热处理设备制造技术

提供一种热处理设备，其包含：工艺腔室，其中具有衬底处理空间；平台，其安置在工艺腔室中以允许将衬底放置在其上，平台在工艺进行方向上水平地转移；光源，其安置在工艺腔室外部以输出光，光源经配置以将光照射到装载到工艺腔室中的衬底上；以及气体注射模块，其安置在工艺腔室内的平台上方，气体注射模块具有内部空间，从光源发出的光和惰性气体穿过内部空间并且被引导到衬底上。气体注射模块包括从气体注射模块的下部的两个端部中的一个端部向内延伸的第一导管，第一导管安置在平台的转移方向上，第一导管的一个端部安置在第一导管的另一端部的外部，并且将第一导管的一个端部连接到另一端部的延伸线路的内径小于第一导管的一个端部的内径。

【技术实现步骤摘要】
热处理设备
本专利技术涉及一种热处理设备(heattreatmentapparatus)，并且更确切地说，涉及一种防止或限制光在其上照射以用于热处理的衬底区域暴露于氧气或杂质的热处理设备。
技术介绍
在制造液晶显示器和光伏打装置的过程中，涉及用于对非晶形多晶薄膜(例如，非晶形多晶硅薄膜)进行结晶的热处理过程。此处，如果玻璃被用作衬底，那么非晶形多晶薄膜可以通过使用激光来结晶。然而，当非晶形多晶薄膜与氧气(O2)反应时，非晶形多晶薄膜可能会被氧化生成氧化物薄膜。图1是根据现有技术的激光热处理设备的示意图。参考图1，根据现有技术的激光热处理设备包含：工艺腔室10，其具有衬底1在其中进行处理的空间；平台2，其安置在工艺腔室10中以将衬底1放置在其上并且以工艺进行方向转移；透射窗40，其安置在工艺腔室的上部上以允许激光透过；以及光源30，其安置在透射窗上方和工艺腔室10外部以输出激光8。根据所述激光热处理设备，从光源30输出的激光8可以透过透射窗40并且随后被照射到正水平移动的衬底1上。如果激光8照射在其上的衬底1的顶部区域暴露于氧气，那么当沉积在衬底1的顶部表面上的多晶薄膜11结晶时，多晶薄膜可能不会变成结晶硅，而是被氧化。为了解决上述限制，第2009-0042879号韩国专利公开案揭示一种技术，其中在激光束照射在其上的衬底附近安装用于注射惰性气体的气体注射单元，以在激光照射在其上的衬底上方形成惰性氛围，由此防止衬底的顶部表面暴露于氧气。然而，当用于转移衬底的样品平台(即，平台)水平地移动时，气体(例如，工艺腔室中剩余的氧气)可能会通过所述平台的转移力而在与平台相反的方向上流动。并且，在与平台的转移方向相反的方向上流动的氧气可能会渗透到气体注射单元与衬底之间的空间中以氧化激光照射在其上的衬底的薄膜。也就是说，即使提供用于注射惰性气体的气体注射单元，可能仍然难以阻挡或防止流动到气体注射单元或衬底上的氧气通过平台的转移而渗透到气体注射单元与衬底之间的空间中的现象。如上文所述，由于氧气的渗透，在衬底的顶部表面上形成的薄膜可能会被氧化以产生有缺陷的产品。[现有技术文献][专利文献](专利文献1)第2009-0042879号韩国专利公开案
技术实现思路
本专利技术提供一种热处理设备，所述热处理设备防止或限制光照射在其上以用于热处理的衬底区域暴露于氧气或杂质。本专利技术还提供防止或限制氧气或杂质渗透到气体注射模块与衬底之间的空间中的热处理设备。根据一个示例性实施例，一种热处理设备包含：工艺腔室，在工艺腔室中具有衬底处理空间；平台，其安置在所述工艺腔室中以允许将衬底放置在平台上，所述平台在工艺进行方向上水平地转移；光源，其安置在所述工艺腔室外部以输出光，所述光源经配置以将光照射到装载到所述工艺腔室中的衬底上；以及气体注射模块，其安置在所述工艺腔室内的所述平台上方，所述气体注射模块具有内部空间，从光源发出的光和惰性气体穿过所述内部空间并且被引导到所述衬底上，其中所述气体注射模块包含从所述气体注射模块的下部的两个端部中的一个端部向内延伸的第一导管，所述第一导管安置在所述平台的转移方向上，并且所述第一导管的两个端部中的一个端部安置在所述第一导管的另一端部的外部，并且将所述第一导管的一个端部连接到另一端部的延伸线路的内径小于所述第一导管的一个端部的内径。