一种高容错性的三电平电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高容错性的三电平电路。该电路包括:八个开关管（IGBT1～IGBT8）、两个保险管（F1、F2）、两个电容(C0、C1)；开关管（IGBT1～IGBT4）为主开关管组成一个三电平的逆变电路，开关管（IGBT5～IGBT8）为辅助开关管使得任何主开关管出现故障（短路或开路）的时候可以保证正常三电平输出，两个保险管（F1、F2）在开关管(IGBT2、IGBT3)短路的时候分别熔断，来保护电路正常输出；本发明专利技术中的电路具有很高的可靠性和容错性，在单管出现故障的时候可以保证电路正常工作。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高容错性的三电平电路，其特征在于包括:八个开关管（IGBT1～IGBT8）、两个保险管（F1、F2）、两个电容(C0、C1)；其中第一开关管（IGBT1）的集电极与第一电容（C0）阳极、第七开关管（IGBT7）的集电极连接，第一开关管（IGBT1）的发射极与第二开关管（IGBT2）的集电极、第五开关管（IGBT5）的集电极相连；第二开关管（IGBT2）的发射极与第三开关管（IGBT3）的集电极、第七开关管（IGBT7）的发射极、第八开关管（IGBT8）的集电极连接；第三开关管（IGBT3）的发射极与第四开关管（IGBT4）的集电极、第六开关管（IGBT6）的发射极连接；第四开关管（IGBT4）的发射极与第八开关管（IGBT8）的发射极、第二电容(C1）阴极连接；第五开关管（IGBT5）的发射极与第一保险管（F1）的一端连接；第六开关管（IGBT6）的集电极与第二保险管（F2）的一端连接；第一电容（C0）阴极与第二电容(C1)阳极、第一保险管（F1）和第二保险管（F2）的另一端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜贵平，方俊翔，柳志飞，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44