本实用新型专利技术公开了一种纹波衰减器，包括电阻R1、电容C1、电感L1、电感L2、电感L4和芯片U1。本实用新型专利技术采用更有优势的电路替代现有的传统电路，来抑制开关电源变换器的输出噪声。本实用新型专利技术的优点：1.集成了有源滤波和无源滤波电路，对共模和差模纹波均有非常好的抑制效果，差模纹波可衰减至1mV以下，共模纹波可衰减至10mV以下；2.在50mV～100mV的极低压差下工作，损耗低、发热量小；3.输出电压跟踪输入电压变化，不同输出电压时不必修改电路参数，使用方便；4.因损耗小，电路可集成在1～2平方英寸面积内，节约PCB空间。
【技术实现步骤摘要】
一种纹波衰减器
本技术涉及一种衰减器，具体是一种纹波衰减器。
技术介绍
开关电源变换器在工作时输出端会产生较大的纹波电压(一般为几百毫伏)，这限制了开关电源在精密测量等领域的应用，因为较大的纹波会降低电路的信噪比，进而影响测量结果的精度，目前为减小纹波干扰，采用的方法如下:1.采用线性电源，线性电源虽然电路简洁，但转换效率很低，一般为30%?60%，持续发热量较大、体积庞大，并且，一般输出功率均较小，只可用在小功率供电场合；2.采用开关电源加输出滤波器的方法，此方法功率较大，但对差模纹波噪声的抑制效果有限，依旧不能满足很多场合的应用。3.采用开关电源与线性电源级联的方式，此方法体积小，效率相对较高，纹波抑制效果好，但因线性电源存在，输出功率依旧较小，其中线性电源部分压差为1.5?3V，损耗较大，不同输出电压时，需要对线性电路参数进行调整，以匹配输出电压，较为繁琐。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种共模纹波衰减小且体积小的纹波衰减器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。 为实现上述目的，本技术提供如下技术方案: 一种纹波衰减器，包括电阻R1、电容Cl、电感L1、电感L2、电感L4和芯片U1，所述电感LI两端分别连接+SIN段和+S端，所述电感L2 —端分别连接+VO端和电容C8，电容C8另一端分别连接-VO端和电感L3，电感L3另一端连接电容C7并接地，电容C7另一端分别连接电感L2另一端、MOSFOT管Ql的D极、MOSFOT管Q2的D极、二极管Dl正极、二极管D2正极、电容C3和电阻R16，MOSFOT管Ql的S极分别连接接地电容C6、MOSFOT管Q2的S极、二极管D5负极、+VIN端、电阻R1、芯片Ul引脚8和电容C4，MOSFOT管Ql的G极连接电阻R15，电阻R15另一端分别连接电阻R14、二极管D15正极、二极管D4负极和电阻R7，电阻R14另一端连接MOSFOT管Q2的G极，所述二极管D4正极分别连接二极管D3负极、芯片Ul引脚7、电阻Rll和电阻R13，二极管D3正极连接电阻R12，电阻R12另一端分别连接电阻Rll另一端、电阻R8、电容C5和芯片Ul引脚6，芯片Ul引脚5分别连接电阻R13另一端、电阻R9和电阻R10，电阻R9另一端连接VIN端，所述电阻RlO另一端连接电容C5另一端并接地，所述电阻R8另一端分别连接二极管Dl负极和二极管D2负极，所述电阻R7另一端分别连接电容C2和芯片Ul引脚1，电容C2另一端连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接电阻R5和芯片Ul引脚2，芯片Ul引脚4连接电容C4另一端并接地，芯片Ul引脚3分别连接电阻R16、电阻R17和电容C3另一端，电阻R17另一端连接-VIN端并接地，所述电阻R5另一端分别连接接地电阻R18和电阻R4，电阻R4另一端连接电阻R3，电阻R3另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接电阻Rl另一端和接地电容Cl，所述电感L4两端分别连接-SIN端和-S端；所述芯片Ul型号为0PA2227。 作为本技术进一步的方案:所述电感L2与电感L3形成互耦电感。 与现有技术相比，本技术的有益效果是:本技术采用更有优势的电路替代现有的传统电路，来抑制开关电源变换器的输出噪声。本技术的优点:1.集成了有源滤波和无源滤波电路，对共模和差模纹波均有非常好的抑制效果，差模纹波可衰减至ImV以下，共模纹波可衰减至1mV以下；2.在5OmV?10mV的极低压差下工作，损耗低、发热量小；3.输出电压跟踪输入电压变化，不同输出电压时不必修改电路参数，使用方便；4.因损耗小，电路可集成在I?2平方英寸面积内，节约PCB空间。 【附图说明】 图1为一种纹波衰减器的电路图。 【具体实施方式】 下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 请参阅图1，本技术实施例中，一种纹波衰减器，包括电阻R1、电容Cl、电感L1、电感L2、电感L4和芯片Ul，电感LI两端分别连接+SIN段和+S端，电感L2 —端分别连接+VO端和电容C8，电容C8另一端分别连接-VO端和电感L3，电感L3另一端连接电容C7并接地，电容C7另一端分别连接电感L2另一端、MOSFOT管Ql的D极、MOSFOT管Q2的D极、二极管Dl正极、二极管D2正极、电容C3和电阻R16，MOSFOT管Ql的S极分别连接接地电容C6、M0SF0T管Q2的S极、二极管D5负极、+VIN端、电阻R1、芯片Ul引脚8和电容C4，MOSFOT管Ql的G极连接电阻R15，电阻R15另一端分别连接电阻R14、二极管D15正极、二极管D4负极和电阻R7，电阻R14另一端连接MOSFOT管Q2的G极，二极管D4正极分别连接二极管D3负极、芯片Ul引脚7、电阻Rll和电阻R13，二极管D3正极连接电阻R12，电阻Rl2另一端分别连接电阻Rll另一端、电阻R8、电容C5和芯片Ul引脚6，芯片Ul引脚5分别连接电阻Rl3另一端、电阻R9和电阻RlO，电阻R9另一端连接VIN端，电阻RlO另一端连接电容C5另一端并接地，电阻R8另一端分别连接二极管Dl负极和二极管D2负极，电阻R7另一端分别连接电容C2和芯片Ul引脚1，电容C2另一端连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接电阻R5和芯片Ul引脚2，芯片Ul引脚4连接电容C4另一端并接地，芯片Ul引脚3分别连接电阻R16、电阻R17和电容C3另一端，电阻R17另一端连接-VIN端并接地，电阻R5另一端分别连接接地电阻R18和电阻R4，电阻R4另一端连接电阻R3，电阻R3另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接电阻Rl另一端和接地电容Cl，电感L4两端分别连接-SIN端和-S端；芯片Ul型号为0PA2227。 电感L2与电感L3形成互耦电感。 本技术采用更有优势的电路替代现有的传统电路，来抑制开关电源变换器的输出噪声。集成了有源滤波和无源滤波电路，对共模和差模纹波均有非常好的抑制效果，差模纹波可衰减至ImV以下，共模纹波可衰减至1mV以下；在5OmV?10mV的极低压差下工作，损耗低、发热量小；输出电压跟踪输入电压变化，不同输出电压时不必修改电路参数，使用方便；因损耗小，电路可集成在I?2平方英寸面积内，节约PCB空间。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种纹波衰减器，包括电阻R1、电容C1、电感L1、电感L2、电感L4和芯片U1，其特征在于，所述电感L1两端分别连接+SIN段和+S端，所述电感L2一端分别连接+VO端和电容C8，电容C8另一端分别连接‑VO端和电感L3，电感L3另一端连接电容C7并接地，电容C7另一端分别连接电感L2另一端、MOSFOT管Q1的D极、MOSFOT管Q2的D极、二极管D1正极、二极管D2正极、电容C3和电阻R16，MOSFOT管Q1的S极分别连接接地电容C6、MOSFOT管Q2的S极、二极管D5负极、+VIN端、电阻R1、芯片U1引脚8和电容C4，MOSFOT管Q1的G极连接电阻R15，电阻R15另一端分别连接电阻R14、二极管D15正极、二极管D4负极和电阻R7，电阻R14另一端连接MOSFOT管Q2的G极，所述二极管D4正极分别连接二极管D3负极、芯片U1引脚7、电阻R11和电阻R13，二极管D3正极连接电阻R12，电阻R12另一端分别连接电阻R11另一端、电阻R8、电容C5和芯片U1引脚6，芯片U1引脚5分别连接电阻R13另一端、电阻R9和电阻R10，电阻R9另一端连接VIN端，所述电阻R10另一端连接电容C5另一端并接地，所述电阻R8另一端分别连接二极管D1负极和二极管D2负极，所述电阻R7另一端分别连接电容C2和芯片U1引脚1，电容C2另一端连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接电阻R5和芯片U1引脚2，芯片U1引脚4连接电容C4另一端并接地，芯片U1引脚3分别连接电阻R16、电阻R17和电容C3另一端，电阻R17另一端连接‑VIN端并接地，所述电阻R5另一端分别连接接地电阻R18和电阻R4，电阻R4另一端连接电阻R3，电阻R3另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接电阻R1另一端和接地电容C1，所述电感L4两端分别连接‑SIN端和‑S端；所述芯片U1型号为OPA2227。...
【技术特征摘要】
1.一种纹波衰减器，包括电阻R1、电容Cl、电感L1、电感L2、电感L4和芯片Ul，其特征在于，所述电感LI两端分别连接+SIN段和+S端，所述电感L2 —端分别连接+VO端和电容C8，电容C8另一端分别连接-VO端和电感L3，电感L3另一端连接电容C7并接地，电容C7另一端分别连接电感L2另一端、MOSFOT管Ql的D极、MOSFOT管Q2的D极、二极管Dl正极、二极管D2正极、电容C3和电阻R16，M0SF0T管Ql的S极分别连接接地电容C6、M0SF0T管Q2的S极、二极管D5负极、+VIN端、电阻R1、芯片Ul引脚8和电容C4，MOSFOT管Ql的G极连接电阻R15，电阻R15另一端分别连接电阻R14、二极管D15正极、二极管D4负极和电阻R7，电阻R14另一端连接MOSFOT管Q2的G极，所述二极管D4正极分别连接二极管D3负极、芯片Ul引脚7、电阻Rl I和电阻Rl3，二极管D3正极连接电阻Rl2，电阻Rl2另一端分别...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏长亮，
申请(专利权)人：天津宇拓电源有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12
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