本发明专利技术提供具有防止突入电流的功能的电源装置及照明装置。实施方式的电源装置包括：整流电路，对从电压源供给的交流电流进行整流；平滑电容器，利用来自整流电路的输出电流而进行充电；以及常通型晶体管，串联连接于整流电路与平滑电容器之间，并且将来自电压源的电压接通时整流电路的输出电流值，限制为比稳定运行时整流电路的输出电流值高的输出电流值。
【技术实现步骤摘要】
电源装置及照明装置
[0001〕 本专利技术的实施方式涉及一种电源装置及照明装置。
技术介绍
使作为照明设备的发光二极管(乜油七611111:1:1118 ^10(16, 120)等光源点灯的电源装置，包括整流电路、平滑电路、以及直流-直流0111-1-6111:-(111-601: 0111^6111:，0000转换器等。整流电路及平滑电路将商用交流电源转换为直流。000(:转换器将直流转换为所需的电压并供给至1^0。通常，整流使用二极管桥接整流器，平滑化使用电容器。 如果对电源装置接通商用交流电源，那么通过电源开关、整流器来对平滑电容器进行充电。此时，充电电流所流过的路径上只存在低阻抗的元件，因而会有过大的充电电流即突入电流流通。由此，会产生整流器的破损、电源开关接点的熔焊等问题。需要有防止该突入电流的功能。 〔现有技术文献〕 〔专利文献〕 [专利文献1]日本专利第4973865号公报
技术实现思路
本专利技术所欲解决的课题在于提供一种具有防止突入电流的功能的电源装置及照明装置。 实施方式的电源装置包括:整流电路，对从电压源供给的交流电流进行整流；平滑电容器，利用来自整流电路的输出电流而进行充电；以及常通型晶体管，串联连接于整流电路与平滑电容器之间，并且将来自电压源的电压接通时整流电路的输出电流值，限制为比稳定运行时的整流电路的输出电流值高的输出电流值。 [专利技术的效果] 根据本专利技术的实施方式，可提供一种具有防止突入电流的功能的电源装置及照明 |101|装直。 【附图说明】 图1是例示包含第一实施方式的电源装置的照明装置的电路图。 图2⑷?图2(6)是用以说明电源装置4的运行的波形图。 图3是表示常通型晶体管8的漏极电流相对于控制端子的电位的依存性的特性图。 图4是例示包含第二实施方式的电源装置的照明装置的电路图。 图5是例示包含第三实施方式的电源装置的照明装置的电路图。 [符号的说明] 1:照明装置 2:交流电源 3:电源开关 4:电源装置 5:0(:-0(:转换器 6:照明负载 7:整流器 8:常通型晶体管 9:电阻 10:定电压二极管 11:电容器 12:电阻 13:平滑电容器 14:开关元件 15:整流元件 16:电感器 17:电容器 18:照明装置 19:电源装置 20:照明装置 21:电源装置 22:过电压保护元件 23:高电位输出端子 24:低电位输出端子 25:高电位输出端子 26:低电位输出端子 1(1:漏极电流 1(10:漏极电流 1(11:漏极电流 1111、1111,:输入电流 11110:突入电流 11111:输入电流 ^1:时机 乂如:电压 %8:电压 电压 VIII:输入电压 :电压 【具体实施方式】 以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。以下的说明中，对相同的要素附上相同的符号，并对已说明的要素适当省略其说明。 (第一实施方式) 图1是例示包含第一实施方式的电源装置的照明装置的电路图。 照明装置1包括电源装置4、00-00转换器5、以及照明负载6。 电源装置4对经电源开关3而输入的交流电源电压进行整流、平滑化。00-00转换器5将电源装置4的输出转换为所需的电压，并供给至照明负载6。 照明负载6例如具有发光二极管([￡0)等照明光源。交流电源2例如为商用电源。 电源装置4包括整流器7、常通型晶体管8、平滑电容器13、电阻9、电阻12、定电压二极管10以及电容器11。整流器例如为二极管桥接整流器。常通型的晶体管为由氮化镓等氮化物半导体形成的高电子迁移率晶体管曲2160^0！！1061111:7 XI'&118181:01-, 11211)。 另外，本说明书中，“氮化物半导体”包含在8x1117八^(0 ^ X 1,0彡7彡1，0彡2彡1^+7+2 ( 1)的化学式中，使组成比X、组成比7及组成比2在各自的范围内变化的所有组成的半导体。