【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种即便在由磁阻膜构成磁阻元件的情况下、也能恰当地抑制谐波分量的影响的磁传感器装置及磁性编码器装置，在磁传感器(20)中，第一磁阻元件组(Ra)和第二磁阻元件组(Rb)在隔开磁介质(9)的磁极间隔(S极与N极的间隔：磁极间隔)以上的距离的位置彼此与相同的极相对。多个磁阻元件(R1～R4、R11～R14)被配置成抵消三阶谐波分量及五阶谐波分量，第一磁阻元件组(Ra)和第二磁阻元件组(Rb)被配置成抵消七阶谐波分量。因此，即便磁阻元件(25(+a)、25(－a)、25(+b)、25(－b))的内部电阻与磁场的关系不对称，上述影响的差也不易波及第一磁阻元件组(Ra)及第二磁阻元件组(Rb)。【专利说明】磁传感器装置及磁性编码器装置
本技术涉及磁传感器装置及使用该磁传感器装置的磁性编码器装置。
技术介绍
磁性编码器装置等中使用的磁传感器装置具有磁介质和与磁介质相对的磁传感器，磁传感器对伴随着其与磁介质的相对移动而产生的磁场变化进行检测。在上述磁传感器装置中，如图11(a)中的实线所示，设于磁传感器的磁阻元件的内部电阻R利用与磁场H的变化...
【技术保护点】
一种磁传感器装置，包括：磁介质；以及磁传感器，该磁传感器与所述磁介质相对，并对伴随着与所述磁介质的相对移动而产生的磁场变化进行检测；在所述磁介质上沿着所述磁介质与所述磁传感器的相对移动方向隔着λ的间隔交替地配置有S极和N极，其特征在于，所述磁传感器包括：第一磁阻元件组，该第一磁阻元件组具有由磁阻膜构成的多个磁阻元件；以及第二磁阻元件组，该第二磁阻元件组具有由磁阻膜构成的多个磁阻元件，并与所述第一磁阻元件组成对，所述第二磁阻元件组在相对于所述第一磁阻元件组隔着λ以上的距离的位置与和所述第一磁阻元件组相同的极相对。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：横内毅，川手浩，
申请(专利权)人：日本电产三协株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP
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