本发明专利技术公开了一种射频识别中的整流稳压电路，包括：一耦合电路，用于将输入信号耦合到射频识别卡片端；一限幅检测电路，与所述耦合电路相连接，用于检测整流后的电压幅度；一限幅泄流电路，与所述限幅检测电路相连接，用于泄放多余的电流泄放；一稳压电路，与所述限幅泄流电路相连接，用于进行稳压处理，输出稳定的电源电压供其它电路模块使用。本发明专利技术能提高电路工作稳定性，且电路不容易下电。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种射频识别中的整流稳压电路，包括：一耦合电路，用于将输入信号耦合到射频识别卡片端；一限幅检测电路，与所述耦合电路相连接，用于检测整流后的电压幅度；一限幅泄流电路，与所述限幅检测电路相连接，用于泄放多余的电流泄放；一稳压电路，与所述限幅泄流电路相连接，用于进行稳压处理，输出稳定的电源电压供其它电路模块使用。本专利技术能提高电路工作稳定性，且电路不容易下电。【专利说明】射频识别中的整流稳压电路
本专利技术涉及模拟集成电路中的整流稳压电路领域，特别是涉及一种射频识别中的整流稳压电路。
技术介绍
在射频识别中，由于射频识别卡片大都是无源的，所以射频识别卡片电路的设计就相当关键和重要。在射频识别中，读卡机发出来的是模拟的正弦波信号，射频识别卡片需要耦合读卡机发出来的波形，并从这个波形中获得稳定的电源电压，供其他电路模块正常工作。当耦合的能量过大时，为了不损坏电路中的晶体管，需要对整流输出进行电压幅度的限制，保证最高电压不超过晶体管的安全工作电压，这样能保证各个电路和晶体管安全正常工作，不被损坏。 参见图1，在传统的整流稳压结构中包括耦合电路、限幅电路和稳压电路。当凹槽来临的时候，耦合的能量变小，限幅电路也开始关闭；但是限幅电路关闭需要一个过程，这个时候限幅电路的泄流管M7就会通过电阻R2抽电源电压VVD储能电容C2中的电荷，导致凹槽期间储能电容C2中的电荷被额外消耗，容易导致电源电压VDD的电压迅速降低，最终非常容易导致射频识别卡芯片下电。 另外由于限幅电路和稳压电路的电流都是由NMOS晶体管Ml和M2的输出A点提供，限幅电路和稳压电路就形成了一个非常复杂的环路，容易导致整个整流稳压结构电路的不稳定，甚至会出现电路及电源电压振荡。在设计电路时，由于环路的复杂性，需要进行多种稳定性分析，这也就增加了电路设计难度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种射频识别中的整流稳压电路，能提高电路工作稳定性，且电路不容易下电。 为解决上述技术问题，本专利技术的射频识别中的整流稳压电路，包括: —耦合电路，用于将输入信号耦合到射频识别卡片端； 一限幅检测电路，与所述耦合电路相连接，用于检测整流后的电压幅度； 一限幅泄流电路，与所述限幅检测电路相连接，用于泄放多余的电流泄放； 一稳压电路，与所述限幅泄流电路相连接，用于进行稳压处理，输出稳定的电源电压供其它电路模块使用。 本专利技术在现有的整流稳压电路基础上，将限幅检测电路、限幅泄流电路和稳压电路都分开来处理，使得各个电路模块工作相对独立，这样既简化了电路，使得电路没有非常复杂的环路，节省凹槽期间的功耗，也更加容易保证电路的稳定工作。更重要的是当凹槽来临时，耦合能量变小，限幅泄流管只能从天线端抽电流，不会额外的从电源电压VDD的储能电容中抽电流，这样在不增加储能电容的情况下就能更好地保证整个凹槽期电源电压VDD更加稳定，最大程度上减小了下电的可能。 本专利技术在保持电路稳定工作的前提下，降低了电路设计难度，增强了射频识别电路地整体性能。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图与【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细的说明: 图1是现有的整流稳压电路原理图； 图2是所述射频识别中的整流稳压电路一实施例原理图。 【具体实施方式】 参见图2所示,所述射频识别中的整流稳压电路在一实施例中，包括:一稱合电路，一限幅检测电路，一限幅泄流电路，一稳压电路。 所述耦合电路，由电感LI，电感L2和电容C3组成。电容C3并联在电感L2的两端。输入信号IN通过电感LI和L2耦合到射频识别卡片端，与电容C3发生谐振，产生较高的谐振电压。 