所述热处理设备可以进一步包含安置在所述工艺腔室的上部中以使从光源输出的光透过的透射窗，并且其中所述气体注射模块可以安置在透射窗与衬底之间。所述气体注射模块可以包含：惰性气体腔室，所述惰性气体腔室安置在透射窗与衬底之间并且具有光和惰性气体穿过其中的内部空间，所述惰性气体腔室具有位于其下端中的第一狭缝，光和惰性气体穿过所述第一狭缝；以及板，所述板安置在惰性气体腔室与衬底之间并且具有与第一狭缝连通的第二狭缝，所述板延伸以从惰性气体腔室向外突出，并且所述第一导管可以在平台的转移方向上从板的两个端部中的一个端部向内延伸。所述第一导管可以安置在从惰性气体腔室向外突出的板的区域中。第一导管的一个端部和另一端部中的每一者可以打开以与工艺腔室的内部连通。第一导管的一个端部可以安置在所述板的最外侧表面中，并且第一导管的另一端部可以在安置在惰性气体腔室外部的板的顶部表面中安置地比第一导管的一个端部更邻近于所述板的内部。第一导管的一个端部可以安置在所述板的底部表面中，并且第一导管的另一端部可以在安置在惰性气体腔室外部的板的顶部表面中安置地比第一导管的一个端部更邻近于所述板的内部。第一导管的一个端部可以安置在所述板的顶部表面中，并且第一导管的另一端部可以在安置在惰性气体腔室外部的板的顶部表面中安置地比第一导管的一个端部更邻近于所述板的内部。安置在第一导管的一个端部与另一端部之间的延伸线路可以是弯曲的。位于第一导管的一个端部与另一端部之间的延伸线路的内径可以小于第一导管的一个端部与另一端部中的每一者的内径。所述第一导管可以具有从所述第一导管的一个端部到延伸线路逐渐减小并且随后从延伸线路到所述第一导管的另一端部逐渐增大的内径。所述热处理设备可以进一步包含垂直地通过所述板的一部分的第二导管，所述第二导管的一个端部具有暴露于所述板的底部表面的开口，并且另一端部连接到所述第一导管。附图说明通过结合附图进行的以下描述可以更详细地理解示例性实施例，其中：图1是根据现有技术的激光热处理设备的示意图。图2是根据一个示例性实施例的热处理设备的横截面图。图3是根据一个示例性实施例的包含具有导管的板的热处理设备的局部放大横截面图。图4是根据一个示例性实施例的具有导管的板的局部放大立体图。图4A是所述板的正面透视图，并且图4B是所述板的底面透视图。图5是根据一个示例性实施例的具有导管的板的横截面图。图6是根据另一示例性实施例的具有导管的板的横截面图。图7是根据又一示例性实施例的具有导管的板的横截面图。具体实施方式下文中将参照附图详细描述具体实施例。然而，本专利技术可以用不同形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使得本专利技术将为透彻且完整的，并且将向所属领域的技术人员充分传达本专利技术的范围。图2是根据一个示例性实施例的热处理设备的横截面图。图3是根据一个示例性实施例的包含具有导管的板的热处理设备的局部放大横截面图。图4是根据一个示例性实施例的具有导管的板的局部放大立体图。此处，图4A是所述板的正面透视图，并且图4B是所述板的底面透视图。图5是根据一个示例性实施例的具有导管的板的横截面图。图6是根据另一示例性实施例的具有导管的板的横截面图。图7是根据又一示例性实施例的具有导管的板的横截面图。