的陶瓷制品。本专利技术所采取的技术方案：一种激光雕刻陶瓷工艺，其特征是包括：1.釉下雕刻陶瓷1).用手工或模具将陶土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在瓷胚表面上雕刻出图案，然后在瓷胚表面浇上釉料，釉料晾干后再放入窑里烧制，烧制温度为700℃～850℃，即成；2).利用激光在已烧制的瓷体表面上雕刻出图案，然后在瓷体表面(包括图案部分)浇上釉料，待釉料晾干后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，即成。2.釉下彩雕刻陶瓷1).用手工或模具将陶土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在瓷胚表面雕刻出图案，在已雕出的图案上用色釉填涂，待釉料晾干后再在整个瓷胚表面上釉，然后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，即成；2).利用激光在已烧制成瓷体表面雕刻出图案，在已雕刻出的图案上用色釉填涂，待釉料晾干后再在整个瓷体表面上釉，然后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，遂得釉下彩陶瓷。3.釉上原料或釉下原料雕刻陶瓷1).将瓷土成型烧制成瓷体后，用激光在瓷体表面雕刻出图案，在雕刻出的图案中填涂釉料，待釉料晾干后入窑烧制，烧制温度为750℃～850℃，即成釉上原料雕刻陶瓷；2).将瓷土成型制成瓷体后，用激光在瓷体表面雕刻出图案，在雕刻出的图案中填涂釉料，待釉料晾干后再在原釉层上色釉，待色釉晾干后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，即成釉下原料雕刻陶瓷。4.原釉层上雕刻陶瓷在已烧制的瓷体上浇上一层原釉，待原釉晾干后，用激光在釉层上雕刻出图案，再用激光清空瓷体表面图案中的釉料，然后在清空的图案部分填涂上色釉，以形成新的图案，待釉层晾干后入窑烧制，烧制温度为750℃～850℃，即成原釉层上雕刻陶瓷。5.在已烧制的釉层上雕刻在已烧制的瓷体上浇上瓷釉烧制，用激光在经烧制过瓷体釉层上雕刻出图案并用激光清空其中图案部分釉层，再在清空的图案部分填涂上各种色釉，使之形成不同的图案，最后入窑烧制得不同图案的陶瓷制品(低温釉烧制温度为750℃～850℃，高温釉烧制温度为1180℃～1380℃)。6.粉彩雕刻陶瓷在已烧结的瓷体表面用激光雕刻图案，再用釉料在图案边缘描边，然后在图案的图框里填涂上各种色釉以形成新的图案，待釉层晾干后入窑烧制，烧制温度为780℃～850℃，出窑即成粉彩雕刻陶瓷。7.激光素雕陶瓷1).将瓷土成型烧制成瓷体，用激光在瓷体表面上直接雕出图案，经清洁整理，即成激光素雕陶瓷；2).将瓷土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在瓷胚表面雕刻出图案，经入窑烧制而成激光素雕陶瓷。本专利技术所用的激光设备包括激光机和二维工作台，激光雕刻采用三维动态控制激光机配合二维工作台联动的方式，用C02激光在瓷件上进行雕刻；激光雕刻通过数据键盘输入，人机界面电脑控制的方式来完成的。操作时，将要加工的瓷件固定在二维工作台上(在工作台上设有旋转电机和翻转电机，能使工作台作360°角旋转和偏转)，将激光机上的激光头对准二维工作台上的瓷件，通过键盘输入要雕刻的图案和程序，启动机器，即可快速完成激光对瓷器工件的雕刻。本专利技术激光雕刻陶瓷与以往的人工雕刻陶瓷相比较，激光雕刻速度快、成品率高、节省人力，极大地提高生产效率；激光雕刻图案位置准确、雕刻纹路清晰、图形变化多、层次清楚、富有立体感；经激光雕刻的瓷器表面图案凹凸感强、色彩亮丽、富有美感，具有很好的使用和收藏价值；将现代激光技术与传统的陶瓷工艺相结合，极大地提高生产率，是工艺陶瓷生产的革命性创新。具体实施方式实施例1釉下雕刻陶瓷1.用手工或模具将陶土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在瓷胚表面上雕刻出图案，然后在瓷胚表面浇上釉料，釉料晾干后再放入窑里烧制，烧制温度为700℃～850℃，即成；2.利用激光在已烧制的瓷体表面上雕刻出图案，然后在瓷体表面(包括图案部分)浇上釉料，待釉料晾干后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，即成。实施例2釉下彩雕刻陶瓷1.用手工或模具将陶土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在瓷胚表面雕刻出图案，在已雕出的图案上用色釉填涂，待釉料晾干后再在整个瓷胚表面上釉，然后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，即成；2.利用激光在已烧制成瓷体表面雕刻出图案，在已雕刻出的图案上用色釉填涂，待釉料晾干后再在整个瓷体表面上釉，然后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，遂得釉下彩陶瓷。实施例3釉上原料或釉下原料雕刻陶瓷1.