所述限幅检测电路由NMOS晶体管M9和M10，PM0S晶体管M11、M12、M13和M14，电阻R5组成。 NMOS晶体管M9的栅极和漏极与所述耦合电路的电感L2的一端相连接，NMOS晶体管MlO的栅极和漏极与所述耦合电路的电感L2的另一端相连接，NMOS晶体管M9的源极与NMOS晶体管MlO的源极相连接，其连接的节点设为A。 PMOS晶体管Ml I的源极与PMOS晶体管M14的源极与所述A点相连接。PMOS晶体管M14的漏极与电阻5的一端相连接，其连接的节点设为B。电阻5的另一端接地。PMOS晶体管M14的栅极与PMOS晶体管Mll的漏极和栅极以及PMOS晶体管M12的源极相连接。PMOS晶体管M12的漏极和栅极与PMOS晶体管M13的源极相连接。PMOS晶体管M13的漏极和栅极接地。 所述限幅泄流电路由NMOS晶体管M15、M16和M17组成。NMOS晶体管M15的栅极和漏极与所述耦合电路的电感L2的一端相连接，NMOS晶体管M16的栅极和漏极与所述耦合电路的电感L2的另一端相连接，NMOS晶体管M15的源极与NMOS晶体管M16的源极相连接，其连接的节点设为B。NMOS晶体管M17的漏极与所述B点相连接，其栅极与所述D点相连接，其源极接地。 所述稳压电路由NMOS晶体管M18、M19和M20，一比较器BJ2，电阻R6、R7和R8，一电容C4组成。 NMOS晶体管M18的栅极和漏极与所述耦合电路的电感L2的一端相连接，NMOS晶体管M19的栅极和漏极与所述耦合电路的电感L2的另一端相连接，NMOS晶体管M18的源极与NMOS晶体管M19的源极相连接，其连接的节点设为C。 电阻R6的一端与所述C点相连接，电阻R6的另一端作为电源电压VDD端。 电阻R7的一端连接电源电压VDD端，另一端与比较器BJ2的正向输入端相连接。电阻R8的一端与比较器BJ2的正向输入端相连接，另一端接地。比较器BJ2的反向输入端输入参考电压VREF。比较器BJ2的输出端与NMOS晶体管M20的栅极相连接。NMOS晶体管M20的漏极连接电源电压VDD端，其源极接地。电容C4连接在比较器BJ2的输出端侧的电源电压VDD与地之间。 所述限幅检测电路是检测整流后的电压幅度，当NMOS晶体管M9的源极与NMOS晶体管MlO的源极电压，即A点电压升高并大于PMOS晶体管M11、M12和M13的阈值电压之和时，限幅检测电路的输出端D点就会输出一个较高的电压开启所述限幅泄流电路中NMOS晶体管M17，NMOS晶体管M17开启后就开始泄放电流，就使得B点电压下降，从而保证A点、B点和C点的电压都稳定在一个电压范围内。PMOS晶体管M11、M12、M13和M14，电阻R5构成了核心限幅检测电路且具有一定的增益，从而保证NMOS晶体管M17能稳定有效的控制B点电压，B点电压稳定也就稳定了 A点和C点的电压，不会损坏后续的电路和晶体管。限幅检测电路和限幅泄流电路构成了一个环路，设计电路时需要AC (交流)分析保证环路的稳定工作。 稳压电路的输入电压由C点提供，通过电阻R7和R8得到一个分压后的电压，和输入参考电压VREF分别输入到比较器BJ2的两端，比较器BJ2的输出控制NMOS晶体管M20。当电源电压VDD电压较高时，分压得到的电压也就比参考电压VREF电压高，那么比较器BJ2就输出一个高电压，使得NMOS晶体管M20泄放更多的电流，电阻R6也会有更多的电流流过，电阻R6压降增大就是使得电源电压VDD的电压本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种射频识别中的整流稳压电路，包括：一耦合电路，用于将输入信号耦合到射频识别卡片端；其特征在于，还包括：一限幅检测电路，与所述耦合电路相连接，用于检测整流后的电压幅度；一限幅泄流电路，与所述限幅检测电路相连接，用于泄放多余的电流泄放；一稳压电路，与所述限幅泄流电路相连接，用于进行稳压处理，输出稳定的电源电压供其它电路模块使用。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：傅志军，马和良，
申请(专利权)人：上海华虹集成电路有限责任公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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