发光装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置以及电子设备。在该发光装置的半导体基板上形成包括根据栅极的电位来控制驱动电流的驱动晶体管的多个晶体管、以与驱动电流相应的亮度发光的发光元件、以及将各晶体管电分离的元件分离部。元件分离部具有在形成于上述半导体基板的槽部的内部填充绝缘体的结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如利用了有机EL材料等发光材料的发光装置。
技术介绍
以往作为各种电子设备的显示装置提出有将例如利用了有机EL材料的发光元件排列在基板上而成的发光装置。专利文献1公开了利用单晶的半导体基板的表面按每一发光元件形成的多个晶体管来控制发光元件的发光的结构。在专利文献1的技术中，利用了选择地热氧化半导体基板的表面的LOCOS(Local Oxidation of Silicon：硅的局部氧化)法形成的氧化膜被用于各晶体管的元件分离。专利文献1：日本特开2012－083765号公报然而，在高精细的图像显示的实现上，需要高密度地配置各发光元件。但是，若利用在专利文献1中公开的LOCOS法，则原理上难以充分地缩小各晶体管的间隔，所以存在发光元件的高密度化受到制约这样的问题。
技术实现思路
考虑以上的情况，本专利技术的目的在于缩小被用于发光元件的驱动的各晶体管的间隔并实现发光元件的高密度化。为了解决以上的课题，本专利技术具备：半导体基板；多个晶体管，其包括根据栅极的电位来控制驱动电流的驱动晶体管且形成于半导体基板；发光元件，其以与驱动电流相应的亮度发光；以及STI(Shallow Trench Isolation：浅沟槽隔离)结构的元件分离部，该元件分离部将多个晶体管中的一个晶体管和其他的晶体管分离且形成于半导体基板。在以上的结构中，由于通过半STI结构的元件分离部将半导体基板上的各晶体管分离，所以与将利用LOCOS法形成的氧化膜用于各晶体管的元件分离的专利文献1的技术相比，能够缩小各晶体管T的间隔。因此，有能够实现发光元件的高密度化这样的优点。此外，元件分离部所采用的STI结构指在形成于半导体基板的表面的槽部填充了绝缘体(典型的为氧化层)的结构(埋入型)。在本专利技术的优选的方式中，多个晶体管包括根据灰度电位来设定驱动晶体管的栅极的电位的第一晶体管，元件分离部将驱动晶体管和第一晶体管分离。根据以上的方式，能够将根据灰度电位来设定驱动晶体管的栅极的电位的第一晶体管从驱动晶体管有效地分离(防止在半导体基板的内部的电流的漏电)。在本专利技术的优选的方式中，多个晶体管包括配置在驱动电流的路径上并控制针对发光元件的驱动电流的供给以及断开的第二晶体管，元件分离部将驱动晶体管和第二晶体管分离。根据以上的方式，能够将控制针对发光元件的驱动电流的供给以及断开的第二晶体管从驱动晶体管有效地分离。在本专利技术的优选的方式中，多个晶体管具备控制驱动晶体管的栅极和漏极的导通的第三晶体管，元件分离部将驱动晶体管和第三晶体管分离。根据以上的方式，能够将控制驱动晶体管的栅极和漏极的导通的第三晶体管从驱动晶体管有效地分离。在本专利技术的优选的方式中，多个晶体管分别包括作为源极或者漏极的一方而发挥作用的扩散层，元件分离部的厚度超过扩散层的厚度。在以上的方式中，由于元件分离部的厚度超过扩散层的厚度，所以与元件分离层的厚度低于扩散层的厚度的结构相比，有能够防止在相邻的各晶体管的扩散层之间的电流的漏电这样的优点。在本专利技术的优选的方式中，元件分离部的宽度超过多个晶体管中的一个晶体管的沟道宽度(例如多个晶体管的沟道宽度的最大值)。在以上的方式中，由于将元件分离部的宽度设定为超过晶体管的沟道宽度的尺寸，所以与元件分离部的宽度低于晶体管的沟道宽度的构结构相比，有能够将各晶体管有效地分离这样的优点。在本专利技术的优选的方式中，针对多个各像素的每一个，多个晶体管包含包括驱动晶体管的两个以上的晶体管，元件分离部将多个像素中的第一像素的晶体管和与第一像素相邻的第二像素的晶体管分离。在以上的方式中，除了有将一个像素内的各晶体管分离的优点外，还有在相邻的各像素间也将晶体管有效地分离这样的优点。根据元件分离部中的将第一像素的晶体管和第二像素的晶体管分离的部分的宽度超过多个晶体管中的一个晶体管的沟道宽度的结构，以上的效果特别地显著。在本专利技术的优选的方式中，上述元件分离部也可以为在形成于上述半导体基板的槽部的内部填充绝缘体的结构。