将瓷土成型烧制成瓷体后，用激光在瓷体表面雕刻出图案，在雕刻出的图案中填涂釉料，待釉料晾干后入窑烧制，烧制温度为750℃～850℃，即成釉上原料雕刻陶瓷；2.将瓷土成型制成瓷体后，用激光在瓷体表面雕刻出图案，在雕刻出的图案中填涂釉料，待釉料晾干后再在原釉层上色釉，待色釉晾干后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，即成釉下原料雕刻陶瓷。实施例4原釉层上雕刻陶瓷在已烧制的瓷体上浇上一层原釉，待原釉晾干后，用激光在釉层上雕刻出图案，再用激光清空瓷体表面图案中的釉料，然后在清空的图案部分填涂上色釉，以形成新的图案，待釉层晾本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光雕刻陶瓷工艺，其特征是包括：1).釉下雕刻陶瓷①.用手工或模具将陶土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在瓷胚表面上雕刻出图案，然后在瓷胚表面浇上釉料，釉料晾干后再放入窑里烧制，烧制温度为700℃～850℃，即成；②.利用激光在已烧制的瓷体表面上雕刻出图案，然后在瓷体表面(包括图案部分)浇上釉料，待釉料晾干后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，即成；2).釉下彩雕刻陶瓷①.用手工或模具将陶土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在瓷胚表面雕刻出图案，在已雕出的图案上用色釉填涂，待釉料晾干后再在整个瓷胚表面上釉，然后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，即成；②.利用激光在已烧制成瓷体表面雕刻出图案，在已雕刻出的图案上用色釉填涂，待釉料晾干后再在整个瓷体表面上釉，然后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，遂得釉下彩陶瓷；3).釉上原料或釉下原料雕刻陶瓷①将瓷土成型烧制成瓷体后，用激光在瓷体表面雕刻出图案，在雕刻出的图案中填涂釉料，待釉料晾干后入窑烧制，烧制温度为750℃～850℃，即成釉上原料雕刻陶瓷；②.将瓷土成型制成瓷体后，用激光在瓷体表面雕刻出图案，在雕刻出的图案中填涂釉料，待釉料晾干后再在原釉层上色釉，待色釉晾干后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380℃，即成釉下原料雕刻陶瓷；4).原釉层上雕刻陶瓷在已烧制的瓷体上浇上一层原釉，待原釉晾干后，用激光在釉层上雕刻出图案，再用激光清空瓷体表面图案中的釉料，然后在清空的图案部分填涂上色釉，以形成新的图案，待釉层晾干后入窑烧制，烧制温度为750℃～850℃，即成原釉层上雕刻陶瓷；5).在已烧制的釉层上雕刻在已烧制的瓷体上浇上瓷釉烧制，用激光在经烧制过瓷体釉层上雕刻出图案并用激光清空其中图案部分釉层，再在清空的图案部分填涂上各种色釉，使之形成不同的图案，最后入窑烧制得不同图案的陶瓷制品，若用低温釉烧制温度为750℃～850℃，高温釉烧制温度为1180℃～1380℃；6).粉彩雕刻陶瓷在已烧结的瓷体表面用激光雕刻图案，再用釉料在图案边缘描边，然后在图案的图框里填涂上各种色釉以形成新的图案，待釉层晾干后入窑烧制，烧制温度为780℃～850℃，出窑即成粉彩雕刻陶瓷；7).素雕陶瓷①.将瓷土成型烧制成瓷体，用激光在瓷体表面上直接雕出图案，经清洁整理，即成激光素雕陶瓷；②.将瓷土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在瓷胚表面雕刻出图案，经入窑烧制而成激光素雕陶瓷。...

【技术特征摘要】
1.一种激光雕刻陶瓷工艺，其特征是包括：
1).釉下雕刻陶瓷
①.用手工或模具将陶土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在
瓷胚表面上雕刻出图案，然后在瓷胚表面浇上釉料，釉料晾干后再放
入窑里烧制，烧制温度为700℃～850℃，即成；
②.利用激光在已烧制的瓷体表面上雕刻出图案，然后在瓷体表
面(包括图案部分)浇上釉料，待釉料晾干后入窑烧制，烧制温度为
1180℃～1380℃，即成；
2).釉下彩雕刻陶瓷
①.用手工或模具将陶土成型制成瓷胚，待瓷胚晾干后用激光在
瓷胚表面雕刻出图案，在已雕出的图案上用色釉填涂，待釉料晾干后
再在整个瓷胚表面上釉，然后入窑烧制，烧制温度为1180℃～1380
℃，即成；
②.利用激光在已烧制成瓷体表面雕刻出图案，在已雕刻出的图
案上用色釉填涂，待釉料晾干后再在整个瓷体表面上釉，然后入窑烧
制，烧制温度为1180℃～1380℃，遂得釉下彩陶瓷；
3).釉上原料或釉下原料雕刻陶瓷
①将瓷土成型烧制成瓷体后，用激光在瓷体表面雕刻出图案，在
雕刻出的图案中填涂釉料，待釉料晾干后入窑烧制，烧制温度为750
℃～850℃，即成釉上原料雕刻陶瓷；
②.将瓷土成型制成瓷体后，用激光在瓷体表面雕刻出图案，在

\t雕刻出的图案中填涂釉料，待釉料晾干后...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢开强，
申请(专利权)人：谢开强，
类型：发明
国别省市：广东;44