【技术实现步骤摘要】
一种时分复用高速LVDS端口电路
本专利技术涉及一种端口电路,特别是一种时分复用高速LVDS端口电路,属于数模转换器
技术介绍
应用于无线通信设备和雷达等军用设备的数模转换器的输入端口输入数模转换器的数字数据。当数模转换器的分辨率较高时,其输入端口的数量也相应较多。随着数模转换器转换速率越来越高,其端口大多采用差分端口以降低噪声,这进一步增多了端口的数目。在多核应用中,传统的数模转换器为每一个转换器核配置相应的数据端口,使其端口数目倍增。过多的端口影响了数模转换器的应用难度,且增加了电路的封装成本。在一般的应用中,高速数模转换器的输入端口都采用LVDS信号,其优点是速度高、功耗低、噪声小,可以低电源供电,时序定位准确,并有较强的抑制电磁干扰的能力。每对LVDS端口包括差分的两路信号,接收器一般为高直流输入阻抗,全部的驱动电流都流经100Ω的终端匹配电阻,在接收器输入端产生约350mV(最大400mV)的电压。一般来说,过多的端口增加了封装时需要引出的管脚数,增加了封转的难度和封装的成本,增加了电路封装后的尺寸,不利于电路的应用。从使用者的角度而言,过多的管脚增加了焊接的难度,也不利于应用。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题为:克服现有技术的不足,提供一种时分复用高速LVDS端口电路,本专利技术减少了多核高速高精度数模转换器输入端口数目,解决了如何通过数字控制实现多路信号发送的问题,大大提高了对数模转换器数据输入端口的利用效率。通过时分复用LVDS端口,端口数目减小为原来的四分之一,大大减小了输出端口的数目。本专利技术的技术解决方案是:一种时分复 ...
【技术保护点】
一种时分复用高速LVDS端口电路,其特征在于包括:一级接收电路、第一二级接收电路、第二二级接收电路、第三二级接收电路、第四二级接收电路和控制电路; 一级接收电路的输入端与外部信号连接,控制电路的输入端与外部时钟信号电连接,第一二级接收电路、第二二级接收电路、第三二级接收电路和第四二级接收电路的数据输入端均与一级接收电路的输出端电连接,控制信号输入端均与控制电路的输出端电连接; 一级接收电路在第一时钟信号一个时钟周期内的第一个1/4周期至第四个1/4时钟周期依次接收四组标准LVDS信号,并对接收到的信号进行信号采集和电平平移,将外部LVDS信号电平转换为标准CMOS电平后,将一个周期长度的信号同时输出给第一二级接收电路~第四二级接收电路;控制电路接收第一时钟信号生成第一控制信号~第四控制信号,利用第一控制信号~第四控制信号分别控制第一二级接收电路~第四二级接收电路; 第一二级接收电路~第四二级接收电路分别接收第一控制信号~第四控制信号,在同一个时钟周期内依次工作,接收一级接收电路的输出信号并输出。
【技术特征摘要】
1.一种时分复用高速LVDS端口电路,其特征在于,包括:一级接收电路、第一二级接收电路、第二二级接收电路、第三二级接收电路、第四二级接收电路和控制电路;一级接收电路的输入端与外部标准LVDS信号连接,控制电路的输入端与第一时钟信号电连接,第一二级接收电路、第二二级接收电路、第三二级接收电路和第四二级接收电路的数据输入端均与一级接收电路的输出端电连接,控制信号输入端均与控制电路的输出端电连接;一级接收电路在第一时钟信号一个时钟周期内的第一个1/4周期至第四个1/4时钟周期依次接收四组外部标准LVDS信号,并对接收到的信号进行信号采集和电平平移,将外部标准LVDS信号电平转换为标准CMOS电平后,将一个周期长度的信号同时输出给第一二级接收电路~第四二级接收电路;控制电路接收第一时钟信号生成第一控制信号~第四控制信号,利用第一控制信号~第四控制信号分别控制第一二级接收电路~第四二级接收电路;第一二级接收电路~第四二级接收电路分别接收第一控制信号~第四控制信号,在同一个时钟周期内依次工作,接收一级接收电路的输出信号并输出。2.根据权利要求1所述的一种时分复用高速LVDS端口电路,其特征在于:所述一级接收电路包括:预放大器、源跟随器、比较器、第一伪差分放大器和第二伪差分放大器;预放大器接收外部标准LVDS信号,对外部标准LVDS信号中的两路差分信号分别采样并放大N1倍后输出给源跟随器,源跟随器对接收到的两路差分信号进行电平平移,将两路差分信号的电平平移至比较器可处理的电平范围内,比较器接收电平平移后的两路差分信号,将两路差分信号放大N2倍后,将两路差分信号中的正数据输出给第一伪差分放大器,负数据输出给第二伪差分放大器,第一伪差分放大器和第二伪差分放大器将接收到的数据电平转换成CMOS电平后输出,所述1.7>N1>1.2,N2>20。3.根据权利要求1所述的一种时分复用高速LVDS端口电路,其特征在于:所述控制...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵元富,文治平,王宗民,陈飞祥,彭新芒,侯贺刚,
申请(专利权)人:北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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