为了解决以上的课题，本专利技术的特征在于，具备：半导体基板；形成于上述半导体基板的多个晶体管；发光元件；形成于上述半导体基板的槽部；以及在上述槽部的内部填充的绝缘体，上述多个晶体管包括根据栅极的电位来控制流向上述发光元件的驱动电流的驱动晶体管，在上述多个晶体管中的一个晶体管和其他的晶体管之间配置上述绝缘体。以上的各方式所涉及的发光装置例如作为显示装置被用于各种电子设备。具体而言，作为本专利技术的电子设备的优选例能够例示出头部佩戴型显示装置、拍摄装置的电子式取景器等，但本专利技术的适用范围并不局限于以上的例示。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式所涉及的发光装置的俯视图。图2是像素的电路图。图3是发光装置的剖视图。图4是元件分离部的制造工序的说明图。图5是像素间的元件分离部(槽部)的说明图。图6是各元件部以及元件分离部的俯视图。图7是各晶体管的栅极的俯视图。图8是布线层WA的俯视图。图9是布线层WB的俯视图。图10是布线层WC的俯视图。图11是布线层WD的俯视图。图12是布线层WE的俯视图。图13是布线层WF的俯视图。图14是第一电极的俯视图。图15是第二实施方式中的像素的电路图。图16是各元件部以及元件分离部的俯视图。图17是各晶体管的栅极的俯视图。图18是布线层WA的俯视图。图19是布线层WB的俯视图。图20是布线层WC的俯视图。图21是布线层WD的俯视图。图22是布线层WE的俯视图。图23是第一电极的俯视图。图24是作为电子设备的一个例子的头部佩戴型显示装置的示意图。具体实施方式第一实施方式图1是本专利技术的第一实施方式所涉及的发光装置100的俯视图。第一实施方式的发光装置100是在半导体基板10的表面形成有包括利用了有机EL材料的发光元件的多个像素P的有机EL装置。半导体基板10是由硅(silicon)等半导体材料的单晶构成的板状部件。如图1所例示的那样，在半导体基板10的表面划定显示区域11、周边区域12以及安装区域13。显示区域11是排列了多个像素P的矩形区域。在显示区域11形成向X方向延伸的多条扫描线22、与各扫描线22对应地向X方向延伸的多条控制线24、以及向与X方向交叉的Y方向延伸的多条信号线26。与多条扫描线22和多条本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具备：半导体基板；多个晶体管，其包括根据栅极的电位来控制驱动电流的驱动晶体管且形成于所述半导体基板；发光元件，其以与所述驱动电流相应的亮度发光；以及STI结构的元件分离部，该元件分离部将所述多个晶体管中的一个晶体管和其他的晶体管分离且形成于所述半导体基板。

【技术特征摘要】
2013.09.12 JP 2013-1891081.一种发光装置，其特征在于，具备：
半导体基板；
多个晶体管，其包括根据栅极的电位来控制驱动电流的驱动晶体管
且形成于所述半导体基板；
发光元件，其以与所述驱动电流相应的亮度发光；以及
STI结构的元件分离部，该元件分离部将所述多个晶体管中的一个
晶体管和其他的晶体管分离且形成于所述半导体基板。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述多个晶体管包括根据灰度电位来设定所述驱动晶体管的所述
栅极的电位的第一晶体管，
所述元件分离部将所述驱动晶体管和所述第一晶体管分离。
3.根据权利要求1或者2所述的发光装置，其特征在于，
所述多个晶体管包括配置在所述驱动电流的路径上并控制针对所
述发光元件的驱动电流的供给以及断开的第二晶体管，
所述元件分离部将所述驱动晶体管和所述第二晶体管分离。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述多个晶体管具备控制所述驱动晶体管的栅极和漏极的导通的
第三晶体管，
所述元件分离部将所述驱动晶体管和所述第三晶体管分离。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述多个晶体管分别包括作为源极或者漏极的一方而发挥作用的
扩散层，
所述元件分离部的厚度超...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田人嗣，野泽陵一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP