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CMOS工艺恒定增益放大器制造技术

技术编号:11207611 阅读:91 留言:0更新日期:2015-03-26 16:13
CMOS工艺恒定增益放大器,包括输入级对管和负载,其特征在于:所述输入级对管的非公共端之间还连接有阻值R符合GM*R>A的电阻器件,其中GM为输入级对管跨导,A为预设的离散参数。采用本发明专利技术所述CMOS工艺恒定增益放大器,用于电阻器件对流过两个差分之路的电流进行分流,使输入级的漏极电压近似,从而对输入级对管的跨导进行了平衡,运算放大器的增益跟随输入差分电压变化而的幅度大大缩小。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
CMOS工艺恒定增益放大器,基于CMOS工艺,包括输入级对管和负载,其特征在于:所述输入级对管的非公共端之间还连接有阻值R符合GM*R>A的电阻器件,其中GM为输入级对管跨导,A为预设的离散参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:何阳
申请(专利权)人:何阳
类型:发明
国别省市:四川;51

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