一种背面钝化太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种背面钝化太阳能电池，包括背面电极、全铝背电场、背面钝化层、局部铝背场、P型硅、N型发射极、钝化膜和正面电极；所述背面电极、全铝背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、钝化膜和正面电极从下至上依次连接，所述局部铝背场由腐蚀铝浆腐蚀所述背面钝化层烧结后形成，分别与所述全铝背电场和所述P型硅连接；所述局部铝背场为一组平行排列的直条，均匀分布在背面钝化层内。本发明专利技术还公开了一种背面钝化太阳能电池的制备方法。采用本发明专利技术，能提高电池光电转换效率，操作的可控性强，设备投入成本低，工艺简单，生产效率高，与目前生产线兼容性好。

【技术实现步骤摘要】
一种背面钝化太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种背面钝化太阳能电池；相应地，本专利技术还涉及一种背面钝化太阳能电池的制备工艺。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术，在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高，人们开始研究背钝化太阳电池技术。目前主流的做法是在硅片背面沉积三氧化二铝或者二氧化硅，然后再沉积一层氮化硅，再在背面激光开槽，去掉小部分区域的背面钝化层。然后在背面印刷铝浆，烘干烧结。铝浆通过以上所述区域与硅直接接触，将电流导出来。然而在背面钝化层上激光开槽，容易带来硅背表面损伤的问题。为此，本领域技术人员开始采用一种新的方法背面开槽，如中国专利CN10399674本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背面钝化太阳能电池，其特征在于，包括背面电极、全铝背电场、背面钝化层、局部铝背场、P型硅、N型发射极、钝化膜和正面电极；所述背面电极、全铝背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、钝化膜和正面电极从下至上依次连接，所述局部铝背场由腐蚀铝浆腐蚀所述背面钝化层烧结后形成，分别与所述全铝背电场和所述P型硅连接；所述局部铝背场为一组平行排列的直条组，均匀分布在背面钝化层内。

【技术特征摘要】
1.一种背面钝化太阳能电池，其特征在于，包括背面电极、全铝背电场、背面钝化层、局部铝背场、P型硅、N型发射极、钝化膜和正面电极；所述背面电极、全铝背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、钝化膜和正面电极从下至上依次连接，所述局部铝背场由腐蚀铝浆腐蚀所述背面钝化层烧结后形成，分别与所述全铝背电场和所述P型硅连接；所述局部铝背场为一组平行排列的直条组，均匀分布在背面钝化层内。2.如权利要求1所述背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述局部铝背场面积占所述背面钝化层面积的1%-10%。3.如权利要求2所述背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述局部铝背场的直条宽度为20-30μm，条数为80-150条。4.如权利要求1所述背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述局部铝背场通过丝网印刷或喷墨方式在所述背面钝化层上印刷腐蚀铝浆烧结后形成。5.如权利要求1所述背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层为Al2O3/SiNx复合层或者SiO2/SiNx复合层。6.如权利要求1所述背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；（2）在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；（3）去除扩散过程形成的磷硅玻璃；（4...

【专利技术属性】
技术研发人员：方结彬，秦崇德，石强，黄玉平，何达能，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44