参考图2到图4，根据一个示例性实施例的热处理设备包含：工艺腔室10，其具有衬底S在其中进行处理的空间；平台200，其安置在工艺腔室100中以将衬底S放置在其上并且以工艺进行方向水平地转移衬底S；光源300，其安置在工艺腔室100外部以输出光，例如，用于处理衬底S的激光；透射窗40，其安置在工艺腔室100的上壁的一部分中的以允许从光源300输出的激光透过；以及气体注射模块500，其安置在衬底S安放在其上的平台200与工艺腔室100内的透射窗400之间以将透过透射窗400的激光照射到衬底S上并且将惰性气体注射到衬底S上。工艺腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理设备，包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有衬底处理空间；平台，其安置在所述工艺腔室中以允许将衬底放置在所述平台上，所述平台在工艺进行方向上水平地转移；光源，其安置在所述工艺腔室外部以输出光，所述光源经配置以将光照射到装载到所述工艺腔室中的所述衬底上；以及气体注射模块，其安置在所述工艺腔室内的所述平台上方，所述气体注射模块具有内部空间，从所述光源发出的光和惰性气体穿过所述内部空间并且被引导到所述衬底上，其中所述气体注射模块包括从所述气体注射模块的下部的两个端部中的一个端部向内延伸的第一导管，所述第一导管安置在所述平台的转移方向上，并且所述第一导管的两个端部中的一个端部安置在所述第一导管的另一端部的外部，并且将所述第一导管的所述一个端部连接到所述另一端部的延伸线路的内径小于所述第一导管的所述一个端部的内径。

【技术特征摘要】
2013.10.21 KR 10-2013-01252761.一种热处理设备，包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有衬底处理空间；平台，其安置在所述工艺腔室中以允许将衬底放置在所述平台上，所述平台在工艺进行方向上水平地转移；光源，其安置在所述工艺腔室外部以输出光，所述光源经配置以将光照射到装载到所述工艺腔室中的所述衬底上；以及气体注射模块，其安置在所述工艺腔室内的所述平台上方，所述气体注射模块具有内部空间，从所述光源发出的光和惰性气体穿过所述内部空间并且被引导到所述衬底上，其中所述气体注射模块包括从所述气体注射模块的下部的两个端部中的一个端部向内延伸的第一导管，所述第一导管安置在所述平台的转移方向上，并且所述第一导管的两个端部中的一个端部安置在所述第一导管的另一端部的外部，并且将所述第一导管的所述一个端部连接到所述另一端部的延伸线路的内径小于所述第一导管的所述一个端部的内径。2.根据权利要求1所述的热处理设备，其进一步包括透射窗，所述透射窗安置在所述工艺腔室的上部中以使从所述光源输出的所述光透过，并且其中所述气体注射模块安置在所述透射窗与所述衬底之间。3.根据权利要求2所述的热处理设备，其中所述气体注射模块包括：惰性气体腔室，其安置在所述透射窗与所述衬底之间并且具有内部空间，所述光和惰性气体穿过所述内部空间，所述惰性气体腔室具有位于其下端中的第一狭缝，所述光和惰性气体穿过所述第一狭缝；以及板，所述板安置在所述惰性气体腔室与所述衬底之间并且具有与所述第一狭缝连通的第二狭缝，所述板延伸以从所述惰性气体腔室向外突出，其中所述第一导管在所述平台的所述转移方向上从所述板的两个端部中的一个端部向内延伸。4.根据权利要求3所述的热处理设备，其中所述第一导管安置在从所述惰性气体腔室...

【专利技术属性】
技术研发人员：严泰骏，车恩熙，崔东奎，朴宰显，
申请(专利权)人：AP系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR