基于图像处理的光刻系统和目标对象涂覆方法技术方案

本发明专利技术公开了一种基于图像处理的光刻系统和目标对象涂覆方法。根据本发明专利技术的一个实施方式，光刻系统包括：布置在基板上的至少一个目标对象；通过对至少一个目标对象执行图像处理来确定用于至少一个目标对象的涂覆层的光学图案的处理器；以及将具有由处理器确定的光学图案的光提供到基板的曝光装置。

【技术实现步骤摘要】
基于图像处理的光刻系统和目标对象涂覆方法本申请是申请日为2010年9月29日、申请号为201080043931.X、国际申请号为PCT/KR2010/006602、专利技术名称为“基于图像处理的光刻系统和目标对象涂覆方法”的原案申请的分案申请。
本公开一般地涉及光刻系统，并且更具体地，涉及基于图像处理的光刻系统和涂覆目标对象的方法。
技术介绍
光刻系统是用于在基板上形成想要的图案的设备。使用光刻系统的曝光工艺是半导体工艺的必要部分。可以使用曝光工艺在基板上形成想要的图案。为了在基板上形成想要的图案，可以采用其上形成图案的光掩模。由于形成在光掩模上的图案被固定为特定图案，因此为了在基板上形成新的图案，光掩模应该被替换为新的光掩模。在半导体工艺中，光掩模的频繁改变会导致制造成本的增加和产率的降低。因此，需要性价比高并且高产的新光刻系统。另外，对于小型芯片来说性价比高的封装(例如，涂覆)工艺显著地影响着集成电路(IC)产业。现在，商用的射频识别(RFID)和发光器件(LED)具有大约200μm或更小的芯片尺寸。拾放技术正在应用于小型芯片的生产。随着在单个半导体晶圆上制造的芯片的数目的增加，拾放技术导致了较低的处理速度、较低的产率和较高的成本。因此，需要性价比高并且增加处理速度和产率的新工艺。
技术实现思路
[技术方案]根据示例性实施方式，公开了一种光刻系统。该光刻系统包括：布置在基板上的至少一个目标对象；处理器，该处理器被构造为处理目标对象的图像并且确定用于目标对象的涂覆层的光学图案；以及曝光设备，该曝光设备被构造为将由处理器确定的光学图案提供给基板。根据另一示例性实施方式，提供了一种涂覆目标对象的方法。该方法包括：制备基板，该基板的一个表面上布置有至少一个目标对象；通过处理目标对象的图像确定用于目标对象的涂覆层的光学图案；以及将具有确定的光学图案的光提供到基板。根据另一示例性实施方式，提供了一种涂覆目标对象的方法。该方法包括：制备基板，该基板的一个表面上布置有至少一个目标对象；在目标对象和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蚀剂；通过处理目标对象的图像形成用于目标对象的涂覆层的周壁；以及将树脂提供到由周壁围绕的目标对象的表面的至少部分区域和基板。根据另一示例性实施方式，提供一种涂覆芯片的方法。该方法包括：制备布置在柔性基板上的多个芯片，该多个芯片具有在基板上的第一排列结构；通过使柔性基板发生形变来使第一排列结构变为第二排列结构；在多个芯片和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蚀剂；以及通过将光致抗蚀剂选择性地暴露于光来在多个芯片的表面上形成第一涂覆层。该第一涂覆层是固化的光致抗蚀剂。根据另一示例性实施方式，提供了一种芯片涂覆系统。该系统包括：柔性基板，在该柔性基板的一个表面上布置有具有第一排列结构的多个芯片；固定件，该固定件连接到柔性基板并且被构造为使柔性基板发生形变以将第一排列结构转换为第二排列结构；第一涂覆器，该第一涂覆器被构造为能够在多个芯片和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蚀剂；以及光刻系统，该光刻系统被构造为能够通过选将光致抗蚀剂择性地暴露于光来在多个芯片的表面上形成涂覆层。该涂覆层是固化的光致抗蚀剂。上述部分构成下面详细描述的主题的在某种程度上简化的摘要。这些部分不意在指定本专利技术的主要或必要特征或者限制所附权利要求的范围。附图说明图1是根据示例性实施方式的光刻系统的图；图2是根据示例性实施方式的基于图像处理的曝光系统的图；图3是示出根据示例性实施方式的涂覆目标对象的方法的流程图；图4的(a)至6的(c)是示出根据示例性实施方式的涂覆目标对象的方法的图；图7的(a)和7的(b)是包括使用参考图4的(a)至6的(c)描述的涂覆目标对象的方法形成的涂覆层的目标对象的截面图；图8是示出根据另一示例性实施方式涂覆目标对象的方法的流程图；图9的(a)至13是示出根据另一示例性实施方式的涂覆目标对象的方法的图；图14是包括使用在上面参考图9的(a)至13描述的涂覆目标对象的方法形成的涂覆层的目标对象的图；图15是示出根据示例性实施方式的涂覆芯片的方法的流程图；图16的(a)至22的(b)是示出根据示例性实施方式的涂覆芯片的方法中的各处理的图；图23的(a)和23的(b)是包括使用在上面参考图15的(a)至22的(b)描述的涂覆芯片的方法形成的涂覆层的多个芯片的图；以及图24是根据示例性实施方式的芯片涂覆系统的图。具体实施方式在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施方式。附图中的相同的附图标记表示相同的元件，除非另有所述。然而，这里描述的示例性实施方式并不意在限制本公开，本公开可以包括不同的实施方式。换言之，可以在不偏离本公开的范围的情况下对示例性实施方式进行修改。本领域技术人员应该容易地理解的是，本公开的元件，即在附图中一般性示出并且描述的元件可以以各种不同的方式来布置、构造、连接和设计，同时这些元件仍然处于本公开的范围和专利技术精神内。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层或区域的宽度、长度、厚度或形状。将理解的是，当元件或层被称为“布置在”或“形成在”另一元件或层“中”时，其能够直接地布置或形成在该另一元件或层中或者可以存在中间元件或层。将理解的是，当元件或层被称为处于另一元件或层“上”时，其能够直接地位于另一元件或层上或者可以存在中间元件或层。本申请中使用的术语“涂覆层”不仅指布置在目标对象上的具有均匀厚度的薄层，而且可以用作包括布置在目标对象上的具有任意形状的三维结构的概念。该三维结构可以例如为可变厚度的薄层、微透镜、微轨或者突起。除了这些示例之外，可以使用根据本公开的基于图像处理的光刻系统形成的任意形状的任何其它三维结构都可以用作“涂覆层”。图1是根据示例性实施方式的光刻系统的图。参考图1，光刻系统100包括基板110、至少一个目标对象120和基于图像处理的曝光系统130。基于图像处理的曝光系统130包括处理器140和曝光设备150。在其它实施方式中，光刻系统100可以可选地进一步包括第一涂覆器160。在另外的实施方式中，光刻系统100可以可选地进一步包括第二涂覆器170。至少一个目标对象120被布置在基板110上。可以使用各种基板作为基板110。基板110可以例如为半导体基板(例如，硅基板)、玻璃基板、塑料基板或者电路基板(例如，印刷电路板(PCB))。在附图中，例如，示出了半导体基板作为基板110。在另外的实施方式中，可以使用柔性基板作为基板110。柔性基板可以例如为塑料基板、塑料膜或者柔性PCB。当使用柔性基板作为基板110时，该柔性基板可以由于外部力而发生形变。在该情况下，可以改变布置在基板110上的至少一个目标对象120的排列结构。外部力可以为施加到基板110的拉力或者压缩力。即，在布置在基板110上的目标对象120之间的水平间隔(例如，X轴间隔)或竖直间隔(例如，Y轴间隔)可以由于外部力而改变。可以使用各种目标对象作为目标对象120。例如，目标对象120可以是微芯片。微芯片可以是面积小于1mm2的芯片。例如，微芯片可以具有10μm×10μm×20μm的尺寸。在另外的示例中，目标对象120可以是半导体芯片。半导体芯片可以例如为从发光器件(LED)芯片、射频识别(RFID)芯片、互补金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种涂覆目标对象的方法，所述方法包括：制备基板，所述基板的一个表面上布置有至少一个目标对象；在所述基板和所述目标对象的表面的至少一部分上形成光致抗蚀剂；通过处理所述目标对象的图像形成用于所述目标对象的涂覆层的周壁；以及将树脂提供到由所述周壁围绕的所述基板和所述目标对象的表面的至少部分区域。

【技术特征摘要】
2009.09.30 KR 10-2009-0093027;2010.01.20 KR 10-2011.一种涂覆目标对象的方法，所述方法包括：制备基板，所述基板的一个表面上布置有至少一个目标对象；在所述基板和所述目标对象的表面的至少一部分上形成光致抗蚀剂；通过处理所述目标对象的图像形成用于所述目标对象的涂覆层的周壁；以及将树脂提供到由所述周壁围绕的所述基板和所述目标对象的表面的至少部分区域，其中，所述树脂部分地暴露出所述目标对象的表面以形成接触焊盘，其中，所述接触焊盘提供与所述目标对象的导电性。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述树脂包含磷。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述周壁的步骤包括：获得所述目标对象的图像；以及使用获得的所述目标对象的图像将具有对应于所述周壁的光学图案的光提供到所述基板。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，所述方法进一步包括在制备所述基板之后改变所述目标对象的排列结构。5.一种涂覆芯片的方法，所述方法包括：制备布置在柔性基板上的多个芯片，所述多个芯片具有在所述基板上的第一排列结构；通过使所述柔性基板发生形变来将所述第一排列结构变为第二排列结构；在所述基板和所述多个芯片的表面的至少一部分上形成光致抗蚀剂；以及通过将所述光致抗蚀剂选择性地暴露于光在所述多个芯片的所述表面上形成第一涂覆层，其中，所述第一涂覆层是固化的光致抗蚀剂，其中，所述第一涂覆层部分地暴露出目标对象的表面以形成接触焊盘，其中，所述接触焊盘提供与所述目标对象的导电性。6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述柔性基板的一个表面上形成粘附材料。7.根据权利要求5所述的方法，其中，制备多个芯片的步骤包括通过对布置在所述柔性基板上的半导体晶圆进行切割来制备所述多个芯片，其中，使用半导体工艺制造所述多个芯片并且所述多个芯片形成在所述半导体晶圆上。8.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述第一排列结构变为所述第二排列结构的步骤包括：通过在从X方向、Y方向及它们的组合中选择的至少一个方向上拉伸或者压缩所述柔性基板来将所述第一排列结构变为所述第二排列结构。9.根据权利要求5所述的方法，所述方法进一步包括：在形成所述光致抗蚀剂之前在所述多个芯片的表面的至少一部分上形成第二涂覆层。10.根据权利要求9所述的方法，所述方法进一步包括：在形成所述第二涂覆层之后，通过选择性地蚀刻所述第二涂覆层来形成图案。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二涂覆层包括导电层。12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二涂覆层包括绝缘层。13.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述第一涂覆层的步骤包括使用光掩模将所述光致抗蚀剂选择性地暴露于光。14.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述第一涂覆层的步骤包括：使用能够对光学图案进行编程的光刻系统而不使用光掩模来将所述光致抗蚀剂选择...

【专利技术属性】
技术研发人员：劝圣勋，郑收恩，李昇娥，张志诚，韩相权，
申请(专利权)人：首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR