【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种物体、方法或制造方法。或者,本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。尤其是,本专利技术例如涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、上述装置的驱动方法或制造方法。尤其是,本专利技术的一个方式涉及一种支撑体供应装置或叠层体制造装置。
技术介绍
与信息传送方法有关的社会基础越来越充实。因此,通过使用信息处理装置,不仅可以在工作场所或家里还可以在外出目的地取得、加工或发送多种丰富的信息。在上述背景下,对便携式信息处理装置积极地展开了开发。例如,便携式信息处理装置经常在室外被使用,所以有时因掉下而使便携式信息处理装置及在其中使用的显示装置意外受到意外的外力冲击。作为不容易破损的显示装置的一个例子,已知具有使发光层分离的结构体与第二电极层之间的紧密性得到提高的结构的显示装置(专利文献1)。[专利文献1]日本专利申请公开2012-190794号公报
技术实现思路
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体供应装置。或者,本专利技术的目的之一是提供一种叠层体制造装置,该叠层体制造装置具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。或者,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的制造装置。或者,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一
【技术保护点】
一种支撑体供应装置,包括:对准部;设置有切割器的切口形成部;设置有剥离机构的剥离部;第一传送机构;第二传送机构;以及工作台,其中,所述第一传送机构被配置为将支撑体及与所述支撑体的一个面相接的隔膜传送到所述对准部,该操作在所述第一传送机构支撑所述支撑体的另一个面的期间中执行,并且所述第一传送机构被配置为将所述支撑体及所述隔膜放置于所述工作台的预定位置处,其中,所述工作台被配置为:进行移动且旋转,以在所述对准部中针对所述预定位置调整所述支撑体及所述隔膜,将所述支撑体及所述隔膜固定在所述预定位置处,并且将所述支撑体及所述隔膜从所述对准部传送到所述切口形成部,其中,所述第二传送机构被配置为在所述切口形成部与所述剥离部之间传送所述支撑体及所述隔膜,该操作在所述第二传送机构支撑所述支撑体的所述另一个面的期间中执行,其中,所述切割器被配置为在所述支撑体的端部的附近形成不穿过所述隔膜的切口,并且其中,所述剥离机构被配置为保持且拉伸与所述支撑体的所述端部重叠的所述隔膜,并接着从所述支撑体剥离所述隔膜。
【技术特征摘要】
2013.08.30 JP 2013-179700;2014.02.19 JP 2014-029401.一种支撑体供应装置,包括:
对准部;
设置有切割器的切口形成部;
设置有剥离机构的剥离部;
第一传送机构;
第二传送机构;以及
工作台,
其中,所述第一传送机构被配置为将支撑体及与所述支撑体的一
个面相接的隔膜传送到所述对准部,该操作在所述第一传送机构支撑
所述支撑体的另一个面的期间中执行,并且所述第一传送机构被配置
为将所述支撑体及所述隔膜放置于所述工作台的预定位置处,
其中,所述工作台被配置为:进行移动且旋转,以在所述对准部
中针对所述预定位置调整所述支撑体及所述隔膜,将所述支撑体及所
述隔膜固定在所述预定位置处,并且将所述支撑体及所述隔膜从所述
对准部传送到所述切口形成部,
其中,所述第二传送机构被配置为在所述切口形成部与所述剥离
部之间传送所述支撑体及所述隔膜,该操作在所述第二传送机构支撑
所述支撑体的所述另一个面的期间中执行,
其中,所述切割器被配置为在所述支撑体的端部的附近形成不穿
过所述隔膜的切口,并且
其中,所述剥离机构被配置为保持且拉伸与所述支撑体的所述端
部重叠的所述隔膜,并接着从所述支撑体剥离所述隔膜。
2.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,还包括所述对准部中
的相机,其中所述相机被配置为进行拍照以判断所述支撑体及所述隔
膜是否位于所述工作台的所述预定位置处。
3.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,其中所述工作台被配
\t置为在所述切口形成部中旋转。
4.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,还包括预处理部,该
预处理部包括:
第一预处理机构,使用超声波照射所述支撑体的所述一个面,并
一边喷射压缩空气一边抽吸气氛;或者
第二预处理机构,使用紫外线照射所述支撑体的所述一个面。
5.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,还包括预处理部,该
预处理部包括:
第一预处理机构,使用超声波照射所述支撑体的所述一个面,并
一边喷射压缩空气一边抽吸气氛;以及
第二预处理机构,使用紫外线照射所述支撑体的所述一个面。
6.根据权利要求1所述的支撑体供应装置,还包括薄片供应部,
该薄片供应部包括:
托盘,其中储存有包括所述支撑体及所述隔膜的叠层膜;
重送防止机构,对由所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:大野正胜,横山浩平,井户尻悟,池田寿雄,神保安弘,安达广树,平形吉晴,江口晋吾,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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