具有翻盖的显示终端制造技术

本发明专利技术涉及具有翻盖的显示终端，其包括具有霍尔传感器的第一本体和具有磁元件的第二本体。所述磁元件的区域可对应于第二本体的最大水平移动距离和最大垂直移动距离。

【技术实现步骤摘要】
具有翻盖的显示终端相关申请的交叉参考本申请要求于2013年8月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0102846号的根据35USC119(a)的权益，为了所有目的通过引用将该申请的全部内容合并在本文中。
下面的描述涉及具有翻盖的显示终端，通过翻盖的滑动来确定内部磁元件区域。
技术介绍
韩国技术登记第20-0167871号描述了一种装置，其检测包括PCB(印刷电路板，PrintedCircuitBoard)、磁传感器以及翻盖的翻盖式无绳电话的翻盖是打开还是关闭。PCB安装在本体内并且通过选择按钮可访问。通常，采用的是使用霍尔元件来检测翻盖是打开还是关闭，但是既不采用检测机构也不采用磁元件区域。
技术实现思路
本
技术实现思路
被提供以便以简化的形式引入在下面的具体实施方式部分中进一步描述的概念的选择。本
技术实现思路
并不意在标识所要求的主题的关键特征或本质特征，也不意在用来帮助确定所要求的主题的范围。在一个总的方面，一种具有保护盖的装置包括：第一本体，其包括霍尔传感器；第二本体，其包括具有最小区域的磁元件，其中，磁元件的最小区域对应于至少所述第二本体的最大水平移动距离和最大垂直移动距离。该装置可以是显示终端，霍尔传感器的区域可以是L*M，以及磁元件的最小区域可以是LXmax*LYmax，其中，L表示霍尔传感器的水平长度，M表示霍尔传感器的垂直长度，LXmax表示第二本体的最大水平移动距离，以及LYmax表示第二本体的最大垂直移动距离。LXmax和LYmax分别基于第二本体的直线移动距离和旋转移动距离的总值来获得。LXmax和LYmax可以分别还基于霍尔传感器的水平或垂直长度来获得。LXmax可通过下式来确定：LXmax＝Max(A,Xc,Xd)+L+B，其中，A表示第二本体的左水平滑动距离，B表示第二本体的右水平滑动距离，Xc表示通过第二本体的顺时针旋转的水平滑动距离，Xd表示通过第二本体的逆时针旋转的水平滑动距离；以及MAX(A,Xc,Xd)表示A、Xc以及Xd之中的最大值。LYmax可通过下式来确定：LYmax＝Yc+M+Yd，其中，Yc表示通过第二本体的顺时针旋转的垂直滑动距离；以及Yd表示通过第二本体的逆时针旋转的垂直滑动距离。第二本体的在顺时针或逆时针旋转上的水平滑动距离通过下式来确定：Xc＝sin(θ/2)*(sin(θ/2)*R*2)；Xd＝sin(θ'/2)*(sin(θ'/2)*R*2)，其中，θ表示第二本体的顺时针旋转角，θ'表示第二本体的逆时针旋转角；以及R表示第二本体的旋转半径。由第二本体的顺时针或逆时针旋转引起的垂直旋转滑动的距离可由下式确定：Yc＝cos(θ/2)*(sin(θ/2)*R*2)，Yd＝cos(θ'/2)*(sin(θ'/2)*R*2)，其中，Y表示第二本体的垂直旋转滑动的距离；θ表示第二本体的顺时针旋转角度；θ'表示第二本体的逆时针旋转角度；以及R表示第二本体的旋转半径。磁元件的最小长度和宽度可以大于霍尔传感器的长度和宽度。磁元件可以具有矩形形状。磁元件布置成使得磁元件的区域不与相对的霍尔传感器的区域重叠。在另一总的方面，一种具有保护盖的装置，包括：第一本体；霍尔传感器，该霍尔传感器布置在第一本体上；第二本体，该第二本体具有最大滑动区域；以及磁元件，该磁元件布置在第二本体中并且具有比最大滑动区域更大的磁体区域。霍尔传感器可配置为检测磁场，以及第二本体可连接至第一本体。最大滑动区域可基于水平滑动距离和旋转滑动距离来计算。水平滑动距离可使用第二本体的水平滑动距离来计算。旋转滑动距离可使用第二本体的顺时针或逆时针旋转半径和旋转角来计算。旋转滑动距离划分为水平旋转滑动距离和垂直旋转滑动距离。最大滑动区域的水平长度可以基于水平旋转滑动距离和垂直旋转滑动距离的最大值来计算。最大滑动区域的垂直长度可以基于所有顺时针旋转和逆时针旋转的垂直旋转滑动距离来计算。该装置可以是显示终端，并且磁元件可响应于显示终端关闭来覆盖霍尔传感器的区域。最大滑动区域的水平长度还可以基于霍尔传感器的水平长度来计算。最大滑动区域的垂直长度还可以基于霍尔传感器的垂直长度来计算。附图说明图1是例示显示终端和翻盖的示例的示意图；图2是例示关闭翻盖的示例的示意图；图3是例示磁元件位置和霍尔传感器的相关位置的示例的示意图；图4是例示翻盖的水平滑动的示例的示意图；图5是例示翻盖的顺时针旋转滑动的示例的示意图；图6是例示翻盖的逆时针旋转滑动的示例的示意图；图7是例示磁体基于霍尔传感器区域的最大移动距离的示例的示意图；图8是例示磁元件的最小区域的示例的示意图；图9是例示根据磁元件或磁体形状的磁场的示例的示意图。具体实施方式提供下列详细描述以帮助读者全面理解本文所描述的方法、装置和/或系统。然而，本文所描述的系统、装置和/或方法的各种修改、变化以及等效对本领域的普通技术人员而言是显见的。所描述的处理步骤和/或操作的顺序是示例；然而，处理步骤和/或操作的顺序不限于本文所给出的，而是除了必须以确定的顺序出现的步骤和/或操作之外，可以如现有技术中所知的进行变化。另外，为了更清楚简洁，可以省去本领域中的技术人员所熟知的功能和结构的描述。本文所描述的特征可以以不同的形式来体现，但是不能理解为受限于本文所描述的示例。而是，已经提供本文所描述的示例，使得本公开将更全面和完整，并且将公开的整个范围传达给本领域中的普通技术人员。图1是例示显示终端和翻盖或保护盖的示例的示意图。参考图1，显示终端100包括对应于第一本体的主体120和布置在主体120中的霍尔传感器110。翻盖(或保护盖)200对应于第二本体并且包括磁元件210和覆盖单元220。仅根据其功能来命名显示终端100和翻盖200，而在其他示例中，显示终端100和翻盖200可以集成地实现。例如，翻盖200可以直接耦接至显示终端100或者耦接至电池盖的后面。显示终端100可对应于包括显示功能的装置。例如，显示终端100包括用于无线通信的装置，诸如，手机、智能手机、平板电脑或双向无线电广播。显示终端100可以包括霍尔传感器110和主体120。霍尔传感器110可以检测由翻盖200的磁元件210产生的磁场。霍尔传感器110可以集成到霍尔传感器芯片中。例如，霍尔传感器芯片包括多个霍尔元件、逻辑电路以及存储器。霍尔传感器和霍尔传感器芯片可以无差别地使用并且这种无差别不应限制权利要求范围。霍尔传感器110可以实现为矩形并且可以包括在该霍尔传感器110内部的一个或更多个霍尔元件。霍尔元件可以在霍尔传感器110的角处彼此对称地分隔开。霍尔传感器110可以覆盖比实现为单个霍尔元件的霍格传感器更大的区域。因此，霍尔传感器110可以以比实现为单个霍尔元件的霍尔元件更大的能力来检测磁场。应理解的是，霍尔元件利用霍尔效应来测量磁场的方向和大小。霍尔效应是横切导体中的电流和垂直于电流的磁场，在导体的两端产生电压差(霍尔电压)。霍尔电压与电流和磁场的量成正比，并且在电流的量是常数时，霍尔电压与磁场成正比。主体120可以包括显示装置和用于无线通信的无线收发机。翻盖200可以对应于用于保护显示终端100的显示器和外观的装置并且可以保护显示终端100免受由于坠落而造成的划痕或损坏。翻盖200可以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：第一本体，所述第一本体包括霍尔传感器；第二本体，所述第二本体包括具有最小区域的磁元件，其中，所述磁元件的最小区域对应于至少所述第二本体的最大水平移动距离和最大垂直移动距离。