而且，“氮化物半导体”进而包含以下半导体:在所述化学式中，还包含叭氮)以外的V族元素的半导体，还包含为了控制导电型等各种物性而添加的各种元素的半导体，及还包含无意地包含的各种元素的半导体。 整流器7的2个输入端子也为电源装置4的输入端子，经由开关3而连接于交流电源2。常通型晶体管8的漏极连接于整流器7的高电位输出端子23，常通型晶体管8的源极连接于平滑电容器13的一端。平滑电容器13的另一端连接于整流器7的低电位输出端子24。并联连接的电阻9、电容器11连接于常通型晶体管8的栅极 ?源极间。定电压二极管10的阳极连接于常通型晶体管8的栅极，定电压二极管10的阴极连接于常通型晶体管8的源极。常通型晶体管8的栅极经由电阻12而连接于整流器7的低电压输出端子24。电源装置4的输出从平滑电容器13的两端被取出。 接着，一边参照图2⑷?图2(6) —边对电源装置4的运行进行说明。 图2(4?图2(6)是用以说明电源装置4的运行的波形图。 图2(4为表示电源装置4的输入电压VIII的波形图，图2(13)为表示电源装置4的输入电流1111的波形图，图2((3)为表示平滑电容器13的电压70111的波形图，图2((1)为表示电源装置4的输入电流11^的波形图，图2(6)为表示平滑电容器13的电压70111的波形图。 首先，对不存在常通型晶体管8而整流器7直接连接于平滑电容器13的情况进行说明。当电源开关3导通时，交流电压被施加至电源装置4。平滑电容器13通过电源开关3、整流器7而得到充电。在电源开关3刚导通后不久，平滑电容器13尚未被充电，因此平滑电容器13的端子间的电压为0乂。如图2(6)的那样，在输入交流电压接近峰值的时机，如果电源开关3导通，那么电源开关3、整流器7及未图示的配线阻抗中被施加相对较高的电压。因他们的阻抗低，所以平滑电容器13的充电电流，即突入电流如图2(6)的11=0所示的那样，为相对较大的值。从而产生整流器7的击穿、电源开关3的接点的熔焊等问题。 为了防止该问题，而连接常通型晶体管8。由氮化物半导体形成的常通型晶体管具有图3所示的电压-电流特性。 图3是表示常通型晶体管8的漏极电流相对于控制端子的电位的依存性的特性图。图3的横轴表示漏极 ? 源极间电压7(18，纵轴表示漏极电流1(1。 根据图3可知，当漏极电流1(1达到规定的电流值时，常通型晶体管8的导通电阻上升。即，常通型晶体管8显示出定电流特性。显示出定电流特性的状态下的漏极电流1(1取决于栅极，源极间的电压V#。栅极，源极间的电压V#的绝对值越大，则定电流特性下的漏极电流1(1的值越小。 将具有所述特性的常通型晶体管8连接于整流器7与平滑电容器13之间。常通型晶体管8的栅极 ?源极间被施加对^0机利用电阻9、电阻12进行分压所得的电压。图3的实施方式中，利用定电压二极管10，将常通型晶体管8的栅极 ? 源极间限制为规定的电压。该电压下，栅极相对于源极而为负的极性。将该电压设为在图3中将与相对应的定电流值设为1(11。如图2(0所示，当电源开关导通，11！^增加而达到1(11时，常通型晶体管本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电源装置，其特征在于包括：整流电路，对从电压源供给的交流电流进行整流；平滑电容器，利用来自所述整流电路的输出电流而进行充电；以及常通型晶体管，串联连接于所述整流电路与所述平滑电容器之间，并且将来自所述电压源的电压接通时所述整流电路的输出电流值，限制为比稳定运行时的所述整流电路的输出电流值高的输出电流值。
【技术特征摘要】
2013.09.25 JP 2013-1989891.一种电源装置，其特征在于包括: 整流电路，对从电压源供给的交流电流进行整流； 平滑电容器，利用来自所述整流电路的输出电流而进行充电；以及常通型晶体管，串联连接于所述整流电路与所述平滑电容器之间，并且将来自所述电压源的电压接通时所述整流电路的输出电流值，限制为比稳定运行时的所述整流电路的输出电流值高...
【专利技术属性】
技术研发人员：大武宽和，北村纪之，高桥雄治，石川真人，三浦洋平，
申请(专利权)人：东芝照明技术株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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