一种用于相变存储器的相变材料及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子领域相变材料及其制备方法，特别是涉及一种用于相变存储器的（Ti-N）1-X -（SbYTe）X薄膜相变材料。
技术介绍
信息的存储和传递是促进思想传播和推动人类文明进步的重要保障。自从晶体管专利技术到集成电路的问世，人类历史上经历了五次信息处理技术革命，迎来了灿烂的信息时代。信息技术的巨大进步推动着存储技术朝着非易失性、低操作功耗和高存取速度方向快速发展。作为目前主流的不挥发存储技术，闪存在信息存储中被广泛应用。然而随着集成电路的不断发展，闪存写入速度慢，写入电压高、循环次数有限等缺点直接限制了其进一步应用。因此，寻求一种可代替闪存的新一代不挥发存储技术成为信息技术进步的必然之路。相变存储器（PCM）以其快速的写入速度，非易失性的存储特点，在国际上被看作是将来的主流存储模式。PCM一般指的是基于硫系化合物薄膜的随机存储器。其利用晶态和非晶态两种微观结构在电学性能上的明显差异来完成数据的读写。Sb-Te系列存储材料，以其高速度低熔点的特点，在相变材料中占有重要地位。然而其热稳定性不能满足很多行业的需要，一直制约着...
【技术保护点】
一种用于相变存储器的相变材料，其特征在于所述材料为包含Ti‑N和SbYTe材料的化合物，其组成通式为（Ti‑N）1‑X ‑（SbYTe）X，其中0.15＜X＜1，0＜Y＜9。
【技术特征摘要】
1.一种用于相变存储器的相变材料，其特征在于所述材料为包含Ti-N和SbYTe材料的化合物，其组成通式为（Ti-N）1-X -（SbYTe）X，其中0.15＜X＜1，0＜Y＜9。
2.根据权利要求书1所述的（Ti-N）1-X -（SbYTe）X相变材料，其特征在于： SbYTe材料与Ti-N形成纳米尺度化合物，其晶粒的生长受到大大抑制，具有更高的结晶温度和数据保持力，热稳定性得到极大改善。
3.一种用于相变存储器的相变材料，其特征在于：Ti-N的加入，可以更好的提高Ti-N电极和相变材料的界面特性，提高基于（Ti-N）1-X -（SbYTe）X相变材料的器件稳定性，此外Ti-N与标准的半导体集成电路制造工艺高度兼容。
4.一种用于相变存储器的相变材料，其特征在于： Ti-N的组分不受限制，Ti和N的比例不限为1：1的TiN，可以为非1：1比例的Ti-N，如TiN2，Ti2N等。
5.所述的（Ti-N）1-X -（SbYTe）X相变材料，其特征在于：Ti-N的制备方式不受限制，Ti-N的形成可以通过溅射固态的Ti-N靶获得Ti-N薄膜，也可以是利用Ti靶在N2气氛下溅射形成Ti-N薄膜，等...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩培高，吴良才，孟云，宋志棠，徐岭，马忠元，
申请(专利权)人：曲阜师范大学，
类型：发明
国别省市：山东;37
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0来自[北京市电信互联网数据中心] 2015年03月26日 12:25物质从一种相转变为另一种相的过程。物质系统中物理、化学性质完全相同，与其他部分具有明显分界面的均匀部分称为相。与固、液、气三态对应，物质有固相、液相、气相。