【技术特征摘要】
2013.08.29 KR 10-2013-01028461.一种具有保护盖的装置，包括：第一本体，所述第一本体包括霍尔传感器；第二本体，所述第二本体包括具有最小区域的磁元件，其中，所述磁元件的最小区域对应于至少所述第二本体的最大水平移动距离和最大垂直移动距离。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置是显示终端；所述霍尔传感器的区域是L*M；以及所述磁元件的最小区域是LXmax*LYmax，其中，L表示所述霍尔传感器的水平长度，M表示所述霍尔传感器的垂直长度，LXmax表示所述第二本体的最大水平移动距离，以及LYmax表示所述第二本体的最大垂直移动距离。3.根据权利要求2所述的装置，其中LXmax和LYmax分别基于所述第二本体的直线移动距离和旋转移动距离的总值来获得。4.根据权利要求3所述的装置，其中，LXmax和LYmax还分别基于所述霍尔传感器的水平或垂直长度来获得。5.根据权利要求4所述的装置，其中，LXmax通过下式来确定：LXmax＝Max(A,Xc,Xd)+L+B，其中，A表示所述第二本体的左水平滑动距离；B表示所述第二本体的右水平滑动距离；Xc表示通过所述第二本体的顺时针旋转的水平滑动距离；Xd表示通过所述第二本体的逆时针旋转的水平滑动距离；以及MAX(A,Xc,Xd)表示A、Xc以及Xd之中的最大值。6.根据权利要求4所述的装置，其中LYmax通过下式来确定：LYmax＝Yc+M+Yd，其中，Yc表示通过所述第二本体的顺时针旋转的垂直滑动距离；以及Yd表示通过所述第二本体的逆时针旋转的垂直滑动距离。7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第二本体的在顺时针旋转或逆时针旋转上的所述水平滑动距离通过下式来确定：Xc＝sin(θ/2)*(sin(θ/2)*R*2)Xd＝sin(θ'/2)*(sin(θ'/2)*R*2)，其中，θ表示所述第二本体的顺时针旋转角；θ'表示所述第二本体的逆时针旋转角；以及R表示所述第二本体的旋转半径。8.根据权利要求5所述的装置，其中，由所述第二本体的顺时针旋转或逆时针旋转引起的垂直旋转滑动的距离由下式确定：Yc＝...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯男，朴承焕，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR