一种碳纳米CT成像系统及成像方法技术方案

技术编号:11206444 阅读:89 留言:0更新日期:2015-03-26 14:47
一种碳纳米CT成像系统及成像方法,包括机架、控制系统、计算机系统、探测器、准直器、过滤器和若干个碳纳米射线源,其中,若干个所述碳纳米射线源呈环形阵列均匀设置于所述机架上,用于发射X射线;所述控制系统与所述碳纳米射线源连接,用于控制碳纳米射线源在指定时间对指定位置发射X射线。本发明专利技术提供的一种碳纳米CT成像系统及成像方法,实现对待测对象进行定点、定时、定量的X射线扫描,使扫描方式更具有针对性,减少待测对象X射线的摄入量,同时,本发明专利技术的成像系统不需要采用滑环实现了X射线扫描功能,降低了CT成像系统的制造成本,另外,该碳纳米射线源具有响应速度快、散热效果好,使用寿命长的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及医疗成像设备领域,尤其涉及CT(Computed Tomography,计算机断层扫描)成像系统及成像方法。
技术介绍
传统螺旋CT成像系统主要包括:X射线源、高压发生器、探测器、机架、滑环等部件。其工作原理为:X射线源发出X射线,穿过人体到达探测器,其中,X射线源通过滑环与探测器连接,传输X射线获取的信号,并通过探测器将信号发送至计算机系统;在X射线扫描人体时,X射线源围绕人体连续匀速旋转,同时扫描床同步匀速递进,使扫描轨迹呈螺旋状前进,从而快速、不间断地完成容积扫描,获取扫描对象某一部位的断面信息。在每次扫描过程中,探测器接收穿过人体后的衰减X射线信息,通过模数转换器将模拟信号转换成数字信号,输入至电子计算机内;经过电子计算机高速计算,得出该层面各点的X射线吸收数据,利用该吸收数据组成图像矩阵,在显示器上按照不同灰度等级显示断面图像,从而清楚地观察到断面的解剖结构。传统X射线源采用热阴极作为电子发射源。由于阴极的工作温度高,热阴>极无法骤然降温或冷本文档来自技高网...
一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/05/201410735226.html" title="一种碳纳米CT成像系统及成像方法原文来自X技术">碳纳米CT成像系统及成像方法</a>

【技术保护点】
一种碳纳米CT成像系统,包括机架(10)、控制系统(40)、计算机系统(90)、探测器(80)、准直器(60)、过滤器(70)和若干个碳纳米射线源(50),其特征在于,所述碳纳米射线源(50)的数量为80个至120个之间,呈环形阵列均匀设置于所述机架(10)上,用于发射X射线;所述控制系统(40)与所述碳纳米射线源(50)连接,用于控制碳纳米射线源(50)在指定时间对指定位置发射X射线;所述过滤器(70)与每一个所述碳纳米射线源(50)对应放置,用于过滤X射线;所述准直器(60)放置于所述过滤器(70)与碳纳米射线源(50)之间,分别与过滤器(70)和碳纳米射线源(50)对应,用于控制X射线的...

【技术特征摘要】
1.一种碳纳米CT成像系统,包括机架(10)、控制系统(40)、计算机系统(90)、
探测器(80)、准直器(60)、过滤器(70)和若干个碳纳米射线源(50),其特征在于,
所述碳纳米射线源(50)的数量为80个至120个之间,呈环形阵列均匀设置于所
述机架(10)上,用于发射X射线;所述控制系统(40)与所述碳纳米射线源(50)连
接,用于控制碳纳米射线源(50)在指定时间对指定位置发射X射线;所述过滤器
(70)与每一个所述碳纳米射线源(50)对应放置,用于过滤X射线;所述准直器(60)
放置于所述过滤器(70)与碳纳米射线源(50)之间,分别与过滤器(70)和碳纳米射
线源(50)对应,用于控制X射线的照射范围;所述探测器(80)与所述碳纳米射线
源(50)平行对应放置,探测器(80)与碳纳米射线源(50)之间放置有待测对象(20),
探测器(80)与所述计算机系统(90)连接。
2.根据权利要求1所述的碳纳米CT成像系统,其特征在于,所述碳纳米
射线源(50)包括壳体(110)、碳纳米管阴极(120)、阳极(150)、栅极(130)和聚焦极
(140);所述碳纳米管阴极(120)和阳极(150)分别位于所述壳体(110)的两侧,所述
栅极(130)和聚焦极(140)位于碳纳米管阴极(120)和阳极(150)之间。
3.根据权利要求2所述的碳纳米CT成像系统,其特征在于,所述碳纳米
管阴极(120)包括放射面(121),所述放射面(121)为凹形曲面。
4.根据权利要求2所述的碳纳米CT成像系统,其特征在于,所述阳极(150)
包括激发端(151)和底座(152),所述激发端(151)和底座(152)分别位于阳极(150)
的两侧。
5.根据权利要求2所述的碳纳米CT成像系统,其特征在于,所述栅极(130)
位于碳纳米管阴极(120)一侧,栅极(130)的表面设有栅极孔(131);所述聚焦极(140)
位于阳极(150)一侧,聚焦极(140)的表面设有聚焦孔(141)。
6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭思晴张成祥郑海荣胡占利陈垚桂建宝洪序达张韵婉
申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院
类型:发明
国别省市:广东;44

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