一种磷酸铋基复合光催化材料及其制备方法技术

技术编号:11190328 阅读:200 留言:0更新日期:2015-03-25 19:01
本发明专利技术公开了一种磷酸铋基复合光催化材料,由氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋组成,其中氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋的摩尔比为1∶0.1~0.3∶0.1~0.3。本发明专利技术还公开了其制备方法:将五水硝酸铋溶解于硝酸溶液中,然后加入磷酸盐、钨酸铵、偏钒酸铵和氢氧化钠溶液的混合溶液,在经过微波水热反应、离心、干燥得到。本发明专利技术磷酸铋基复合光催化材料,通过非金属氟和氮离子共掺杂来有效提高磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体界面处电子的捕获能力,增强电子空穴的迁移效率;磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体复合在界面处能够形成异质结构,有效促进光生载流子的分离,进而提高复合体系光催化活性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机环保光催化材料
,具体涉及一种磷酸铋基复合光催化材料,本专利技术还涉及该复合光催化材料的制备方法。
技术介绍
具有高量子效率、能充分利用太阳能的高活性光催化材料的制备及应用,已成为材料学、化学、能源和环境科学领域广泛关注和研究的热点课题。光催化材料研究中的两个关键问题是提高光催化剂的活性与拓展光催化剂的吸收波长,因而所有的新型光催化体系的设计思路,均是针对这两个问题进行的,从这一目的出发,目前多数的新型光催化体系主要集中在复合金属氧化物以及基于此的硫、氮取代化合物。涉及磷酸盐光催化材料的报道很少,而磷酸盐有许多利于催化活性的特性,如磷酸盐结构稳定性好,在光催化反应体系中相对于金属氧化物其氧空位缺陷形成能较高,这就导致磷酸盐晶体中氧空位缺陷很少,即复合中心数量少,使电子与空穴容易分离,有利于形成光催化反应的进行。同时,绝大多数光催化材料都会发生空穴腐蚀(ZnO、CdS和MoS2)和电子腐蚀(GaPXu2O和GaN),而磷酸根离子是高价态很难被化学还原,不易被光腐蚀,如果磷酸盐中的金属离子同样稳定,这种光催化剂在光照下便几乎不发生光腐蚀。而且,磷酸盐拥有较大的负电荷,会产生很大的诱导效应,因而有利于光生电子的传输。此外,磷酸盐表面与水有强的相互作用,根据热力学原理,表面磷酸根在与水分子作用时,会与水中的质子产生强烈的作用,进而有利于水分子的解离产生羟基。 磷酸铋作为一种结构稳定的磷酸盐半导体材料,在光学、烷烃的选择性催化氧化、氨的催化氧化等领域有着诸多的应用。近两年,涉及磷酸铋光催化剂的研究已有报道,但该类光催化剂的禁带宽度较大,只能被紫外光激发,对太阳光利用率较低。因此,拓宽磷酸铋的光吸收范围,对磷酸铋光催化材料的应用具有一定的科学意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种磷酸铋基复合光催化材料,通过非金属离子掺杂增加磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体中氧空位浓度,进而提高其光催化活性。 本专利技术的另一个目的是提供一种磷酸铋基复合光催化材料的制备方法。 本专利技术所采用的技术方案是,一种磷酸铋基复合光催化材料,由氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋组成,其中氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋的摩尔比为1:0.1 ?0.3:0.1 ?0.3。 本专利技术的特点还在于, 氟、氮共掺杂的磷酸铋基复合光催化材料中铋离子、氟离子和氮离子的摩尔比为1:0.5?1:0.5?1,其中氟离子和氮离子的摩尔比为1:1。 本专利技术所采用的另一个技术方案是,一种磷酸铋基复合光催化材料的制备方法,具体包括以下步骤: 步骤1:将五水硝酸铋溶解于质量浓度为65%的硝酸溶液,得到溶液A ;将磷酸盐、钨酸铵和偏钒酸铵溶解于浓度为I?2mol/L的氢氧化钠溶液,得到溶液B ;将溶液A和溶液B混合均匀得到溶液C ;将氟化铵加入溶液C,得到溶液D ; 步骤2:将步骤I得到的溶液D转移至水热反应釜,并置于微波反应器中利用微波加热至150?250°C微波水热处理I?3h,取出后自然冷却至室温,将得到的产物离心分离,去离子水洗涤3次,于80°C干燥12h,得到磷酸铋基复合光催化材料。 本专利技术的特点还在于, 步骤I中五水硝酸铋和硝酸的质量比为1:5?10。 步骤I中磷酸根离子、钨酸根离子、钒酸根离子和氢氧化钠的摩尔比为1:0.1? 0.3:0.1 ?0.3:1 ?4。 步骤I中溶液C中磷酸根离子、钨酸根离子、钒酸根离子和铋离子的摩尔比为1: 0.1 ?0.3:0.1 ?0.3:1.3 ?1.9。 步骤I中铋离子和氟化铵的摩尔比为1:0.5?I。 步骤I中磷酸盐是磷酸钠、磷酸氢钠、磷酸二氢钠、磷酸钾、磷酸氢钾或磷酸二氢钾的一种或多种组合。 本专利技术的有益效果是, 1.本专利技术磷酸铋基复合光催化材料,具有以下特点:第一、通过非金属氟和氮离子共掺杂来有效提高磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体界面处电子的捕获能力,增强电子空穴的迁移效率;第二、通过非金属离子掺杂可以增加磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体中氧空位浓度,进而提高其光催化的光催化活性;第三、窄禁带宽度半导体钨酸铋和钒酸铋的存在,可以有效提高磷酸铋在可见光的吸收特性;第四、磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体复合在界面处能够形成异质结构,有效促进光生载流子的分离,进而提高复合体系光催化活性。因此,本专利技术提出的氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋复合光催化材料不仅可以拓宽光吸收特性,还可以提高光催化活性。 2.本专利技术共掺杂磷酸铋基复合光催化材料的制备方法,工艺过程简单,操作方便,且复合体系组分易于控制。 【具体实施方式】 下面结合【具体实施方式】对本专利技术进行详细说明。 本专利技术磷酸铋基复合光催化材料,由氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋组成,其中氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋的摩尔比为1:0.1?0.3:0.1?0.3。 氟、氮共掺杂的磷酸铋基复合光催化材料中铋离子、氟离子和氮离子的摩尔比为1:0.5?1:0.5?1,其中氟离子和氮离子的摩尔比为1:1。 本专利技术磷酸铋基复合光催化材料,具有以下特点:第一、通过非金属氟和氮离子共掺杂来有效提高磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体界面处电子的捕获能力,增强电子空穴的迁移效率;第二、通过非金属离子掺杂可以增加磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体中氧空位浓度,进而提高其光催化的光催化活性;第三、窄禁带宽度半导体钨酸铋和钒酸铋的存在,可以有效提高磷酸铋在可见光的吸收特性;第四、磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体复合在界面处能够形成异质结构,有效促进光生载流子的分离,进而提高复合体系光催化活性。因此,本专利技术提出的氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋复合光催化材料不仅可以拓宽光吸收特性,还可以提高光催化活性。 上述磷酸铋基复合光催化材料的制备方法,具体包括以下步骤: 步骤1:将五水硝酸铋溶解于质量浓度为65%的硝酸溶液,得到溶液A,其中五水硝酸铋和硝酸的质量比为1:5?10 ;将磷酸盐、钨酸铵和偏钒酸铵溶解于浓度为I?2mol/L的氢氧化钠溶液,得到溶液B,其中磷酸根离子、钨酸根离子、钒酸根离子和氢氧化钠的摩尔比为1:0.1?0.3:0.1?0.3:1?4 ;将溶液A和溶液B混合均匀得到溶液C,其中溶液C中磷酸根离子、钨酸根离子、钒酸根离子和铋离子的摩尔比为1:0.1?0.3:0.1?0.3: 1.3?1.9 ;将氟化铵加入溶液C,得到溶液D,其中铋离子和氟化铵的摩尔比为1:0.5?I ; 步骤2:将步骤I得到的溶液D转移至水热反应釜,并置于微波反应器中利用微波加热至150?250°C微波水热处理I?3h,取出后自然冷却至室温,将得到的产物离心分离,去离子水洗涤3次,于80°C干燥12h,得到磷酸铋基复合光催化材料。 步骤I中磷酸盐是磷酸钠、磷酸氢钠、磷酸二氢钠、磷酸钾、磷酸氢钾、磷酸二氢钾等可溶性磷酸盐的一种或多种组合。 本专利技术共掺杂磷酸铋基复合光催化材料的制备方法,工艺过程简单,操作方便,且复合体系组分易于控制。 实施例1 步骤1:将6.31g五水硝酸铋溶解于31.55g质量浓度为65%的硝酸溶液,得到溶液A ;将1.64g磷酸钠、3.04g钨酸铵和0.12本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种磷酸铋基复合光催化材料,其特征在于,由氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋组成,其中氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋的摩尔比为1:0.1~0.3:0.1~0.3。

【技术特征摘要】
1.一种磷酸铋基复合光催化材料,其特征在于,由氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋组成,其中氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋的摩尔比为1:0.1?0.3:0.1?0.3。2.根据权利要求1所述的磷酸铋基复合光催化材料,其特征在于,氟、氮共掺杂的磷酸铋基复合光催化材料中铋离子、氟离子和氮离子的摩尔比为1:0.5?1:0.5?1,其中氟离子和氮离子的摩尔比为1:1。3.一种磷酸铋基复合光催化材料的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤: 步骤1:将五水硝酸铋溶解于质量浓度为65%的硝酸溶液,得到溶液A ;将磷酸盐、钨酸铵和偏钒酸铵溶解于浓度为I?2mol/L的氢氧化钠溶液,得到溶液B ;将溶液A和溶液B混合均匀得到溶液C ;将氟化铵加入溶液C,得到溶液D ; 步骤2:将步骤I得到的溶液D转移至水热反应釜,并置于微波反应器中利用微波加热至150?250°C微波水热处理I?3h,取出后自然冷却至室温,将得到的产物离心分离,去离...

【专利技术属性】
技术研发人员:李军奇刘辉何选盟朱振峰
申请(专利权)人:陕西科技大学
类型:发明
国别省市:陕西;61

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