一种低功耗、低噪声的混频器制造技术

本申请公开了一种低功耗、低噪声的混频器，包括跨导级电路、开关级电路、负载级电路和动态电流源；所述跨导级电路中，电容一的第二端连接第一对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极，并通过电阻三接地；电容二的第二端连接第二对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极，并通过电阻四接地；所述动态电流源中，PMOS晶体管一的源极连接PMOS晶体管二的栅极和第一对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极；PMOS晶体管二的源极连接PMOS晶体管一的栅极和第二对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极。本申请通过在跨导级电路中省略NMOS晶体管，新增动态电流源，可以降低电路的整体功耗和静态功耗，还可减少电路的闪烁噪声。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低功耗、低噪声的混频器，包括跨导级电路、开关级电路、负载级电路；所述开关级电路由两对差分开关对所组成；第一对差分开关对由共源极的NMOS晶体管三、NMOS晶体管四所组成，第二对差分开关对由共源极的NMOS晶体管五、NMOS晶体管六所组成；每一对差分开关对中的两个NMOS晶体管的栅极分别接收一对差分输入的本振信号；其特征是，所述混频器还包括动态电流源；所述跨导级电路包括电容一、电容二、电阻三、电阻四；电容一的第一端、电容二的第一端分别接收一对差分输入的电压信号，电容一的第二端连接开关级电路中第一对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极，并通过电阻三接地；电容二的第二端连接开关级电路中第二对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极，并通过电阻四接地；所述负载级电路由负载电阻一、负载电阻二、电阻五、电容四构成；每个负载电阻均连接工作电压和开关级电路；电阻五和电容四均连接工作电压和动态电流源中两个PMOS晶体管的共漏极；所述动态电流源由共漏极的PMOS晶体管一和PMOS晶体管二构成；PMOS晶体管一的源极连接PMOS晶体管二的栅极和开关级电路中第一对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极；PMOS晶体管二的源极连接PMOS晶体管一的栅极和开关级电路中第二对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄颋，
申请(专利权)人：锐迪科微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31