本发明专利技术公开的一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其组分按质量份额计如下：(A)苯乙烯-甲基纳迪克酸酐10-60份；(B)低介电环氧树脂10-60份；(C)苯并噁嗪树脂10-45份；(D)含磷阻燃剂2-15份；(E)高成球型二氧化硅10-55份；(F)咪唑类促进剂0.05-5.0份；(G)硅烷0.05-5.0份；(H)有机溶剂5-50份。本发明专利技术还公开了该粘合剂的制备方法。使用本发明专利技术的粘合剂制得的覆铜箔板TG≥170℃，具有优异的介电性能和耐热性能，无卤环保，阻燃达到UL94 V-0级别，且具有较低的吸水率和热膨胀系数以及良好的加工性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子信息
，涉及一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压 基板材料的粘合剂及其制备方法。
技术介绍
随着当下先进电子设备和技术的发展，终端客户对云端运算和无线网路的需求迅 猛增加，造成高频通讯产品的需求大大提升。通讯领域各种电子设备需求突飞猛进，计算 机、智能手机、平板电脑等消费电子迅速普及，据有关方面调查研宄统计：未来几年全球数 据中心全球数据中心流量将增加四倍，云计算领域流量增加六倍。信息通信设备领域，近年 全球数据交换流量以每年平均210%的速度递增，呈爆炸式增长，从2010年到2014年数据 量增加了 16倍。手机基站设备及有线通信设备为典型代表的通讯设备大幅度增加。据统 计，到2013年手机基站设备台数已达到185万套，有线通信设备（OPT)达到135万套，往后 几年还将以年均约110%的速度增长。数据处理设备爆炸式的增长，推动了通讯设备用PCB 市场的扩大及其对高速传输、低损耗性能要求的提高。上游材料决定PCB最终产品的性能。 生产高速PCB极仰赖于低损耗基材的开发。为满足近年全球信息技术向数字化、网络化飞 速发展所带来的超大容量信息传输，超快速、超高密度信息处理的硬性需求，各类不同特色 的高速化覆铜板成为业界技术开发的热门。 然而无卤化的浪潮在这类基材的开发中推波助澜，引领了其中最主流的方向，这 既是因为电子产品环保无卤化的理念深入人心，为免去世界环保热情的高涨中遭人诟病的 后顾之忧；还因为较之高频领域的高额投入与利润回报，无卤化的成本压力不再十分耀眼； 更是因为终端电子厂商的强势推动。目前行业内所应用的低介电型材料基本的开发方向多 采用聚四氟乙烯树脂、双马来酰亚胺树脂、热固性聚苯醚树脂、氰酸脂树脂、聚酰亚胺等等， 但在无卤环保、阻燃性、吸水性、介电性能、加工性、价格等关键点上存在着各种各样难以平 衡的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料 的粘合剂。本专利技术提出的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，可涂覆 上胶于玻璃纤维布之上，用于生产覆铜箔板。其性能优越，具有Tg高、吸水率低、介电常数 低、介质损耗低、耐热性好、流动性佳、加工性好的特点。 本专利技术的目的之一在于提供一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料 的粘合剂的制备方法。 为了实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案如下： -种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其按组分按质量 份额计如下：【主权项】1. 一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其组分按质量份额 计如下： (A) 苯乙烯-甲基纳迪克酸酐 10-60份； (B) 低介电环氧树脂 10?60份； (C) 苯并噁嗪树脂 10?45份； (D) 含磷阻燃剂 2?15份； (E) 高成球型二氧化桂 10?55份; (F) 咪唑类促进剂 0 05?5.0份; (G) 硅烷 0.05?5.0份; (H) 有机溶剂 5?50份。2. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特 征在于，所述苯乙烯-甲基纳迪克酸酐的重均分子量在2000?50000。3. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特 征在于，所述苯乙烯-甲基纳迪克酸酐的重均分子量在2000-15000。4. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特 征在于，所述低介电环氧树脂为联苯型环氧树脂、奈环型环氧树脂、聚苯醚型环氧树脂、双 环戊二烯型环氧树脂中的一种或多种混合。5. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特 征在于，所述改性苯并噁嗪树脂为双环戊二烯型苯并恶嗪、聚苯醚型苯并恶嗪、4, 4' -二氨 基二苯基甲烷型苯并恶嗪中的一种或多种混合。6. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特 征在于，所述含磷阻燃剂为一种磷含量15% -20%为磷酸基铵盐与苯氧基磷腈的混合物。7. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特 征在于，所述高成球型二氧化娃为一种微细球形二氧化娃，其平均粒径为0. 5 μ m，最大粒径 不超过24 μ m，纯度在99. 0 %以上。8. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特 征在于，所述有机溶剂选自酮类溶剂或醚类溶剂。9. 权利要求1至8任一项权利要求所述的一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压 基板材料的粘合剂的制备方法，其包括如下步骤： (1) 按配方量在搅拌槽内加入有机溶剂，开启搅拌器，转速500-1500转/分，保持持续 搅拌并控制槽体温度在20-50°C，加入磷系阻燃剂，添加完毕后持续搅拌10-60分钟，再加 入硅烷及高成球型二氧化硅，添加完毕后持续搅拌10-60分钟； (2) 在搅拌槽内按配方量依次加入苯乙烯-甲基纳迪克酸酐、改性苯并噁嗪树脂、改性 无卤环氧树脂，加料过程中保持以1000-1500转/分转速搅拌，添加完毕后开启高效剪切及 乳化1-6小时，同时进行冷却水循环以保持控制槽体温度在20-50°C ; (3) 按配方量称取咪唑类促进剂，用适量有机溶剂完全溶解后，将该溶液加入搅拌槽 内，并持续保持1000-1500转/分搅拌4-13小时，即制得粘合剂。【专利摘要】本专利技术公开的一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其组分按质量份额计如下：(A)苯乙烯-甲基纳迪克酸酐10-60份；(B)低介电环氧树脂10-60份；(C)苯并噁嗪树脂10-45份；(D)含磷阻燃剂2-15份；(E)高成球型二氧化硅10-55份；(F)咪唑类促进剂0.05-5.0份；(G)硅烷0.05-5.0份；(H)有机溶剂5-50份。本专利技术还公开了该粘合剂的制备方法。使用本专利技术的粘合剂制得的覆铜箔板TG≥170℃，具有优异的介电性能和耐热性能，无卤环保，阻燃达到UL94 V-0级别，且具有较低的吸水率和热膨胀系数以及良好的加工性能。【IPC分类】C09J125-08, C09J11-04, C09J179-04, C09J11-06, C09J163-00【公开号】CN104531008【申请号】CN201410835417【专利技术人】粟俊华, 况小军, 席奎东, 包秀银, 张东, 包欣洋 【申请人】上海南亚覆铜箔板有限公司【公开日】2015年4月22日【申请日】2014年12月23日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其组分按质量份额计如下：
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：粟俊华，况小军，席奎东，包秀银，张东，包欣洋，
申请(专利权)人：上海南亚覆铜箔板有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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